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[发明专利]保护罩构件及构件供给用片-CN202180008951.1在审
发明人：木上裕贵;大西谦司 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C09J7/38 文献下载
摘要：提供的保护罩构件为配置于具备具有开口的面的对象物的该面的保护罩构件，所述保护罩构件由层叠体构成，所述层叠体包含保护膜和粘合剂层，所述保护膜具有在上述构件被配置于上述面时覆盖上述开口的形状。粘合剂层具备包含热固化性树脂组合物的热固化性粘合层。热固化性树脂组合物的储能模量在130～170℃下为1×105Pa以上。上述保护罩构件即使在回流焊等高温处理中，也适于抑制变形和/或自配置面的剥离。
护罩构件供给

[发明专利]芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜、半导体装置、以及半导体装置的制造方法-CN201510147698.4有效
发明人： 大西谦司;三隅贞仁;村田修平;宍户雄一郎;木村雄大 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明提供芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜、半导体装置、以及半导体装置的制造方法。所述芯片接合薄膜在通过对半导体晶圆中的预分割线照射激光而形成改性区域，从而使半导体晶圆处于可沿预分割线容易地分割的状态后，通过施加拉伸张力来分割半导体晶圆而得到半导体芯片时，在预分割线以外的部位，可抑制半导体晶圆中产生裂纹、破损。所述芯片接合薄膜在波长1065nm下的透光率为80％以上。
芯片接合薄膜切割半导体装置以及制造方法

[发明专利]切割芯片接合薄膜-CN201810339937.X有效
发明人：木村雄大;高本尚英;大西谦司;宍户雄一郎;福井章洋;大和道子;井上真一 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C09J7/24 文献下载
摘要：提供一种切割芯片接合薄膜，其在为了得到带有粘接剂层的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜的扩展工序中可良好地割断切割带上的粘接剂层，并且对于割断后的带有粘接剂层的半导体芯片能够实现良好拾取。一种切割芯片接合薄膜，其包含：切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和粘接剂层，其与前述切割带中的前述粘合剂层可剥离地密合，前述粘合剂层表面在温度23℃、频率100Hz的条件下利用纳米压痕法压入500nm时的弹性模量为0.1～20MPa。
切割芯片接合薄膜

[发明专利]切割芯片接合薄膜-CN201810345577.4有效
发明人：木村雄大;高本尚英;大西谦司;宍户雄一郎;福井章洋;大和道子;井上真一 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C09J7/24 文献下载
摘要：本发明提供适合于实现带有粘接剂层的半导体芯片自切割带的良好的拾取的切割芯片接合薄膜。本发明的切割芯片接合薄膜(X)具备切割带(10)及粘接剂层(20)。切割带(10)具有包含基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构。粘接剂层(20)与粘合剂层(12)可剥离地密合。用于形成粘合剂层(12)与粘接剂层(20)的界面的、粘合剂层(12)的表面(12a)及粘接剂层(20)的表面(20b)能够产生3.5mJ/m2以上的表面自由能差。
切割芯片接合薄膜

[发明专利]切割芯片接合薄膜-CN201811624812.8有效
发明人：木村雄大;高木尚英;大西谦司;宍户雄一郎;大和道子 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C09J7/24 文献下载
摘要：本发明提供一种切割芯片接合薄膜，本发明的切割芯片接合薄膜(X)具备切割胶带(10)、粘合粘接剂层(20)和隔膜(S)。切割胶带(10)具有基材(11)和该基材上的粘合剂层(12)。粘合粘接剂层(20)以能够剥离的方式密合于切割胶带(10)的粘合剂层(12)。隔膜(S)配置在粘合粘接剂层(20)上，且能够从粘合粘接剂层(20)剥离。粘合粘接剂层(20)的隔膜侧表面的表面自由能γs1为28～40mJ/m2。隔膜(S)的粘合粘接剂层侧表面的表面自由能γs2为14～35mJ/m2。两表面自由能之差γs1‑γs2为0～19mJ/m2。
切割芯片接合薄膜

[发明专利]切割芯片接合薄膜-CN201810482239.5有效
发明人： 大西谦司;宍户雄一郎;木村雄大;福井章洋;杉村敏正 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C09J7/25 文献下载
摘要：提供一种切割芯片接合薄膜，其中，芯片接合薄膜的拾取适宜性和芯片接合适宜性优异、并且在常温扩展时和其之后在芯片接合薄膜和粘合剂层之间不易发生浮起。一种切割芯片接合薄膜，其包含：切割带，其具有基材和层叠于前述基材上的粘合剂层；和芯片接合薄膜，其层叠于前述切割带中的前述粘合剂层上，前述芯片接合薄膜在频率10Hz的条件下测定的25℃下的储能模量E’为3～5GPa。
切割芯片接合薄膜

