专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种轴类产品检测装置-CN202320810022.9有效
  • 姜清华 - 日盟精密机械(大连)有限公司
  • 2023-04-13 - 2023-10-17 - G01B5/14
  • 本实用新型提供一种轴类产品检测装置,包括底座,所述底座上面的竖直方向上固定有支撑杆,所述支撑杆上固定有套筒;所述套筒的顶壁上设有通孔,所述套筒内装有纵截面呈倒置的T字形的阶梯状活塞;所述活塞的底面上设置有一个向下方延伸的活塞杆;所述套筒的底端装有底盖,所述底盖的中间设有供活塞杆穿过的孔,所述底盖和活塞之间装有压缩后会产生弹力的弹性部件;所述套筒下部的支撑杆的杆体上固定装有千分表。本实用新型结构简单、易操作,对检查人员的技术水平要求低,简单培训即可。
  • 一种类产品检测装置
  • [发明专利]掩膜版图的形成方法、存储介质及终端-CN202310874635.3在审
  • 丁帼君;李新宇;赵亚楠;姜清华 - 常州承芯半导体有限公司
  • 2023-07-14 - 2023-10-10 - G03F1/38
  • 一种掩膜版图的形成方法、存储介质及终端,其中形成方法包括:建立直径尺寸为的晶圆图形;调入基础曝光区域图形;获取基础曝光区域图形的宽度尺寸和长度尺寸;根据晶圆图形的直径尺寸、基础曝光区域图形的宽度尺寸和长度尺寸,获取掩膜版图沿第一方向和第二方向所需的基础曝光区域图形的第一数量和第二数量;将基础曝光区域图形沿第一方向进行第一数量、以及沿第二方向进行第二数量的阵列处理,形成掩膜版图。通过自动化的建立晶圆圆形、以及自动化的计算出第一数量和第二数量,能够有效解决手动绘制圆形过程中所带来的繁琐性问题,而且还能够有效避免人为计算出现的错误,有效提高掩膜版图的设计效率和准确性。
  • 版图形成方法存储介质终端
  • [发明专利]掩膜版及晶圆的曝光方法-CN202310872604.4在审
  • 姜清华;高谷信一郎;李新宇;丁帼君 - 常州承芯半导体有限公司
  • 2023-07-14 - 2023-10-10 - G03F1/38
  • 一种掩膜版及晶圆的曝光方法,其中曝光方法包括:提供晶圆,所述晶圆对应有若干曝光区域;提供原始掩膜版,所述原始掩膜版包括公共区、增补区和监控区,所述监控区的掩膜图形用于在所述晶圆中形成工艺控制监控的结构;对各个所述曝光区域进行逐次曝光处理,且在曝光处理过程中,部分所述曝光区域基于所述监控区进行曝光处理。在曝光过程中,通过在部分所述曝光区域基于所述监控区进行曝光处理,以减少在所述晶圆中形成工艺控制监控的结构的数量,进而减少占用形成实际出货芯片的区域,以增加所述晶圆的芯片产出数量。
  • 掩膜版曝光方法
  • [发明专利]对位标识的对位坐标获取方法、存储介质及终端-CN202310679479.5在审
  • 李新宇;丁帼君;赵亚楠;姜清华 - 常州承芯半导体有限公司
  • 2023-06-07 - 2023-09-29 - G03F9/00
  • 一种对位标识的对位坐标获取方法、存储介质及终端,其中对位标识的对位坐标获取方法包括:提供顶层版图;从所述顶层版图中确定对位标识图形,并通过选取边框将所述对位标识图形进行框选;获取所述选取边框的若干边框节点坐标;定义若干坐标变量,并将所述选取边框中每个所述边框节点坐标的横坐标和纵坐标的值赋予对应的所述坐标变量;根据若干所述坐标参量获取所述对位标识图形的对位坐标。通过自动化的获取所述顶层版图中所述对位标识图形的所述对位坐标,能够解决手动提取所述对位坐标所带来的偏差和繁琐性问题,能够有效提高获取所述对位坐标的准确性和效率。
  • 对位标识坐标获取方法存储介质终端
  • [发明专利]异质结双极型晶体管及异质结双极型晶体管的形成方法-CN202310885002.2在审
  • 姜清华;赵亚楠;丁帼君;吴炫聪 - 常州承芯半导体有限公司
  • 2023-07-18 - 2023-09-29 - H01L23/48
  • 一种异质结双极型晶体管及其形成方法,结构包括:衬底,在第一方向上依次包括第一区、第二区和第三区,所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间,所述第一方向平行于衬底表面;位于所述衬底上的集电层;位于所述第一区和第二区的集电层上的基层;位于所述第一区的基层上的发射层;位于所述衬底上的导电结构,所述导电结构包括第一导电层、第二导电层及第三导电层,所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层的结构及厚度相同;所述第三导电层位于所述第三区,与所述集电层电性连接;所述第二导电层位于所述第二区,与所述基层电性连接;所述第一导电层位于所述第一区,与所述发射层电性连接。所述结构的形成过程使用的光罩数量减少。
  • 异质结双极型晶体管形成方法
  • [发明专利]一种具有可折叠翼机构的水下潜航器-CN202310712782.0有效
  • 陈云赛;张栋;李志彤;姜清华;刘增凯;黄心成;代昕伯 - 青岛哈尔滨工程大学创新发展中心
  • 2023-06-16 - 2023-09-19 - B63G8/14
