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[发明专利]半导体装置以及切割方法-CN201810182302.3有效
发明人： 增子真吾;藤村一夫;高田贤治;水岛一郎 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种通过使侧面具有曲率而提高可靠性的半导体装置以及切割方法。实施方式的半导体装置具有至少一对侧面从上方朝向下方扩宽的弯曲形状，其具备硅基板、半导体层、以及下层。半导体层形成于上述硅基板的上表面。下层形成于上述硅基板的下表面，其侧面与上述硅基板的侧面连接。
半导体装置以及切割方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710377221.4在审
发明人： 增子真吾;高田贤治;藤村一夫 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。本发明的实施方式提供一种容易提高设在衬底背面的金属相关的可靠性的半导体装置。实施方式的半导体装置包括半导体元件；衬底，具有设有半导体元件的第1面、及位于第1面的相反侧的第2面；金属组分，设在第2面；及金属镀覆部，隔着金属组分而局部地设在第2面。设有金属镀覆部的第1区域与未设置金属镀覆部的第2区域交替排列在第2面的端部。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201610031799.X无效
发明人： 增子真吾 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2016-01-18 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置的制造方法是在包含第1面与第2面的衬底的第1面上所设置的氮化物半导体层，以衬底露出的方式通过蚀刻而局部形成第1沟槽，在第1沟槽内露出的衬底，以保留衬底的一部分的方式形成第2沟槽，对衬底以第2沟槽不从第2面侧露出的方式进行去除，从而使衬底变薄，在衬底的第2面侧形成金属膜，将形成有第2沟槽的部位的金属膜去除，在形成有第2沟槽的部位的衬底，以第2沟槽从第2面侧露出的方式形成第3沟槽。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201510088713.2在审
发明人： 增子真吾 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种抑制半导体衬底的翘曲的半导体装置的制造方法。本发明的实施方式的半导体装置的制造方法为：对具备第1面与第2面的半导体衬底及设置在所述半导体衬底的所述第1面上的含氮化镓层，且厚度为d1的所述半导体衬底的所述第2面进行研削，其后以所述研削时的削去量的1/2～1/50的量对所述第2面进行研磨，其后以所述研削时的削去量的1/200～1/5000的量对所述第2面进行蚀刻，而使所述半导体衬底的厚度成为所述d1的5分之1以下。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201510553389.7无效
发明人： 增子真吾;高田贤治;鬼泽岳;矶部康裕;大麻浩平 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明的实施形态提供一种能够抑制不良的发生的半导体装置及其制造方法。实施形态的半导体装置(10)包含：衬底(30)；氮化物半导体层(31)，其设置在衬底(30)上；以及保护层(51)，其覆盖氮化物半导体层(31)的侧面，且包含碳。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410397429.9无效
发明人： 增子真吾;安本恭章;梁濑直子;汤元美树;三村正人;齐藤泰伸;吉冈启;藤本英俊;内原士;大野哲也;仲敏行;小野祐 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-08-13 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种能够实现电极的连接部分的电传导性或热传导性的提高的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备半导体芯片，该半导体芯片具有氮化物半导体层、以及设置于上述氮化物半导体层的控制电极、第一主电极和第二主电极。进而，上述装置具备支撑体，该支撑体具有基板、以及设置于上述基板的控制端子、第一主端子和第二主端子。进而，上述半导体芯片的上述控制电极、上述第一主电极以及上述第二主电极与上述支撑体相对置地设置于上述支撑体。进而，上述半导体芯片的上述控制电极、上述第一主电极以及上述第二主电极分别与上述支撑体的上述控制端子、上述第一主端子以及上述第二主端子电连接。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201410052440.1在审
发明人：大野哲也;齐藤泰伸;藤本英俊;吉冈启;内原士;仲敏行;安本恭章;梁濑直子;增子真吾;小野祐 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-02-17 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种对由反转层、积累层、转移等引起的泄漏电流的流动进行抑制而能够实现耐压的提高的半导体装置。根据一实施方式，半导体装置具备半导体基板和在上述半导体基板上形成的第一膜。进而上述装置具备在上述第一膜上形成的第一导电型或本征型的第一半导体层、在上述第一半导体层上形成的上述第一导电型或本征型的第二半导体层。进而上述装置具备具有与上述第一半导体层相接的第一上部、与上述第一膜相接的第二上部、位于上述第一上部与上述第二上部之间的第一侧部、以及位于上述第二上部与上述半导体基板的下部之间的第二侧部的第二导电型在内的第三半导体层。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201410061074.6在审
发明人：安本恭章;梁濑直子;阿部和秀;内原士;齐藤泰伸;仲敏行;吉冈启;小野祐;大野哲也;藤本英俊;增子真吾;古川大;八木恭成;汤元美树;饭田敦子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-02-24 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，具备：GaN系半导体层，表面相对m面或a面具有0度以上5度以下的角度；第一电极，设置于上述表面，具有第一端部；以及第二电极，与第一电极分离地设置于上述表面，具有与第一端部对置的第二端部，连接第一端部的任意点和第二端部的任意点的线段的方向与GaN系半导体层的c轴方向不同。
半导体装置

