专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]真空处理装置-CN201180050821.0有效
  • 藤本信也;林信博;广野贵启;多田勋 - 株式会社爱发科
  • 2011-10-14 - 2013-06-26 - C23C14/56
  • 提供一种真空成膜装置,为便于运输等而将真空处理室和真空辅助室分开设置,易于在安装现场组装且可维护性好。相连设置有真空处理室(1)、向真空处理室传送片状基材的上游侧的真空辅助室(2)以及卷取回收片状基材的下游侧的真空辅助室(3),所述真空处理室(1)具有卷有长的片状基材(S)的一部分的滚筒(15)、配置在该滚筒的下方且从上游侧传送来片状基材的多个辊(16c)、以及处理单元(4)。上述真空处理室及真空辅助室构成为在设置于地面的架台上载置基板,将下面开口的箱体从其下面侧设置在该基板上。多个辊一体构成为辊单元,设置为在真空处理室内可在滚筒的下方空间内自由取放。
  • 真空处理装置
  • [发明专利]真空处理装置-CN201180048272.3有效
  • 广野贵启;多田勋 - 株式会社爱发科
  • 2011-09-07 - 2013-06-12 - C23C14/56
  • 提供一种实现装置小型化且生产率高、成本低的真空处理装置。传送长的带状基材S使其通过真空处理室(1),在该真空处理室(1)内对带状基材实施规定处理。在真空处理室(1)中设置单个的处理单元(3),设置有送出辊(6)和卷取辊(7)的真空辅助室(2)与真空处理室(1)相连设置。在真空处理室内跨处理单元的两侧上具有一对第一辊单元(4),每个第一辊单元具有等间隔配置的多个辊(42),将各辊在轴向上彼此错开配置,带状基材以螺旋状缠绕在两辊单元的各辊上。还具有移位装置(5),以与处理单元相对的带状基材的一面为表面,当带状基材的里面与处理单元相对时所述移位装置(5)将该带状基材的一部分以规定幅度向该处理单元侧移动。
  • 真空处理装置
  • [发明专利]卷绕式真空处理装置-CN200980142299.1有效
  • 广野贵启;多田勋 - 株式会社爱发科
  • 2009-10-27 - 2011-09-21 - C23C16/509
  • 本发明提供一种卷绕式真空处理装置,其可防止因发热而损坏或绝缘失效的情况出现,因此有利于延长使用寿命。RF电极(6)设置在真空室(15)内。因此,与例如电容耦合器等转动传递单元设置在标准大气压环境中的情况相比,只要真空室(15)内保持着规定的真空度,就能够防止辊子电极(18)和RF电极(6)之间产生绝缘失效的情况。另外,还不存在现有技术中的旋转连接器等转动传递单元因发热而损坏的问题。还有,由于RF电极(6)以隔开辊子电极(18)一定间隔的方式设置,即与辊子电极(18)在非接触状态下接通交流电,所以它们不会因相互接触而磨损,因此这有助于延长电极的使用寿命。
  • 卷绕真空处理装置
  • [发明专利]成膜方法和成膜装置-CN200980114151.7无效
  • 小林洋介;林信博;饭岛正行;多田勋 - 株式会社爱发科
  • 2009-04-14 - 2011-04-13 - C23C14/06
  • 本发明提供能够简化装置构成和降低成本的反射膜形成技术。本发明的成膜方法具有:一边将空气导入至成膜区域一边通过蒸镀在成膜对象物上形成光反射性的反射膜的反射膜形成工序(P2);在该反射膜上形成拒水性聚合物膜的聚合物膜形成工序(P3);和一边将空气导入至成膜区域一边在前述拒水性聚合物膜上实施基于等离子体的亲水化处理的亲水化处理工序(P5)。根据本发明,可以不使用氩气而进行反射膜的形成以及聚合物膜的亲水化处理。
  • 方法装置
  • [发明专利]卷绕式真空成膜装置-CN200880126755.9有效
  • 横井伸;野村常仁;中塚笃;多田勋 - 株式会社爱发科
  • 2008-04-14 - 2011-01-12 - C23C14/58
  • 本发明提供一种卷绕式真空成膜装置,其技术既不需增大装置,还可防止因从去除电荷机构中泄漏出来的带电粒子而引起的基材的热变形。本发明中的卷绕式真空成膜(蒸镀)装置(10)包括电荷捕捉部件(25),其设置在冷却用筒式辊(14)和去除电荷机构(23)之间,用以捕捉从去除电荷机构(23)朝向筒式辊(14)移动的带电粒子。有了上述电荷捕捉部件就可阻止从去除电荷机构(23)中泄漏出来的带电粒子到达筒式辊(14),从而遏制供给筒式辊(14)的用来使之贴紧基材的偏压电势产生变动,可靠地保持了对基材(12)的静电引力。因此,该卷绕式真空成膜装置能可靠地保持基材(12)和筒式辊(14)之间的贴合力,从而可防止基材(12)产生热变形。
  • 卷绕真空装置
  • [发明专利]成膜装置及成膜方法-CN200880122797.5有效
  • 林信博;小林洋介;齐藤隆雄;饭岛正行;多田勋 - 株式会社爱发科
  • 2008-12-12 - 2010-12-08 - C23C14/34
