专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]反射型液晶显示装置及由其构成的触摸板一体式反射型液晶显示装置-CN200410003384.9有效
  • 冈本正之;三井精一;佐藤孝 - 夏普公司
  • 1998-03-26 - 2004-07-14 - G02F1/1335
  • 本发明提供一种具有对比度系数又高又清晰的可进行彩色显示的反射型彩色液晶显示装置及由该反射型液晶显示装置构成的虽然设置触压敏感式输入装置也不会损害显示的触摸板一体式液晶显示装置。在备有光反射性衬底(5)、衬底4、将具有正介电各向异性的向列液晶夹持在衬底4-、衬底5之间的液晶层1、第1光学相位差补偿板(8)、第2光学相位差补偿板(9)、及偏振片(10)的反射型液晶显示装置中,使以下各参数最佳化,即,①光学相位差补偿板(8、9)的衬底法线方向的延迟;②偏振片(10)的透射轴或吸收轴与光学相位差补偿板(8、9)的滞后轴所成的角度;③液晶层(1)的扭曲角;④液晶层(1)的液晶双折射率差与液晶层厚度的乘积;及⑤衬底(4)附近的液晶分子的定向方向与偏振片(10)的透射轴或吸收轴所成的角度。
  • 反射液晶显示装置构成触摸体式
  • [发明专利]图像内插系统和图像内插方法-CN00804896.7有效
  • 西桥香奈子;守屋政明;紫村智哉 - 夏普公司
  • 2000-08-30 - 2004-07-07 - H04N7/01
  • 一种用于内插构成图像的行之间的间隙的图像内插系统和图像内插方法,其中,该图像内插系统包括:虚拟内插数据生成部件,用于根据输入图像的行数据,生成输入图像的行之间的行间的虚拟内插数据;内插段确定部件,用于根据所生成的虚拟内插数据确定输入图像行之间将要内插的段和内插的方向;以及内插部件,用于根据所生成的虚拟内插数据和内插段确定部件确定的将要内插的段的数据,生成输入图像行上的预内插像素,并根据所生成的预内插像素对输入图像行之间的像素进行内插。
  • 图像内插系统方法
  • [发明专利]光传输和接收组件-CN00102119.2无效
  • 石原武尚;幸秀树;名仓和人;寺岛健太郎;中津弘志 - 夏普公司
  • 2000-01-12 - 2004-06-30 - G02B6/34
  • 一个光传输和接收组件包括一个光源;一个光接收元件;和一个分光元件;该分光元件用于使来自光源的信号光入射到光纤、并使从所述光纤输出的信号光入射到所述的光接收元件。该分光元件包括一个棱镜矩阵,该棱镜矩阵具有多个以基本相同的间距平行设置的三角形棱镜、所述棱镜位于垂直于光源和光接收元件的光轴的平面内,并基本上垂直于连接光源和光接收元件的假想线延伸。
  • 传输接收组件
  • [发明专利]“绝缘体上的硅”结构的半导体装置-CN99125881.9有效
  • A·O·阿丹 - 夏普公司
  • 1999-12-02 - 2004-06-23 - H01L29/786
  • 提供一种具有下述的衬底掺杂剖面分布的SOI结构的半导体装置,通过采用该衬底掺杂剖面分布,能在工作状态下为了实现MOSFET的低电压工作而将阈值电压设定得较低,在关断状态下为了降低关断漏泄电流而将阈值电压设定得较高。该SOI结构的半导体装置包括:SOI衬底;源/漏区6、7;以及栅绝缘膜24和栅电极11,源/漏区6、7的厚度比表面半导体层3的厚度薄,沟道区具有第1导电型高浓度杂质扩散层5。
  • 绝缘体结构半导体装置
  • [发明专利]半导体光发射器件-CN98117471.X无效
  • 森本泰司;伊藤茂稔 - 夏普公司
  • 1998-07-23 - 2004-06-23 - H01L33/00
  • 一种半导体光发射器件,包括:一个绝缘衬底;一个形成在所述绝缘衬底上的层状结构,该层状结构包括一p型半导体层、一n型半导体层和在该p型半导体层和该n型半导体层之间的一光发射层,一个负电极,形成在所述n型半导体层上,该负电极上形成有负电极引线焊盘,一个正电极,形成在所述p型半导体层上,该正电极上形成有正电极引线焊盘,其中,所述正电极引线焊盘与所述负电极之间互相重叠的部分设置有绝缘膜层。
  • 半导体发射器件
  • [发明专利]半导体发光二极管-CN99118000.3无效
  • 中津弘志;山本修 - 夏普公司
  • 1999-08-20 - 2004-06-23 - H01L33/00
  • 一种发光二极管,包括:半导体基底;分层结构,该分层结构由AlGaInP型化合物半导体材料制成并设在该半导体基底上。分层结构包括:发光结构,包含一对覆层和该两覆层之间的发光的活性层;与该发光结构晶格失配的电流扩散层,由下式确定的电流扩散层相对于该发光结构晶格失配度Δa/a为1%或更小:Δa/a=(ad-ae)/ae,ad是电流扩散层晶格常数,ae是发光结构晶格常数。它具有高亮度低阻抗,对于发光结构的发光波长透明,在高温高湿条件下发光特性不变差。
  • 半导体发光二极管
  • [发明专利]制造发光二极管的方法-CN99120752.1无效
  • 仓桥孝尚 - 夏普公司
  • 1999-09-28 - 2004-06-23 - H01L33/00
  • 制造发光二极管的方法包括:在第一导电型GaAs基底上形成单层或多层AlxGayIn1-x-yP发光层、第二导电型AlxGayIn1-x-yP中间层,第二导电型的AlxGayIn1-x-yP电流扩散层;形成第一导电型的第一电极和第二导电型的第二电极以分别触接GaAs基底和电流扩散层;在所述电流扩散层和第二电极的暴露的表面形成保护膜;用切割形成沟槽以置入所述第二电极并到达GaAs基底;用溴类蚀刻剂将发光层、中间层和电流扩散层蚀刻约4μm或更多;去除所述保护膜。
  • 制造发光二极管方法
  • [发明专利]空调机-CN200310123299.1无效
  • 铃木正一;冈孝纪;绞野佳延;饭田弘之;守川守 - 夏普公司
  • 2000-10-13 - 2004-06-16 - F24F3/06
  • 一种空调机,通过改进换气管道,克服上述现有空调机因冷媒配管与换气管道的安装关系而产生的缺点。连接室内机与室外机的各种配管(71、72、73)以及连接在室内机上的换气管道(75)穿过墙壁上所形成的配管孔(77)引向室外,其中,在换气管道(75)的室外侧端部上连接辅助管道(78),该辅助管道(78)具有相对于换气管道(75)进行连结的连结部(79)大约扭转90度而大致呈半圆形的出口侧端部,可使各种配管在该出口侧端部(80)处进行交叉。
  • 空调机

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