专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]热处理炉-CN201180035789.9有效
  • 村上贵志;渡部武纪;大塚宽之 - 信越化学工业株式会社
  • 2011-06-03 - 2013-04-10 - H01L21/22
  • 这里公开的热处理炉,用于半导体基片的热处理步骤中,其特征在于提供了柱形芯管,该柱形芯管的两端部有开口,该开口的尺寸设置成允许半导体基片插入芯管和从芯管中取出。这在连续的半导体热处理过程中减少了在批次之间的等待时间,从而提高生产率。而且,使用芯管结构的简单柱形降低了气体引入管部分失效的频率,从而降低了热处理方法的运行成本。
  • 热处理
  • [发明专利]一种太阳能电池的制造方法以及太阳能电池-CN200680013914.5无效
  • 大塚宽之;石川直挥;高桥正俊 - 信越半导体股份有限公司;信越化学工业株式会社
  • 2006-04-07 - 2008-04-16 - H01L31/04
  • 本发明涉及一种太阳能电池的制造方法及太阳能电池,该制造方法是于第一导电型半导体基板上形成pn结而制造出太阳能电池的方法,其特征为至少包含下列步骤:在第一导电型半导体基板上,涂布含有掺杂剂的第一涂布剂,然后同时形成一第一扩散层以及一第二扩散层;该第一扩散层是利用气相扩散热处理而形成于该第一涂布剂的涂布区域;该第二扩散层是利用气相扩散以连接第一扩散层的方式而形成,其导电率低于该第一扩散层。由此可一边得到欧姆接触一边通过抑制受光面的电极以外部分的表面再结合以及射极内的再结合,而能够提供一种太阳能电池的制造方法及太阳能电池,可以简便容易的方法便宜地制造出提高光电转换效率的太阳能电池。
  • 一种太阳能电池制造方法以及
  • [发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN200510116112.4有效
  • 生岛聪之;大塚宽之;高桥正俊;渡部武纪 - 信越半导体株式会社;信越化学工业株式会社
  • 2002-03-19 - 2006-05-31 - H01L31/18
  • 根据本发明的第一方面的太阳能电池是采用硅单晶基片的OECO太阳能电池,其中每条凹槽的最小深度h总是满足关系式h≥W1tanθ,此处θ代表沿着半导体单晶基片的厚度方向,当沿着垂直于各个凹槽纵方向的任意截面观看时,形成在一条在所有凹槽中具有最大深度凹槽的电极的低端部和没有在其上形成电极的同一凹槽的内侧面的上端部连接的一根直线,和垂直于厚度方向的参考线间的夹角,而W1代表在凹槽的两个开口边缘间的距离。根据本发明的第二方面的制造太阳能电池的方法,在如下描述的在从硅单晶锭上切割的p型硅单晶基片的第一主表面上形成许多凹槽。首先,凹槽刻划刀片的刀口部分以一预定的高度,从工作台的平坦的基片进料表面上突出。p型硅单晶基片沿着基片进料表面朝着转动的凹槽刻划刀片移动,而保持其第一主表面与基片进料表面紧密接触。然后在凹槽的横着方向的如此刻划的凹槽内侧面的只有一侧上形成电极。
  • 太阳能电池及其制造方法

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