  • 本发明公开了一种具有可折叠翼机构的水下潜航器,涉及水下舰艇技术领域。所述水下潜航器包括潜航器本体与可折叠翼机构,所述潜航器本体包括壳体、电池、控制模块以及姿态调节装置,所述可折叠翼机构位于潜航器本体外,并分别与电池以及控制模块连接,所述可折叠翼机构包括翼板与收放机构,所述翼板包括太阳能翼板,相邻的所述太阳能翼板相互铰接并形成折痕,所述收放机构通过若干铰接杆与所述翼板的折痕处铰接,可带动所述翼板沿折痕进行折叠或伸展的姿态变换。本发明通过可折叠翼机构与姿态调节装置相配合,潜航器可在水下进行大倾角复合姿态调整,并且通过翼板不同的姿态变换,灵活改变工作模式,实现对海洋进行多维度的连续统一观测。
  • 一种具有可折叠机构水下潜航
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310642426.6在审
  • 姜清华;高谷信一郎;邹道华;赵亚楠 - 常州承芯半导体有限公司
  • 2023-05-31 - 2023-09-05 - H01L29/737
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中结构包括:衬底,所述衬底具有相对的第一侧和第二侧;位于所述衬底的第一侧的异质结双极晶体管,所述异质结双极晶体管包括:第一集电层、位于所述第一集电层上的第一基层和第一集电极、位于所述第一基层上的第一基电极和发射层、以及位于所述发射层上的发射电极;位于所述衬底的第二侧的若干无源器件。通过将所述异质结双极晶体管和若干所述无源器件分别位于所述衬底相对两侧,能够有效减少整体结构所占用的面积,进而有效提升器件结构的集成度。另外,还可以有效减少形成在所述异质结双极晶体管上的叠层,有利于所述异质结双极晶体管的散热,提高所述异质结双极晶体管的增益,进而提高器件结构的性能。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]一种水下潜航器及其控制方法-CN202310693542.0有效
  • 陈云赛;张栋;李志彤;姜清华;刘增凯;黄心成;代昕伯 - 青岛哈尔滨工程大学创新发展中心
  • 2023-06-13 - 2023-09-05 - B63G8/14
  • 本发明公开了一种水下潜航器及其控制方法,涉及水下舰艇技术领域。所述潜航器包括可折叠翼机构、俯仰姿态调节机构、横滚姿态调节机构、浮力驱动调节机构、尾部推进器以及控制模块。所述可折叠翼机构呈伞状,包括若干太阳能翼板,所述潜航器通过所述控制模块控制所述可折叠翼机构进行折叠或伸展的不同姿态变换可形成三种工作模式,分别为水面漂航工作模式、水下滑翔工作模式以及悬停驻留工作模式。本发明中潜航器通过改变可折叠翼机构的张角大小,进行姿态变换,并与俯仰姿态调节机构、横滚姿态调节机构以及浮力驱动调节机构相配合,实现多种工作模式的组合与切换,提高了对海洋的观测范围与观测维度。
  • 一种水下潜航及其控制方法
  • [发明专利]一种可驻底的水下潜航器及其控制方法-CN202310706570.1有效
  • 陈云赛;张栋;姜清华;刘增凯;李志彤;蔡世杰;黄心成;代昕伯 - 青岛哈尔滨工程大学创新发展中心
  • 2023-06-15 - 2023-09-05 - B63G8/14
  • 本发明公开了一种可驻底的水下潜航器及其控制方法,涉及水下舰艇技术领域。所述水下潜航器包括潜航器本体、可折叠翼机构、姿态调节装置、尾部推进器、应急抛载系统、电池以及控制模块,所述可折叠翼机构分别与电池以及控制模块连接,所述可折叠翼机构包括可折叠翼与收放机构,所述可折叠翼包括支撑足、辅助推进器以及若干翼板,相邻的所述翼板之间相互铰接并形成若干折痕,所述收放机构通过若干铰接杆与所述可折叠翼的折痕铰接,可使得所述可折叠翼沿折痕朝所述潜航器本体的艏部方向折叠来进行驻底。本发明通过将可折叠翼朝艏部方向折叠来进行驻底,防止潜航器在海底暗流的作用下发生翻滚,并利用支撑足提高稳定性,避免潜航器倾覆或沉陷。
  • 一种可驻底水下潜航及其控制方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310575750.0在审
  • 姜清华;高谷信一郎;李新宇;叶鹏辉 - 常州承芯半导体有限公司
  • 2023-05-19 - 2023-08-29 - H01L27/07
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中半导体结构包括:晶体管结构,晶体管结构包括衬底、位于衬底上的集电层、基层、发射层、集电极、基电极和发射电极;第一电阻层,与集电层电连接;第二电阻层,与发射层电连接;电容结构,与基层电连接;热敏电阻层,具有正温度系数,与基电极电连接。热敏电阻层在感应到发热量后增大自身阻值,从而减小输入到基层上的电流IB。由于晶体管的放大倍数β会随着温度提升而增大,而输入至晶体管的电流IB随着温度的提升而减小,二者的乘积可以稳定晶体管的输出电流IC。通过在电路结构中增设热敏电阻层,无需采用复杂的自适应偏置电路结构调节输入电流IB,有效降低芯片的面积,提高器件结构的集成度。
  • 半导体结构及其形成方法

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