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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]硅晶圆的蚀刻方法-CN202180034174.8在审
发明人： 大西邦明 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明是一种硅晶圆的蚀刻方法，其包含旋转蚀刻工序，所述旋转蚀刻工序一边通过供给喷嘴对硅晶圆的表面或背面供给酸蚀刻液，一边使所述硅晶圆旋转，从而使所述酸蚀刻液的供给范围扩大至所述硅晶圆的表面或背面的整面以进行酸蚀刻，在开始硅晶圆的旋转之前，向从供给喷嘴供给的酸蚀刻液在供给喷嘴的正下方与所述硅晶圆的表面碰撞的碰撞喷流区域内滴加至少含有氢氟酸和硝酸的混合酸，用所述混合酸覆盖所述碰撞喷流区域后，开始所述硅晶圆的旋转，以进行所述旋转蚀刻工序。由此，可提供一种硅晶圆的蚀刻方法，其于旋转蚀刻方式的蚀刻中，可加快碰撞喷流区域中的蚀刻速度。
硅晶圆蚀刻方法

[发明专利]硅晶圆的蚀刻方法及蚀刻装置-CN202180030950.7在审
发明人： 大西邦明 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明是一种硅晶圆的蚀刻方法，包括：旋转蚀刻工序，通过供给喷嘴向硅晶圆的正面或背面、或两面供给酸蚀刻液，使所述硅晶圆旋转，将所述酸蚀刻液的供给范围扩大至所述硅晶圆整面而进行酸蚀刻，其特征在于，在所述旋转蚀刻工序中，将所述硅晶圆的中心轴从保持所述硅晶圆的台的旋转轴错开15mm以上设置而进行蚀刻。由此，本发明的目的在于提供一种能够改善蚀刻加工余量的硅晶圆的蚀刻方法及蚀刻装置。
硅晶圆蚀刻方法装置

[发明专利]硅晶圆的蚀刻方法及蚀刻装置-CN202080023241.1在审
发明人： 大西邦明 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种硅晶圆的蚀刻方法，其特征在于，包含旋转蚀刻工序，在该旋转蚀刻工序中，一边使酸蚀刻液通过供给喷嘴而供给至硅晶圆的表面和/或背面，一边使硅晶圆旋转从而将酸蚀刻液的供给范围扩大至整面而进行酸蚀刻，通过重复进行旋转蚀刻工序，从而进行多个硅晶圆的连续加工，该方法还包含以下工序：回收工序，在连续加工中，将使用过的酸蚀刻液加以回收，并使其返回至蚀刻液槽而再次用作酸蚀刻液；以及排液/供液工序，将回收后的酸蚀刻液排出预定量，再供给预定量的新的该酸蚀刻液，将排液/供液工序后的酸蚀刻液用于旋转蚀刻工序。
硅晶圆蚀刻方法装置

[发明专利]晶片的倒角加工方法-CN201080012079.X有效
发明人：石政幸男;片山一郎;加藤忠弘;大西邦明 -专利权人：日商·大都电子股份有限公司;信越半导体株式会社
申请日： 2010-03-30 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： B24B9/00 文献下载
摘要：在以往的晶片倒角加工中，虽然晶片周的倒角形状(截面形状)均匀，但在晶片制造的倒角工序处理中，均匀的倒角形状随圆周位置而产生了变化，所以，本发明提供一种对晶片制造的倒角工序处理中的变形进行了估计的晶片倒角加工方法。本发明的晶片的倒角加工方法使无槽砂轮接触在晶片的边缘(周端部)而对晶片进行倒角；其特征在于：将使上述晶片与砂轮在Z轴及Y轴方向上相对移动而在晶片整周形成相同的截面形状的移动轨迹作为基准，为了相应于晶片旋转角度位置在Z轴或Y轴中的至少一轴方向上使晶片与砂轮的相对位置从上述基准轨迹位置变动地进行加工动作，使用压电致动器，相应于晶片的旋转角度位置形成不同的截面形状。
晶片倒角加工方法

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