[发明专利]粘接薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法和半导体装置-CN201711277104.7有效
发明人：宍户雄一郎;高本尚英;大西谦司;木村雄大;福井章洋 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C09J7/10 文献下载
摘要：本发明涉及粘接薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法和半导体装置。提供一种粘接薄膜及其用途，所述粘接薄膜能够成品率良好地制造消灭了空隙且抑制了粘接薄膜的过度突出的高品质的半导体装置。一种粘接薄膜，其是用于将固定于被粘物上的第1半导体元件包埋、且将与该第1半导体元件不同的第2半导体元件固定于被粘物的粘接薄膜，其含有热塑性树脂、热固性树脂和无机填充剂，无机填充剂的含量在总固态成分中为30重量％以上且50重量％以下，热塑性树脂的含量在总固态成分中为10重量％以上且25重量％以下，热固化前的在120℃下的粘度为1300Pa·s以上且4500Pa·s以下。
薄膜切割芯片接合半导体装置制造方法

[发明专利]粘接片-CN202110649433.X在审
发明人： 大西谦司;木村雄大;宍户雄一郎;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明为粘接片，其具备具有有机成分的树脂组合物，前述有机成分具有热固化性树脂，前述热固化性树脂包含具有环氧基的丙烯酸类树脂，该有机成分包含前述丙烯酸类树脂90～100质量％。
粘接片

[发明专利]粘接片-CN202110641177.X在审
发明人： 大西谦司;木村雄大;宍户雄一郎;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C09J7/10 文献下载
摘要：本发明为粘接片，其具备树脂组合物，前述树脂组合物具有热固化性树脂，热固化后的前述树脂组合物的厚度20μm的片的平行光线透过率在波长350nm的光下为80％以上。
粘接片

[发明专利]芯片接合薄膜及切割芯片接合薄膜-CN202110553596.8在审
发明人：畠山义治;大西谦司;吉田直子;木村雄大 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C09J7/10 文献下载
摘要：提供芯片接合薄膜及切割芯片接合薄膜。本发明的芯片接合薄膜含有丙烯酸类树脂、酚醛树脂及填料，前述填料的比表面积为5m2/g以上且100m2/g以下，前述填料相对于前述丙烯酸类树脂的含有质量比大于0且为1.50以下。
芯片接合薄膜切割

[发明专利]粘接片、带切割片的粘接片、层叠片以及半导体装置的制造方法-CN201510812627.1有效
发明人： 大西谦司;木村雄大;宍户雄一郎;三隅贞仁 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C09J4/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够降低半导体芯片的振动且能够减少芯片破裂、焊线与焊盘的接合不良的粘接片等。本发明涉及一种粘接片，其130℃的拉伸储存弹性模量为1MPa～20MPa，130℃的tanδ为0.1～0.3。
粘接片切割层叠以及半导体装置制造方法

[发明专利]切割芯片接合薄膜-CN202110382887.5在审
发明人：福井章洋;大西谦司;木村雄大;田中俊平 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明的切割芯片接合薄膜具备：在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、和在前述切割带的粘合剂层上层叠的芯片接合层，前述粘合剂层包含光聚合引发剂，在对固化前的前述粘合剂层进行GPC测定而得到的分子量分布曲线中，在最高分子量侧出现的峰的重均分子量Mw相对于在最高分子量侧出现的峰的数均分子量Mn的比、即多分散度Mw/Mn为1.3以上。
切割芯片接合薄膜

[发明专利]芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法-CN201710392803.X有效
发明人：福井章洋;大西谦司;宍户雄一郎;木村雄大;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明提供芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法，所述芯片接合薄膜能对不进行热固化的芯片接合薄膜良好地进行引线键合。一种芯片接合薄膜，其含有平均粒径为5nm～100nm的范围内的填料、热塑性树脂以及酚醛树脂，热固化前在150℃下的拉伸储能模量为大于0.3MPa且30MPa以下。
芯片接合薄膜切割半导体装置制造方法

[发明专利]切割带一体型粘接片-CN201710916050.8有效
发明人：福井章洋;大西谦司;宍户雄一郎;木村雄大;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：提供在隐形切割时能够牢固地固定半导体晶圆、且在拾取时能容易地剥离半导体芯片的切割片一体型粘接薄膜。一种切割片一体型粘接薄膜，其特征在于，具备：具有基材和粘合剂层的切割片、以及设置于粘合剂层上的粘接剂层，粘合剂层包含下述丙烯酸类聚合物A和发泡剂，粘接剂层包含热塑性树脂，热塑性树脂的含量相对于粘接剂层的树脂成分整体在40重量％～95重量％的范围内。丙烯酸类聚合物A：由以50重量％以下的范围内含有CH2＝CHCOOR1(式中，R1是碳数为6～10的烷基)所示的丙烯酸酯的单体组合物得到的丙烯酸类聚合物。
切割体型粘接片

[发明专利]切割片、切割·芯片接合薄膜以及半导体装置的制造方法-CN201580067732.5有效
发明人：宍户雄一郎;三隅贞仁;大西谦司;柳雄一朗 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种切割片及切割·芯片接合薄膜，其能够去除切割片的松弛，可以防止半导体元件彼此接触。涉及一种切割片，其通过在100℃下加热1分钟而收缩，相对于加热前的MD方向的第1长度100％，加热后的MD方向的第2长度为95％以下。切割片具备基材和配置在基材上的粘合剂层。切割·芯片接合薄膜具备切割片和配置在粘合剂层上的粘接剂层。
切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法