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[发明专利]半导体器件-CN201410042887.0有效
发明人： 大田一树;安藤裕二 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-01-29 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件。包括具有沟道层、电子供应层、源电极和漏电极的高电子迁移率晶体管，使得具有：帽层，其形成于在源电极和漏电极之间的电子供应层上，并且具有倾斜的侧表面；绝缘膜，其在帽层的上表面上具有开口部，并且覆盖其侧表面；以及，栅电极，其形成在开口部中，并且经由绝缘膜在漏电极侧的帽层的侧表面上面延伸。在漏电极侧具有突出部的栅电极可以减小峰值电场。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN201280041237.3有效
发明人： 大田一树 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，能够抑制通过向栅极电极附近的半导体层表面注入载流子而产生的场效应晶体管的沟道狭窄。半导体装置具有：场效应晶体管，具有与半导体层连接的源极电极及漏极电极、栅极电极和场板电极，该栅极电极设置于源极电极和漏极电极之间的半导体层的表面上，该场板电极通过绝缘层设置于栅极电极附近的半导体层的表面上，该场效应晶体管将输入到栅极电极的高频信号放大，并从漏极电极进行输出；以及分压电路，对漏极电极与基准电位GND的电位差进行分压，以使场板电极的各部位达到彼此相等的电位的方式施加偏置电压，根据施加给场板电极的偏置电压抑制沟道狭窄。
半导体装置

[实用新型]半导体装置-CN201320232332.3有效
发明人：安藤裕二;大田一树 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-05-02 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体装置。在高电子移动度晶体管中，能够在维持着常关动作的情况下充分降低接通电阻，由此，能够实现包含高电子移动度晶体管的半导体装置的性能提升。在信道层(CH1)和电子供给层(ES1)之间，设置带隙比电子供给层(ES1)的带隙大的隔离层(SP1)。由此，因隔离层(SP1)的带隙较大而在信道层(CH1)和电子供给层(ES1)的界面附近形成高势垒(电子势垒)。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201310158513.0有效
发明人：安藤裕二;大田一树 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-05-02 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在高电子移动度晶体管中，能够在维持着常关动作的情况下充分降低接通电阻，由此，能够实现包含高电子移动度晶体管的半导体装置的性能提升。在信道层(CH1)和电子供给层(ES1)之间，设置带隙比电子供给层(ES1)的带隙大的隔离层(SP1)。由此，因隔离层(SP1)的带隙较大而在信道层(CH1)和电子供给层(ES1)的界面附近形成高势垒(电子势垒)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]双极晶体管-CN200980150271.2有效
发明人：安藤裕二;宫本广信;中山达峰;冈本康宏;井上隆;大田一树 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2009-10-16 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种双极晶体管，包括衬底、集电极层、具有p导电型的基极层和具有n导电型的发射极层。所述集电极层形成在所述衬底上，并且包括第一氮化物半导体。具有p导电型的基极层形成在集电极层上，并且包括第二氮化物半导体。具有n导电型的发射极层形成在基极层上，并且包括第三氮化物半导体。集电极层、基极层和发射极层形成为相对于衬底的表面的晶体生长方向与衬底的[0001]方向平行。第一氮化物半导体包括InycAlxcGa1-xc-ycN，其中0≤xc≤1，0≤yc≤1，0＜xc+yc≤1。在第一氮化物半导体中，在表面侧上的a轴的长度比在衬底侧上的a轴的长度长。
双极晶体管

[发明专利]双极晶体管-CN200980150272.7有效
发明人：安藤裕二;宫本广信;中山达峰;冈本康宏;井上隆;大田一树 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2009-10-16 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种双极晶体管，具有发射极层、基极层和集电极层。发射极层形成在衬底上，并且是包括第一氮化物半导体的n型导电层。基极层形成在发射极层上，并且是包括第二氮化物半导体的p型导电层。集电极层形成在基极层上，并且包括第三氮化物半导体。集电极层、基极层和发射极层形成为相对于衬底表面的晶体生长方向与[000-1]的衬底方向平行。第三氮化物半导体包括InycAlxcGa1-xc-ycN(0≤xc≤1，0≤yc≤1，0＜xc+yc≤1)。第三氮化物半导体的在表面侧上的a轴长度比在衬底侧上的a轴长度短。
双极晶体管

