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[发明专利]复合带电粒子束装置和控制方法-CN202010064843.3有效
发明人：杉山安彦;广濑菜绪子;大庭弘 -专利权人：日本株式会社日立高新技术科学
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01J37/21 文献下载
摘要：本发明提供复合带电粒子束装置和控制方法，能够根据会聚离子束的期望的加速电压来设定会聚离子束的射束助推器的电压的值。复合带电粒子束装置具有：离子供给部，其供给离子束；加速电压施加部，其通过向离子供给部所供给的离子束施加加速电压，而使离子束加速；第1会聚部，其使离子束会聚；射束助推电压施加部，其向离子束施加射束助推电压；第2会聚部，其使离子束会聚而向试样照射；电子束照射部，其向试样照射电子束；以及控制部，其根据如下设定值设定射束助推电压施加部向离子束施加的射束助推电压的值，该设定值是根据加速电压施加部向离子束施加的加速电压的值和会聚后的离子束的焦距而预先确定的。
复合带电粒子束装置控制方法

[发明专利]会聚离子束加工装置-CN202110302101.4在审
发明人： 大庭弘;杉山安彦;中川良知;永原幸儿 -专利权人：日本株式会社日立高新技术科学
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01J37/09 文献下载
摘要：提供在利用会聚离子束进行截面加工时改善截面形状、并且提高作业效率的会聚离子束加工装置。会聚离子束加工装置(100)具有离子源(21)、保持试样(200)的试样载台(50)、会聚透镜(22)、具有一边(24t)呈直线状的狭缝(24s)的光圈(24)、以及配置于光圈与试样台之间的射束路径的投射透镜(28)，在试样加工出截面，当基于柯拉照明法会聚离子束(20A)聚焦于投射透镜的主平面时会聚透镜的施加电压是100时，将施加电压设定为小于100且为80以上，设定光圈的位置，以使所述光圈在如下状态下遮挡该会聚离子束，该状态是，所述光圈的所述一边距所述会聚离子束的中心的距离大于0μm且为500μm以下的状态，构成将狭缝的形状转印到试样的转印模式。
会聚离子束加工装置

[发明专利]带电粒子束装置-CN201910886762.9在审
发明人： 大庭弘;杉山安彦;大塚靖孝 -专利权人：日本株式会社日立高新技术科学
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供带电粒子束装置。简便地计算引出电压的设定值。带电粒子束装置具有：气体导入室，其被导入原料气体；等离子体生成室，其与气体导入室连接；线圈，其沿着等离子体生成室的外周卷绕，被施加高频电力；引出电极，其对从等离子体生成室的出口的等离子体开口流出的等离子体施加引出电压；电流测定部，其测定从等离子体开口引出的等离子体的等离子体电流的大小；引出电压计算部，其根据相对于引出电压的变化的由电流测定部测定的等离子体电流的大小的变化，计算引出电压的设定值即引出电压设定值；以及控制部，其根据引出电压计算部计算的引出电压设定值对引出电压进行控制。
带电粒子束装置

[发明专利]等离子体离子源以及带电粒子束装置-CN201610078272.2有效
发明人： 大庭弘;杉山安彦;冈部卫 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01J27/26 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体离子源以及带电粒子束装置。防止为了确保期望的冷却性而使等离子体离子源整体的大小増大。实施方式的等离子体离子源具备气体导入室、等离子体生成室、线圈、外壳和绝缘性液体。气体导入室导入原料气体。由电介质材料形成的等离子体生成室连接于气体导入室。线圈沿着等离子体生成室的外周卷绕，并且，被施加高频功率。外壳包围气体导入室、等离子体生成室和线圈。绝缘性液体被填充在气体导入室和等离子体生成室与外壳之间来浸渍线圈。绝缘性液体具有与外壳的绝缘耐压相比相对大的绝缘耐压和与等离子体生成室相同程度的介质损耗角正切。
等离子体离子源以及带电粒子束装置