[发明专利]半导体装置以及应变监视装置-CN201310394835.5无效
发明人：安本恭章;梁濑直子;尾原亮一;增子真吾;佐野贤也;垣内赖人;野田隆夫;饭田敦子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-09-03 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：一种半导体装置，在半导体装置中半导体基板具有第1及第2区域。在上述半导体基板的上述第1区域中设有绝缘栅场效应晶体管。设有应变仪部，该应变仪部具有：长条的金属电阻体，设置在上述半导体基板的上述第2区域中的上述半导体基板的上表面的内侧；第1绝缘膜，设置在上述半导体基板与上述金属电阻体之间，延伸至上述半导体基板的上述上表面；以及第2绝缘膜，跨过上述金属电阻体而设置在上述第1绝缘膜上方。上述半导体基板载置于基板。
半导体装置以及应变监视

[发明专利]电子器件-CN200410086002.3无效
发明人： 增子真吾;市川聪 -专利权人：富士通媒体部品株式会社
申请日： 2004-10-22 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：一种具有包含在封装中的空腔的电子器件，可以使用顶盖可靠有效地密封该电子器件。一种SAW器件，其包括固定在管座的平面部分上的SAW芯片。使用玻璃气密地密封该封装的背面。使用缝焊法通过顶盖气密地密封设置在该封装的上表面上的空腔开口。填充玻璃以使其到达管座凸缘的背面。该玻璃防止凸缘由于辊式电极的重量而发生变形，并使顶盖和凸缘保持互相接触。此外，该玻璃用作为支承，并防止电流泄漏。由此，将顶盖和凸缘有效可靠地焊接在一起。
电子器件

[发明专利]表面声波器件及其封装和制造方法-CN200410048747.0无效
发明人： 增子真吾;三岛直之;入仓正男 -专利权人：富士通媒体部品株式会社
申请日： 2004-06-15 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：一种表面声波器件包括：具有压电基板的表面声波芯片，该压电基板上形成有多个梳状电极和多个电极焊盘；和容纳所述表面声波芯片的封装；其中所述封装的包括一空腔开口在内的第一表面比所述封装的与所述第一表面相对的第二表面宽。
表面声波器件及其封装制造方法

[发明专利]表面声波器件及其封装和制造方法-CN200410046588.0无效
发明人： 增子真吾;三岛直之;入仓正男 -专利权人：富士通媒体部品株式会社
申请日： 2004-06-11 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：一种表面声波器件，包括具有压电基板的表面声波芯片，在该基板上形成有梳状电极和电极焊盘；容纳该表面声波芯片的封装；以及该封装的底面上的电极图形。该封装的底面宽于该封装的顶面。该电极图形远离封装底面的边缘。
表面声波器件及其封装制造方法

[发明专利]电子器件封装、底基板、电子器件及其制造方法-CN200410008425.3无效
发明人： 增子真吾;川内治;郡池圣 -专利权人：富士通媒体部品株式会社
申请日： 2004-03-10 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：一种电子器件的封装，其包括：容纳电子元件的腔；和在限定该腔的多个侧壁上或侧壁内形成的多个沟槽或多个孔。这些沟槽或孔从该腔的开口端延伸，但不到达该封装的底端。
电子器件封装底基板及其制造方法

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