  • 本发明的目的在于提供一种成膜装置及成膜方法,以实现缩短在冷凝负荷较大时的排气系统的排气时间,从而提高生产性。为达到上述目的,本发明的对多个基材同时进行成膜处理的成膜装置包括:支承单元(50),其具有支承部(55),该支承部(55)对多个基材(2)进行支承,使其位于旋转轴的周围且可自由旋转;真空腔(10),其具有处理室(14),该处理室收装上述支承单元,且该支承单元可在该处理室中自由旋转;成膜源(57、60),其配置在上述真空腔(10)的内部;低温排气部(21),其具有低温冷凝源,该低温冷凝源配置在上述真空腔(10)的上表面且与上部支承部件(52)相对;以及辅泵(22)。
  • 装置方法
  • [发明专利]卷绕式真空成膜装置-CN200780029292.X有效
  • 林信博;藤井智晴;多田勋;中塚笃 - 株式会社爱发科
  • 2007-07-26 - 2009-08-05 - C23C14/56
  • 提供一种能够容易且迅速进行印刷辊与支承辊之间按压力调整的卷绕式真空成膜装置。本发明中,通过包含有印刷辊(33)及转印辊(32)的掩模形成单元(20)相对于真空室(11)的相对移动而进行印刷辊(33)与支承辊(21)之间的按压力调整,所以不需要个别调整印刷辊(33)及转印辊(32),实现单元单位的按压力调整,从而可以实现结构的简单化和作业的简易化、高精度化,并缩短作业时间。
  • 卷绕真空装置
  • [发明专利]卷绕式真空成膜装置-CN200780030031.X有效
  • 林信博;藤井智晴;多田勋;中塚笃 - 株式会社爱发科
  • 2007-09-28 - 2009-08-05 - C23C14/24
  • 抑制油墨凝结效率的降低及相对印刷辊的油墨转印精度的下降,并且实现油墨凝结辊的结构简单化及组装作业性能提高。本发明的卷绕式真空成膜装置的掩模形成单元(20)具有将形成掩模图案(25)的油墨保持在外周的油墨凝结辊(31)、在薄膜(12)的成膜面上将油墨作为掩模图案(25)进行转印的印刷辊(33)、及配置在油墨凝结辊(31)和印刷辊(33)之间并从油墨凝结辊(31)向印刷辊(33)转印油墨的转印辊(32),并且具备冷却油墨凝结辊(31)的冷却机构、及使转印辊相对于油墨凝结辊(31)、印刷辊(33)在轴方向上周期性摆动的摆动机构。
  • 卷绕真空装置
  • [发明专利]卷绕式真空蒸镀装置-CN200780023547.1有效
  • 林信博;广野贵启;多田勋;中塚笃;小松研二 - 株式会社爱发科
  • 2007-06-07 - 2009-07-15 - C23C14/56
  • 本发明提供一种能够在不降低生产效率的情况下抑制薄膜上产生受热影响区域的卷绕式真空蒸镀装置。本发明涉及的卷绕式真空蒸镀装置(10)包括放卷辊(13)、卷绕从放卷辊(13)放出的薄膜(12)的卷绕辊(15)、配置在放卷辊(13)和卷绕辊(15)之间紧贴薄膜(12)以便对该薄膜进行冷却的冷却辊(14)、与冷却辊(14)相向配置将蒸镀材料蒸镀于薄膜(12)上的蒸发源(16)以及配置在放卷辊(13)和蒸发源(16)之间向行走的薄膜(12)照射电子束的电子束照射器(21);电子束照射器(21)具有通过通电加热放出电子的丝极(31)和向该丝极(31)供应直流电流的直流发生机构。
  • 卷绕真空装置
  • [发明专利]卷绕式等离子CVD装置-CN200680001884.6有效
  • 广野贵启;多田勋;中塚笃;菊池正志;小形英之;川村裕明;斋藤一也;佐藤昌敏 - 株式会社爱发科
  • 2006-05-10 - 2008-01-02 - C23C16/505
  • 本发明提供一种卷绕式等离子CVD装置,能将反应气体均匀地供给到薄膜的成膜区域、实现膜质的均匀化,在薄膜的成膜过程中也能进行成膜部的自清洗。相对于薄膜的移动方向,在成膜部(25)的上游侧和下游侧配置一对可动辊(33、34),将薄膜(22)支承在该一对可动辊(33、34)之间,使薄膜(22)在成膜位置大致直线地移动。这样,可将喷淋板(37)与薄膜(22)之间的相向距离保持为一定、实现膜质的均匀化。薄膜(22)被在其背面侧同时移动的金属带(40)加热。可动辊(33、34)能从成膜位置上升到自清洗位置,使薄膜(22)远离喷淋板(37)。用闸门(65)将罩(51)的开口部封闭,防止自清洗气体漏出,可进行成膜过程中的自清洗。
  • 卷绕等离子cvd装置
  • [发明专利]卷取式真空成膜装置-CN200680000343.1有效
  • 林信博;横井伸;多田勋;中塚笃 - 株式会社爱发科
  • 2006-02-14 - 2007-05-23 - C23C14/56
  • 本发明提供一种卷取式真空成膜装置,该卷取式真空成膜装置能够抑制绝缘性的原料薄膜的热变形,以高速成膜金属膜,谋求提高生产性,进而,能够提高薄膜的除电效果。其中,具有电子束照射器(21)、辅助辊(18)、直流偏压电源(22)、除电单元(23),该电子束照射器(21)被配置在卷放辊(13)和蒸发源(16)之间,向原料薄膜(12)照射荷电粒子;该辅助辊(18)被配置在冷却用筒式辊(14)和卷取辊(15)之间,并与原料薄膜(12)的成膜面接触,对该原料薄膜(12)的行进进行引导;该直流偏压电源(22)对筒式辊(14)和辅助辊(18)之间施加直流电压;该除电单元(23)配置在筒式辊(14)和卷取辊(15)之间,对原料薄膜(12)进行除电,该除电单元(23)由一方的电极接地的直流二极放电型等离子发生源构成。
  • 卷取真空装置

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