专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]高效太阳能电池的制造方法-CN201880042175.5有效
  • 渡部武纪;桥上洋;大塚宽之 - 信越化学工业株式会社
  • 2018-04-20 - 2022-09-27 - H01L31/0216
  • 本发明提供一种能够提高光电转换效率的太阳能电池的制造方法。本发明为一种太阳能电池的制造方法,其包括:在硅半导体基板上形成pn结的工序、在硅半导体基板的至少一个主表面上制膜氧化铝膜的工序,所述太阳能电池的制造方法的特征在于,在制膜氧化铝膜的工序之前,包括在每1立方米的水蒸气量为20g以上、温度为60℃以上100℃以下的气氛下,对硅半导体基板进行加热处理的工序。由此,可提供一种能够提高光电转换效率的太阳能电池的制造方法。
  • 高效太阳能电池制造方法
  • [发明专利]高光电变换效率太阳能电池及高光电变换效率太阳能电池的制造方法-CN201680090321.2有效
  • 渡部武纪;森山隼;桥上洋;大塚宽之 - 信越化学工业株式会社
  • 2016-10-25 - 2022-09-23 - H01L31/0224
  • 本发明是一种太阳能电池,在有第一导电型的半导体基板的第一主表面,具有有前述第一导电型的基极层,及邻接在前述基极层、有与前述第一导电型相反的导电型即第二导电型的射极层,且具有与前述基极层电性地连接的基极电极、及与前述射极层电性地连接的射极电极的太阳能电池,其特征在于,在前述第一主表面上,具有接在前述基极层及前述射极层的介电体膜;具有被配置成覆盖前述射极电极,而且位于前述介电体膜上、至少在前述基极层上有间隙的第一绝缘膜;具有至少位于前述第一绝缘膜上的基极用汇流条电极;前述第一绝缘膜的间隙的距离为40μm以上(W+110)μm以下(但是,W为间隙方向的基极层的宽幅)。由此,可以抑制绝缘材料的消耗,而且使基极用汇流条电极与基极电极的电性接触保持良好,同时可以使基极用汇流条电极与射极领域因接触所造成的并联电阻降低轻微,且使太阳能电池特性提升。
  • 光电变换效率太阳能电池制造方法
  • [发明专利]高光电变换效率太阳能电池的制造方法及高光电变换效率太阳能电池-CN201680090007.4有效
  • 渡部武纪;三田怜;桥上洋;大塚宽之 - 信越化学工业株式会社
  • 2016-10-14 - 2022-08-30 - H01L31/0224
  • 本发明是一种太阳能电池的制造方法,具有:准备至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板的步骤、部分地去除该半导体基板的介电体膜的步骤、沿着介电体膜部分地被去除的领域形成电极的步骤的太阳能电池的制造方法,其特征是具有对于实施部分地去除介电体膜的步骤与形成电极的步骤之后的半导体基板,测定介电体膜部分地被去除的领域的位置与形成的电极的位置的相对的位置关系的步骤,基于被测定的位置关系,对于新准备的至少在第一主表面具有介电体膜的半导体基板,在调整部分地去除介电体膜的领域的位置后部分地去除介电体膜。由此,提供一种可以减低部分地去除介电体膜的领域与沿着该领域被形成的电极的位置偏移,且使太阳能电池的制造产出率提升的太阳能电池的制造方法。
  • 光电变换效率太阳能电池制造方法
  • [发明专利]太阳能电池及其制作方法-CN201780036800.0有效
  • 渡部武纪;大塚宽之 - 信越化学工业株式会社
  • 2017-04-07 - 2022-06-24 - H01L31/18
  • 本发明提供一种太阳能电池,其具备具有第一导电型的半导体基板,在该基板的第一主表面上,具备具有与所述第一导电型相同导电型的第一导电型层及具有与所述第一导电型相反的第二导电型的第二导电型层,在位于所述第一主表面的第一导电型层上具备第一集电极,在位于所述第一主表面的第二导电型层上具备第二集电极,其特征在于,具有所述第二导电型的第二导电型层在所述半导体基板的侧面与位于所述第一主表面的第二导电型层连续地形成。由此,能够提供一种能够有效地收集载流子且转换效率优异的太阳能电池。
  • 太阳能电池及其制作方法
  • [发明专利]高效率太阳能电池的制造方法-CN201680090581.X有效
  • 桥上洋;植栗丰敬;渡部武纪;大塚宽之 - 信越化学工业株式会社
  • 2016-11-07 - 2022-04-29 - H01L31/18
  • 本发明是一种太阳能电池的制造方法,其具有下列步骤:于半导体基板的第1主表面形成第1电极的步骤,及以覆盖前述第1电极的至少一部分的方式涂布绝缘膜前驱物的步骤,及使前述绝缘膜前驱物暂硬化的步骤,及于至少前述绝缘膜前驱物上,以与前述第1电极电绝缘的方式涂布导电性糊料的步骤,及使前述导电性糊料硬化来作为第2电极的步骤,以及使前述绝缘膜前驱物正式硬化来作为绝缘膜的步骤,将前述导电性糊料以与前述第1电极电绝缘的方式进行涂布的步骤在使前述绝缘膜前驱物暂硬化的步骤之后进行,使前述导电性糊料硬化来作为第2电极的步骤的至少一部分与使前述绝缘膜前驱物正式硬化来作为绝缘膜的步骤的至少一部分同时进行。由此,可提供生产性高、且具有高光电转换特性的太阳能电池的制造方法。
  • 高效率太阳能电池制造方法
  • [发明专利]太阳能电池及太阳能电池模组-CN202110702706.2在审
  • 大塚宽之 - 信越化学工业株式会社
  • 2015-10-14 - 2021-09-24 - H01L31/0288
  • 一种太阳能电池,其具备P型硅基板,该P型硅基板以一个主表面为受光面并以另一个主表面为背面,在该背面上具备部分地形成的多个背面电极,前述P型硅基板在前述受光面的至少一部分具有N型层,前述P型硅基板具有与前述背面电极接触的接触区域,前述P型硅基板是掺有镓的硅基板,前述P型硅基板的电阻率为2.5Ω·cm以下,前述多个背面电极的背面电极间距Prm与前述P型硅基板的电阻率Rsub满足由下式(1)表示的关系。一种太阳能电池及太阳能电池模组,所述太阳能电池使用光劣化得到抑制的基板,在所述太阳能电池中,抑制电阻损失,转换效率优异,log10(Rsub)≤‑log10(Prm)+1.0(1)。
  • 太阳能电池模组

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