[发明专利]等离子体离子源以及带电粒子束装置-CN201610078273.7有效
发明人： 大庭弘;杉山安彦;冈部卫 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体离子源以及带电粒子束装置。防止为了确保期望的绝缘性而使等离子体离子源整体的大小増大。实施方式的等离子体离子源（14a）具备气体导入室（33）、绝缘构件（38）、等离子体生成室（34）、线圈（39）以及末端电极（36）。气体导入室（33）导入原料气体。绝缘构件（38）被设置在气体导入室（33）的内部。等离子体生成室（34）连接于气体导入室（33）。线圈（39）沿着等离子体生成室（34）的外周卷绕，被施加高频功率。设置有多个贯通孔（36a）的末端电极（36）被配置在气体导入室（33）和等离子体生成室（34）的边界。贯通孔（36a）的大小被形成得比等离子体壳层长度小。
等离子体离子源以及带电粒子束装置

[发明专利]集束离子束装置-CN201610069206.9有效
发明人：八坂行人;小堺智一;松田修;杉山安彦;相田和男;荒卷文朗;大庭弘 -专利权人：日本株式会社日立高新技术科学
申请日： 2016-02-01 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明提供集束离子束装置，其搭载有能够使从更高亮度的气体电场电离离子源释放的离子沿着离子光学系统的光轴长时间稳定持续释放，且能够长时间形成集束离子束的气体电场电离离子源集。在搭载有具有释放离子的发射极的气体电场电离离子源的集束离子束装置中，发射极采取使尖锐化的铱和异类金属细线固定而成的形状。
集束离子束装置

[发明专利]修正装置-CN201410418547.3有效
发明人：荒卷文朗;八坂行人;松田修;杉山安彦;大庭弘;小堺智一;相田和男 -专利权人：日本株式会社日立高新技术科学
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01J37/21 文献下载
摘要：本发明公开一种修正装置，其对于试样的损伤较小，在长时间内稳定且效率良好地进行掩膜等的细微部位的修正。修正装置(10)至少具备气体电场电离离子源，其具有锐化的针尖；冷却单元，其冷却针尖；离子束镜筒(11)，其使在气体电场电离离子源产生的气体的离子集束，形成集束离子束；试样工作台(15)，其设置经通过离子束镜筒(11)形成的集束离子束照射的试样，并能够移动；试样室(13)，其内置试样工作台(15)；以及控制部(20)，其通过集束离子束修正作为试样的掩膜(14)或纳米压印光刻的模具。气体电场电离离子源以氮作为离子，并具备通过铱单晶构成的针尖，该铱单晶具有能够产生离子的单一的顶点。
修正装置

[发明专利]铱针尖、及使用铱针尖的离子源、电子源、显微镜和装置-CN201410389960.1有效
发明人：小堺智一;松田修;杉山安彦;相田和男;荒卷文朗;八坂行人;大庭弘 -专利权人：日本株式会社日立高新技术科学
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01J37/02 文献下载
摘要：本发明提供铱针尖、及使用铱针尖的离子源、电子源、显微镜和装置。本发明能够位置再现性良好地制作形成于铱针尖的前端部的前端为1个原子的角锥结构，既能够使得杂质不易附着，又能够长时间保持前端的1个原子。铱针尖在锐化的＜210＞方位的单晶的前端部具有角锥结构，该角锥结构的前端仅通过{210}方位的1个铱原子形成，该铱原子由1个{100}结晶面和2个{111}结晶面包围。将形成角锥结构的前端的1个铱原子作为第1层，第1层的正下方的第2层具有位于三角形的顶点的3个铱原子，第2层的正下方的第3层具有位于三角形的顶点和边的6个铱原子。
针尖使用离子源电子显微镜装置

[发明专利]聚焦离子束装置和调整离子束光学系统的方法-CN201310083996.2无效
发明人：杉山安彦;麻畑达也;土井利夫;大庭弘 -专利权人：日本株式会社日立高新技术科学
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01J37/21 文献下载
摘要：本发明提供了一种聚焦离子束装置和调整离子束光学系统的方法。聚焦离子束装置包括控制部，其用于预先在聚束电压表中存储针对多个孔阑中的所有孔阑的用于获得基准束电流的聚束电压的计算值；对于基准孔阑获得用于获得基准束电流的聚束电压的实验值；通过从用于基准孔阑的实验值减去为基准孔阑存储的计算值来获得聚束电压的校正值；通过将校正值与为各孔阑存储的计算值相加来获得聚束电压的设置值；以及将所获得的设置值存储在聚束电压表中。
聚焦离子束装置调整光学系统方法

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