[发明专利]场效应晶体管-CN201010504353.7无效
发明人：宫本广信;安藤裕二;冈本康宏;中山达峰;井上隆;大田一树;分岛彰男;笠原健资;村濑康裕;松永高治;山之口胜己;岛胁秀德 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2006-06-12 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本发明提供了一种场效应晶体管。所述场效应晶体管在高压操作以及高频特性方面表现出良好性能。在包括第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)的场效应晶体管(100)中，第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅极长度方向上的截面图上，当将其中第二场极板电极(118)与包括第一场极板电极(116)和栅电极(113)的结构的上部交叠的交叠区域的在栅极长度方向上的长度指定为Lol，和将栅极长度指定为Lg时，满足表示为0≤Lol/Lg≤1的关系。
场效应晶体管

[发明专利]半导体器件-CN200980108747.6有效
发明人：安藤裕二;冈本康宏;大田一树;井上隆;中山达峰;宫本广信 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2009-03-12 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，其在降低了栅泄漏电流的同时，具有高电子迁移率和具有阈值电压的优良均匀性和再现性，并且还能够应用到增强模式型。该半导体器件顺序层压由晶格驰豫的AlxGa1-xN(0≤x≤1)构成的下部势垒层、由具有压应变的InyGa1-yN(0≤y≤1)构成的沟道层和由AlzGa1-zN(0≤z≤1)构成的接触层，并且在所述InyGa1-yN沟道层与所述AlzGa1-zN接触层的界面附近，产生二维电子气。AlzGa1-zN接触层的一部分形成为栅电极嵌入在凹陷部中，并且插有绝缘膜，其中通过蚀刻所述AlzGa1-zN接触层而去除所述AlzGa1-zN接触层中的一部分直到暴露所述InyGa1-yN沟道层，来形成所述凹陷部，以及在AlzGa1-zN接触层上形成欧姆电极。因此，获得了一种能够以增强模式进行操作的半导体器件，该半导体器件具有阈值电压的优良均匀性和再现性，同时保持低栅泄漏电流和高电子迁移率。
半导体器件

[发明专利]场效应晶体管-CN200780012035.5有效
发明人：安藤裕二;宫本广信;中山达峰;冈本康宏;井上隆;村濑康裕;大田一树;分岛彰男;黑田尚孝 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2007-03-29 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：公开了一种HJFET 110，其包括：由In_yGa_1-yN(0≤y≤1)构成的沟道层12；由Al_xGa_1-xN(0≤x≤1)构成的载流子供应层13，所述载流子供应层13提供在所述沟道层12上方并且包括至少一个p型层；以及源电极15S、漏电极15D和栅电极17，它们设置成通过所述p型层面向所述沟道层12，并提供在所述载流子供应层13上方。满足下面的关系表达式：5.6×10¹¹x＜N_A×η×t[cm^-2]＜5.6×10¹³x，其中x表示所述载流子供应层的Al组分比例，t表示所述p型层的厚度，N_A表示杂质浓度，以及η表示活化比率。
场效应晶体管

[发明专利]场效应晶体管-CN200780011908.0无效
发明人：中山达峰;安藤裕二;宫本广信;冈本康宏;井上隆;大田一树;村濑康裕;黑田尚孝 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2007-03-23 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：一种场效应晶体管(100)包括包含异质结的III-V族氮化物半导体层结构；彼此分离地形成在所述III-V族氮化物半导体层结构上的源电极(105)和漏电极(106)；栅电极(110)，其布置在所述源电极(105)和所述漏电极(106)之间；以及绝缘层(107)，其在所述栅电极(110)和所述漏电极(106)之间的区域内和在所述源电极(105)和所述栅电极(110)之间的区域内，通过与所述III-V族氮化物半导体层结构接触来布置。栅电极(110)的一部分掩埋在所述III-V族氮化物半导体层结构内，并且在所述III-V族氮化物半导体层与所述绝缘层(107)之间的界面的栅电极侧端与所述栅电极(110)隔离。
场效应晶体管

