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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]可动态地调整面板温度的离子源及其设备-CN201880079272.1有效
发明人：艾力克斯恩德·S·培尔;大卫·P·斯波德莱;亚当·M·麦劳克林;奎格·R·钱尼;奈尔·J·巴森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：公开一种可动态地调整面板温度的离子源及其设备。本发明公开一种用于使离子源的面板的温度变化的系统及方法。所述面板是通过多个紧固件而被抵靠离子源的腔室壁进行固持。这些紧固件可包括拉伸弹簧或压缩弹簧。通过改变拉伸弹簧或压缩弹簧在承受载荷时的长度，可增大弹簧的弹簧力。弹簧力的此种增大会增大面板与腔室壁之间的压缩力，从而形成改善的导热性。在某些实施例中，通过电子长度调整器来调节弹簧的长度。此电子长度调整器与控制器进行通信，所述控制器输出指示弹簧的所需长度的电信号。本发明公开用于调整弹簧的长度的各种机构。
动态调整面板温度离子源及其设备

[发明专利]间接加热式阴极离子源及与其一起使用的装置-CN201680079582.4有效
发明人：奎格·R·钱尼;奈尔·J·巴森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01J37/16 文献下载
摘要：本发明提供一种间接加热式阴极离子源及与其一起使用的装置。间接加热式阴极(IHC)离子源包括具有位于相对的两个端部上的阴极及斥拒极的离子源室。离子源室由具有非常低的导电率的陶瓷材料构造而成。导电衬垫可被插入至离子源室中且可覆盖离子源室的三个侧。衬垫可电连接至含有提取孔的面板。阴极与斥拒极的电连接穿过陶瓷材料中的孔。这样一来，由于不存在起弧的风险，因此，孔可尽可能地被制作成比原本小。在某些实施例中，电连接被模制至离子源室中或被压配合于孔中。此外，用于离子源室的陶瓷材料更耐用且向所提取离子束引入的污染物更少。
间接加热阴极离子源与其一起使用装置

[发明专利]离子源温度控制装置-CN201580043549.1有效
发明人：奎格·R·钱尼;威廉·戴维斯·李;奈尔·J·巴森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于控制离子源的温度的离子源温度控制装置。离子源包含多个壁，所述多个壁界定离子在其中生成的腔室。为了控制离子源的温度，一个或多个可移动挡热板安置到腔室外部。可移动挡热板由设计为将热量反射回到离子源的高温和/或耐火材料制成。在第一位置时，这些可移动挡热板经安置以将第一量的热量反射回到离子源。在第二位置时，这些可移动挡热板经安置以将较少的第二量的热量反射回到离子源。在一些实施例中，可移动挡热板可以安置在位于第一位置与第二位置之间的一个或多个中间位置中。
离子源动态温度控制装置

[发明专利]离子源及清洗离子源的方法-CN201380049448.6有效
发明人：彼得·F·库鲁尼西;奈尔·J·巴森;威尔汉·J·普拉托 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明揭示一种离子源及一种清洗离子源的方法。此离子源包括离子源腔室、抑制电极以及接地电极。在处理模式中，离子源腔室可被施加以第一正电压，而抑制电极被施加以负电压，以便透过孔从离子源腔室内吸引正离子，且使之朝向工件。在清洗模式中，离子源腔室可接地，而抑制电极被具有高电流能力的电源供应器施加以偏压。施加在抑制电极上的电压在抑制电极与离子源腔室之间以及抑制电极与接地电极之间产生等离子体。本发明能够改善离子源的效能及延长其寿命。
离子源清洗方法

[发明专利]离子源清净终点侦测-CN201080027722.6有效
发明人：威尔汉·P·普拉托;奈尔·J·巴森;彼得·F·库鲁尼西;艾力克斯恩德·S·培尔;奎格·R·钱尼 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2010-06-22 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：在离子植入机中，利用法拉第杯来接收在离子源清净期间产生的离子束。所侦测的束具有指示离子源清净过程何时完成的相关联的质谱。所述质谱产生由清净剂及包括所述离子源的材料组成的信号。此信号在所述离子源腔室正被清净时随时间而升高，且一旦沉积物被自所述源腔室蚀刻掉，此信号便将变平并保持恒定，藉此利用现有植入工具来在离子源清净期间判定终点侦测。
离子源清净终点侦测

[发明专利]离子植入控制的激发气体注入-CN200980148112.9有效
发明人：具本雄;维克多·M·本夫尼斯特;克里斯多福·A·罗兰德;奎格·R·钱尼;法兰克·辛克莱;奈尔·J·巴森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2009-12-03 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：一种利用受激及/或原子气体注入的离子源。在离子束应用中，可直接使用来源气体，如同已知的供应。另一方面或除此之外，来源气体可在引导至离子源处理室之前藉由通过远端等离子源予以变换。这可用以产生受激中性粒子、重离子、亚稳态分子或多价离子。在另一实施例中，使用多样的气体，其中一种或多种气体通过远端等离子产生器。在某些实施例中，气体在供应给离子源处理室之前于单一等离子产生器中予以组合。在等离子浸没应用中，等离子经由一个或多个额外的气体注入位置注入处理室。这些注入位置容许流入处理室外部的远端等离子源所产生的额外的等离子。
离子植入控制激发气体注入

[发明专利]具有电子生成与聚焦沟的阴极、离子源及其方法-CN200880021715.8有效
发明人： 奈尔·J·巴森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2008-06-09 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：揭示一种用于离子注入器系统的离子源的具有电子生成与聚焦沟的阴极、离子源及其方法。在一个实施例中，所述阴极包括工作表面，所述工作表面中定位有多个电子生成与聚焦沟。所述离子源的反射极可以类似方式构造。
具有电子生成聚焦阴极离子源及其方法

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