专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种电磁屏蔽封装结构-CN202321286660.1有效
  • 胡小波;张晓军;陈志强;方安安;姜鹭 - 深圳市矩阵多元科技有限公司
  • 2023-05-25 - 2023-10-27 - H01L23/552
  • 本实用新型提供了一种电磁屏蔽封装结构,重布线层,重布线层上设置至少一个晶片;重布线层,重布线层上设置至少一个晶片;电磁屏蔽层,重布线层与电磁屏蔽层形成腔体;两个以上导电柱,每个导电柱的底部与重布线层相连接,顶部与电磁屏蔽层相连接,每个导电柱置于腔体内;每个晶片设置于至少两个导电柱之间。本实用新型在晶片两侧设计和重布线层相连的导电柱,导电柱底部与重布线层相连接,导电柱顶部与电磁屏蔽层相连接,形成一个完整的法拉第笼,赋予该先进封装单元电磁屏蔽效果,用于扇出型封装技术中,可使线路扇出超出晶片覆盖的区域在电磁屏蔽范围内,避免这个区域受到电磁干扰。
  • 一种电磁屏蔽封装结构
  • [发明专利]封装结构及晶片封装方法-CN202310391673.3在审
  • 胡小波;张晓军;姜鹭;陈志强;方安安 - 深圳市矩阵多元科技有限公司
  • 2023-04-07 - 2023-07-07 - H01L23/367
  • 本发明提供了一种封装结构及晶片封装方法,封装结构包括承载部件、晶片、散热胶材层和封装胶材层,晶片连接于承载部件,散热胶材层连接于晶片,封装胶材层连接于承载部件,封装胶材层和散热胶材层共同包裹晶片,散热胶材层的一部分从封装胶材层露出,散热胶材层的导热系数大于封装胶材层的导热系数。晶片封装方法包括以下步骤:将晶片安装在支撑结构上;设置散热胶材层,使散热胶材层与晶片相互连接;在支撑结构上设置封装胶材层,使得:封装胶材层和散热胶材层共同包裹晶片,散热胶材层的一部分从封装胶材层露出。本发明提供的封装结构,能够提高晶片的散热效果,从而提高封装结构的性能和使用寿命。
  • 封装结构晶片方法
  • [发明专利]一种提高溅射镀膜稳定性的方法-CN202310280854.9在审
  • 胡小波;张晓军;姜鹭;陈志强;方安安 - 深圳市矩阵多元科技有限公司
  • 2023-03-13 - 2023-06-23 - C23C14/35
  • 本发明属于半导体技术领域,提供了一种提高溅射镀膜稳定性的方法,本发明在溅射镀膜的过程中,通过靶材初始厚度、靶材利用率、靶材实际使用寿命、靶材极限使用寿命计算出靶材和基片的间距变化量,当靶材和基片的间距变化量达到指定的d时,将基片向上移动d,使得靶材和基片之间的间距恢复至h,然后重复该调节的步骤,最终制得薄膜;本发明的方法保证了在溅射镀膜的量产过程中,保持靶材和基片的间距不变,还通过靶材实际使用寿命来计算d,精准地控制调节靶材和基片的间距的时机,提高溅射镀膜稳定性,所制得薄膜膜质特性一致,尤其适用于对薄膜要求严苛的半导体领域,可提升半导体产品的器件特性。
  • 一种提高溅射镀膜稳定性方法
  • [发明专利]封装结构制造方法及封装结构-CN202310223450.6在审
  • 胡小波;张晓军;姜鹭;陈志强;方安安;杨登亮 - 深圳市矩阵多元科技有限公司
  • 2023-02-28 - 2023-06-06 - H01L21/56
  • 本发明公开了一种封装结构制造方法及封装结构,其中,封装结构制造方法在承载基板上设置光敏粘接层和可溶粘接层,光敏粘接层仅覆盖承载基板的部分表面,其余部分表面从光敏粘接层露出,可溶粘接层覆盖在光敏粘接层上以及承载基板从光敏粘接层露出的部分表面上,在保证粘接效果的同时,减少了光敏粘接层所需求的光敏材料的用量,从而能够降低生产成本;先使用激光照射光敏粘接层,使光敏粘接层脱离承载基板,而后使用剥离液浸泡封装单元,剥离液能够进入承载基板与光敏粘接层之间的缝隙中,与可溶粘接层的接触面积较大,可溶粘接层能够更快地溶解在剥离液中,使封装结构与承载基板更快地分离,从而能够提高生产效率。
  • 封装结构制造方法
  • [发明专利]晶片转移方法及封装结构-CN202310254081.7在审
  • 胡小波;张晓军;姜鹭;陈志强;方安安;杨登亮 - 深圳市矩阵多元科技有限公司
  • 2023-03-09 - 2023-06-02 - H01L21/56
  • 本发明提供了一种晶片转移方法及封装结构,晶片转移方法包括以下步骤:在基板的安装面上设置粘接体和定位体;将晶片放置在定位体内,且使晶片的外边缘与导向面接触;使基板振动,从而使晶片沿导向面滑向预设位置;在基板的振动停止后,将晶片压在粘接体上。本发明的晶片转移方法,先通过粘接体外围的定位体对晶片进行一个初步的定位,然后通过基板的振动对晶片的位置进行矫正,在矫正之后再将晶片和基板通过粘接体牢固地粘接在一起;该方法能够提高晶片的位置准确性,从而提高半导体封装结构的良品率。
  • 晶片转移方法封装结构
  • [发明专利]封装结构制造方法及封装结构-CN202310216520.5在审
  • 胡小波;张晓军;姜鹭;陈志强;方安安;杨登亮 - 深圳市矩阵多元科技有限公司
  • 2023-02-28 - 2023-05-16 - H01L21/56
  • 本发明公开了一种封装结构制造方法及封装结构,其中封装结构制造方法在承载基板上设置氢化非晶硅层和可溶粘接层,封装步骤完成后,先使用激光照射氢化非晶硅层,使氢化非晶硅层中键能较弱的Si‑H键吸收能量发生断裂,大量游离氢溢出,产生氢爆现象,从而在氢化非晶硅层和可溶粘接层之间形成大量空隙,而后使用剥离液浸泡封装单元,剥离液能够进入氢化非晶硅层和可溶粘接层之间的空隙中,剥离液与可溶粘接层的接触面积变大,因此可溶粘接层能够更快地溶解在剥离液中,使封装结构与承载基板更快地分离,从而能够提高生产效率。
  • 封装结构制造方法

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