[发明专利]场效应晶体管和用于制备场效应晶体管的多层外延膜-CN200680053382.8有效
发明人：井上隆;中山达峰;安藤裕二;村濑康裕;大田一树;宫本广信;山之口胜己;黑田尚孝;分岛彰男;冈本康宏 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2006-10-25 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明提供一种第III族氮化物型场效应晶体管，该场效应晶体管通过在缓冲层中传导残余载流子而降低漏电流分量，并且实现了击穿电压的提高，且提高了沟道的载流子限制效应(载流子限制)以改善夹断特性(以抑制短沟道效应)。例如，在将本发明应用于GaN型场效应晶体管时，除了沟道层的GaN外，还将铝组分向顶部逐渐或阶梯式降低的组分-调制的(组分-梯度)AlGaN层用作缓冲层(异质缓冲)。对于将要制备的FET的栅极长度Lg，选择电子供应层和沟道层的层厚度之和a，以满足Lg/a≥5，并且在这样的情况下，在不超过在沟道层中室温下积累的二维电子气的德布罗意波长的5倍(约500)的范围内选择沟道层的层厚度。
场效应晶体管用于制备多层外延

[发明专利]场效应晶体管-CN200680047375.7无效
发明人：松永高治;大田一树;冈本康宏;中山达峰;分岛彰男;安藤裕二;宫本广信;井上隆;村濑康裕 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2006-12-12 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：一种半导体器件(100)，具有：未掺杂GaN沟道层(105)、与未掺杂GaN沟道层(105)接触的AlGaN电子施主层(106)、提供在AlGaN电子施主层(106)上的未掺杂GaN层(107)、提供在未掺杂GaN层(107)上并彼此间隔开的源电极(101)和漏电极(103)、提供在源电极(101)和漏电极(103)之间的区域中并穿透未掺杂GaN层(107)的凹槽(111)、埋入凹槽(111)并在其底部表面与AlGaN电子施主层(106)相接触的栅电极(102)、以及在栅电极(102)和漏电极(103)之间区域中提供在未掺杂GaN层(107)上的SiN膜(108)。
场效应晶体管

[发明专利]场效应晶体管-CN200680029192.2有效
发明人：宫本广信;安藤裕二;冈本康宏;中山达峰;井上隆;大田一树;分岛彰男;笠原健资;村濑康裕;松永高治;山之口胜己;岛胁秀德 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2006-06-12 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明提供了一种在高压操作以及高频特性方面表现出良好性能的场效应晶体管。在本发明中，在包括第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)的场效应晶体管(100)中，第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅极长度方向上的截面图上，当将其中第二场极板电极(118)与包括第一场极板电极(116)和栅电极(113)的结构的上部交叠的交叠区域的在栅极长度方向上的长度指定为Lo1，和将栅极长度指定为Lg时，满足表示为0≤Lo1/Lg≤1的关系。
场效应晶体管

[发明专利]场效应晶体管-CN200680029172.5无效
发明人：宫本广信;安藤裕二;冈本康宏;中山达峰;井上隆;大田一树;分岛彰男;笠原健资;村濑康裕;松永高治;山之口胜己;岛胁秀德 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2006-06-12 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明提供了一种在高压操作以及高频特性上显示出良好性能的场效应晶体管。在本发明中，场效应晶体管包括设置在由GaAs或InP制成的半导体衬底(110)上的由化合物半导体(111)制成的层结构，作为工作层，并采用第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)；第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅长方向上的截面图中，当将第二场极板电极(118)与由第一场极板电极(116)和栅电极(113)组成的结构的上部交叠的交叠区域的在栅长方向上的长度指定为Lo1，和将栅长指定为Lg时，满足0≤Lo1/Lg≤1的关系。
场效应晶体管

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