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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]铁电体器件及半导体装置-CN202180064527.9在审
发明人：山崎舜平;神保安弘;国武宽司;大嶋和晃;太田将志;古谷一马;青木健 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：提供一种包括具有良好的铁电性的金属氧化物膜的铁电体器件。该铁电体器件包括第一导电体、第一导电体上的金属氧化物膜以及金属氧化物膜上的第二导电体，金属氧化物膜具有铁电性，金属氧化物膜具有结晶结构，结晶结构包括第一层及第二层，第一层包含第一氧及铪，第二层包含第二氧及锆，铪与锆通过第一氧相键合，并且第二氧与锆键合。
铁电体器件半导体装置

[发明专利]半导体装置及电子设备-CN202180013072.8在审
发明人： 大嶋和晃;国武宽司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供一种能够进行高速的数据传送且电路面积减小了的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括具有彼此相对的两个面的层、半导体芯片以及外部端子。半导体芯片设置在层的一个面一侧，外部端子设置在层的另一个面一侧的至少不与半导体芯片重叠的区域中。半导体芯片包括含有第一晶体管的第一电路，层包括含有第二晶体管的第二电路。第一电路与第二电路电连接，第二电路与外部端子电连接。并且，第二晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物。此外，第二电路也可以为CML电路。此外，层的一个面的上方及半导体芯片的侧面也可以设置有绝缘体。
半导体装置电子设备

[发明专利]半导体装置-CN202080070194.6在审
发明人： 大嶋和晃;国武宽司;八窪裕人;池田隆之 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-10-05 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：在布线层中形成放大器。在半导体装置中，在第一层上隔着金属氧化物包括第二层。第一层包括具有包含硅的第一半导体层的第一晶体管。第二层包括阻抗匹配电路，阻抗匹配电路包括具有包含镓的第二半导体层的第二晶体管。在第一晶体管与金属氧化物之间形成第一耦合电容，在阻抗匹配电路与金属氧化物之间形成第二耦合电容。阻抗匹配电路通过第二耦合电容与金属氧化物电连接。金属氧化物抑制从阻抗匹配电路发射的第一辐射噪声影响到第一晶体管的工作。
半导体装置

[发明专利]混频器及半导体装置-CN202080038069.7在审
发明人： 大嶋和晃;国武宽司;井上达则 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H03D7/00 文献下载
摘要：本发明的一个方式提供一种电路面积小且抑制因热量而工作能力下降的混频器及半导体装置。一种包括差动部、电流源、第一负载、输入端子及第一输出端子的混频器，差动部包括第一晶体管、第二晶体管，第一晶体管、第二晶体管各自在沟道形成区域中包含金属氧化物。第一晶体管、第二晶体管各自的第一端子与输入端子及电流源电连接，第一晶体管的第二端子与第一负载的第一端子及第一输出端子电连接。通过向第一负载的第二端子供应电压，第一负载具有使电流流过第一负载的第一端子与第二端子之间的功能，电流源具有使恒电流从第一晶体管、第二晶体管各自的第一端子流向电流源的功能。电流源包括在沟道形成区域中含硅的晶体管，差动部在电流源的上方。
混频器半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202080032977.5在审
发明人：国武宽司;大嶋和晃;津田一树;热海知昭 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种根据工作温度的特性不均匀少的半导体装置。本发明的一个方式是一种以环状连接奇数级的反相器电路的半导体装置，其中反相器电路包括第一晶体管及第二晶体管，第一晶体管的栅极电连接到第一晶体管的源极和漏极中的一方，第一晶体管的源极和漏极中的一方被供应高电源电位，第一晶体管的源极和漏极中的另一方电连接到输出端子out。第二晶体管的栅极电连接到输入端子in，第二晶体管的源极和漏极中的一方电连接到输出端子out，第二晶体管的源极和漏极中的另一方被供应低电源电位。第一晶体管及第二晶体管在半导体层中包含氧化物半导体。第一晶体管及第二晶体管都包括背栅极。
半导体装置

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