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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磁存储装置-CN201910176396.8有效
发明人：岩崎刚之;村山昭之;甲斐正;大坊忠臣;远藤将起;大岭俊平;五十岚太一;伊藤顺一 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：实施方式提供一种能够提高电阻变化率及保持性的磁存储装置。一实施方式的磁存储装置具备包含非磁性体、及设置在所述非磁性体上的积层体的磁阻效应元件。所述积层体包含设置在所述非磁性体上的第1强磁性体、与所述第1强磁性体交换耦合的第2强磁性体、及设置在所述第1强磁性体与所述第2强磁性体之间的磁性体。所述磁性体包含磁性元素、及选自碳化物、氮化物、及硼化物中的至少一种化合物。
存储装置

[发明专利]磁阻元件和磁存储器-CN201710109768.6有效
发明人：远藤将起;大坊忠臣;大岭俊平;村山昭之;伊藤顺一 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及磁阻元件和磁存储器。提供可抑制绝缘不良的磁阻元件和磁存储器。根据本实施方案的磁阻元件具备第1层、第1磁性层、配置于所述第1层和所述第1磁性层之间的第2磁性层、配置于所述第1磁性层和所述第2磁性层之间的非磁性层、以及配置于至少所述第1非磁性层的侧面的绝缘层，所述第1层包含选自由Hf、Zr、Al、Cr和Mg组成的第1组中的至少一种元素、以及选自由Ta、W、Mo、Nb、Si、Ge、Be、Li、Sn、Sb和P组成的第2组中的至少一种元素，所述绝缘层包含所述第1组中的至少一种元素。
磁阻元件磁存储器

[发明专利]磁阻元件和磁存储器-CN201580045843.6有效
发明人：长谷直基;落合隆夫;大坊忠臣;加藤侑志;大岭俊平;伊藤顺一 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：提供能降低漏磁场的磁阻效应元件和使用其的磁存储器。根据本实施方案的磁阻元件具备第1磁性层、第2磁性层以及设置于所述第1磁性层和所述第2磁性层之间的第1非磁性层，所述第2磁性层具备包含选自由Mn、Fe、Co和Ni组成的第1组的至少一种元素、选自由Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt和Au组成的第2组的至少一种元素、以及选自由Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu组成的第3组的至少一种元素的磁性体。
磁阻元件磁存储器

[发明专利]磁存储装置-CN201910176190.5在审
发明人：岩崎刚之;村山昭之;甲斐正;大坊忠臣;远藤将起;大岭俊平;五十岚太一;伊藤顺一 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：一实施方式的磁存储装置具备磁阻效应元件，所述磁阻效应元件包含非磁性体、及所述非磁性体上的积层体。所述积层体包含所述非磁性体上的第1铁磁体、与所述第1铁磁体交换耦合的反铁磁体、及所述第1铁磁体与所述反铁磁体之间的第2铁磁体，且构成为根据在积层方向内在第1方向上流动的第1电流成为第1电阻，根据在与所述第1方向相反的第2方向上流动的第2电流成为与所述第1电阻不同的第2电阻。
存储装置

[发明专利]磁阻元件和磁存储器-CN201580045837.0有效
发明人： 大岭俊平;大坊忠臣;加藤侑志;长谷直基;伊藤顺一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：提供即使将存储层薄膜化，也能降低底基层中所含元素的扩散的影响的磁阻元件和磁存储器。根据本实施方案的磁阻元件具备：包含Ni和Co中的至少一种元素及Al的具有CsCl结构的第1层、第1磁性层、所述第1层和所述第1磁性层之间的第1非磁性层、以及所述第1层和所述第1非磁性层之间的包含Mn和Ga的第2磁性层。
磁阻元件磁存储器

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