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[发明专利]制造用于外延生长基于镓的III-N合金层的基板的方法-CN202180067958.0在审
发明人： 埃里克·圭奥特 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2021-10-04 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造用于外延生长基于镓的III‑N合金层的基板的方法，该方法包括以下连续步骤：‑提供单晶半绝缘碳化硅供体基板(10)，‑将离子物质注入到供体基板(10)中，以形成限定要转移的单晶半绝缘SiC薄层(11)的弱化区(12)，‑经由接合层(21)将供体基板(10)接合至第一受体基板(20)，‑沿着弱化区(12)分离供体基板(10)，以将单晶半绝缘SiC薄层(11)转移至第一受体基板(20)，‑在所转移的薄层(11)上形成半绝缘SiC附加层(13)，‑将附加层(13)接合至具有高电阻率的第二受体基板(40)，‑移除接合层(21)的至少一部分，以分离第一受体基板(20)并且露出所转移的单晶半绝缘SiC层(11)。
制造用于外延生长基于 iii 合金方法

[发明专利]制造用于外延生长基于镓的III-N合金层的衬底的方法-CN202180065484.6在审
发明人： 埃里克·圭奥特 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2021-10-04 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及生产用于外延生长基于镓的III‑N合金层的衬底的方法，所述方法包括以下连续步骤：‑提供单晶碳化硅供体衬底(10)；‑将离子物质植入到所述供体衬底(10)中以形成限定待转移的单晶SiC薄层(11)的弱化区域(12)；‑经由接合层(21)将所述供体衬底(10)接合到第一受体衬底(20)上；‑沿着所述弱化区域(12)分离所述供体衬底(10)以将所述SiC薄层(11)转移到所述第一受体衬底(20)上；‑在所述SiC薄层(11)上外延生长厚度大于1μm的半绝缘SiC层(30)；‑将所述半绝缘SiC层(30)接合到第二受体衬底(40)上，所述第二受体衬底(40)具有高电阻率；‑去除所述接合层(21)的至少一部分以分离所述第一受体衬底(20)；‑去除被转移的单晶SiC薄层(11)以露出所述半绝缘SiC层(30)。
制造用于外延生长基于 iii 合金衬底方法

[发明专利]包括导电结合界面的半导体结构和关联的生产方法-CN202180048657.3在审
发明人： F·阿利伯特;迪迪埃·朗德吕;O·科农丘克;埃里克·圭奥特;格维塔兹·戈丹;J·维迪兹;F·佛内尔 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构(100)，其包括由单晶半导体材料制成并沿着主平面(x,y)延伸的有用层(10)、由半导体材料制成的支撑基板(30)以及在有用层(10)和支撑基板(30)之间的界面区域(20)，支撑基板平行于主平面(x,y)延伸，该结构(100)的特征在于界面区域(20)包括结节(21)：‑其为导电的，它们包含与有用层(10)和支撑基板(30)形成欧姆接触的金属材料；‑其沿着垂直于主平面(x,y)的轴线(z)具有小于或等于30nm的厚度；‑其为分离的或毗连的，分离结节(21)通过有用层(10)和支撑基板(30)的直接接触区域(22)彼此分离。本发明还涉及一种用于制造该结构(100)的方法。
包括导电结合界面半导体结构关联生产方法

[发明专利]生产用于外延生长基于镓的III-N合金层的衬底的方法-CN202180065281.7在审
发明人： 埃里克·圭奥特 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2021-10-04 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造用于外延生长氮化镓(GaN)、氮化铝镓(AlGaN)或氮化铟镓(InGaN)层的衬底的方法，所述方法包括以下连续步骤：‑提供包括至少一个单晶碳化硅层(10，51)的基础衬底；‑在单晶SiC层(10，51)上外延生长厚度大于1μm的半绝缘SiC层(11)以形成供体衬底；‑将离子物质植入到半绝缘SiC层(11)中，以便形成限定待转移的单晶半绝缘SiC薄层(12)的弱化区域(13)；‑将所述半绝缘SiC层(11)直接接合到具有高电阻率的受体衬底(20)上；‑沿着所述弱化区域(13)分离所述供体衬底，以便将单晶半绝缘SiC薄层(12)转移到所述受体衬底(20)上。
生产用于外延生长基于 iii 合金衬底方法

[发明专利]具有嵌入式镜面的工程衬底-CN201780009220.2有效
发明人： 埃里克·圭奥特;A·图辛;T·辛格纳马切克斯;E·拉古特 -专利权人：索泰克公司;法国原子能和替代能源委员会
申请日： 2017-01-27 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：工程衬底包括：由用于太阳能电池生长的第一半导体材料制成的种子层；在种子层上的第一键合层；由第二半导体材料制成的支持衬底；在支持衬底的第一侧上的第二键合层；第一和第二键合层之间的键合界面；第一和第二键合层各自由金属材料制成；其中，选择工程衬底的掺杂浓度和厚度，特别是种子层、支持衬底以及第一和第二键合层的掺杂浓度和厚度，使得种子层的吸收小于20％，优选小于10％，并且工程衬底的总面积归一化串联电阻小于10mOhm·cm2，优选小于5mOhm·cm2。
具有嵌入式工程衬底

[发明专利]先进的CPV太阳能电池组件处理-CN201480030798.2有效
发明人：塞西尔·奥尔内特;R·克劳斯;F·迪姆罗特;埃里克·圭奥特;E·马扎莱拉;C·德拉泽克 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池组件结构(222)，所述太阳能电池组件结构用于支撑聚光光伏电池结构(3420)，并且包括半导体结构和二极管，其中，半导体结构包括第一半导体区(2800)，所述第一半导体区的至少一部分用于放置聚光光伏电池结构；以及第二半导体区(2200)，所述第二半导体区用于在第二半导体区内或第二半导体区上实现二极管，并且其中，第一半导体区的用于放置聚光光伏电池结构的部分与第二半导体区不垂直交叠。
先进 cpv 太阳能电池组件处理

[发明专利]多转移组件处理-CN201480030562.9有效
发明人： R·克劳斯;塞西尔·奥尔内特;E·马扎莱拉;F·迪姆罗特;埃里克·圭奥特 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于多个光伏电池的制造方法，该制造方法包括以下步骤获得相对于彼此以第一距离放置的多个光伏电池(8121‑8124)；将伸展材料(1150)附接至所述多个光伏电池；以及使所述伸展材料伸展(S61)，使得所述多个光伏电池相对于彼此以第二距离产生，其中，所述第二距离大于所述第一距离。
转移组件处理

[发明专利]能使位错移位的制造和处理绝缘体上半导体型结构体的方法及相应结构体-CN200980142148.6无效
发明人：奥列格·科农丘克;埃里克·圭奥特;法布里斯·格雷蒂;迪迪埃·朗德吕;克里斯泰勒·维蒂佐 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明主要涉及一种制造和处理连续包含载体基板(1)、氧化物层(3)和半导体材料的薄层(2)的绝缘体上半导体型结构体的方法，根据所述方法：1)在所述薄层(2)上形成掩模，以界定未被掩模覆盖的所述层的表面上的暴露区域(20)；2)进行热处理，以促使氧化物层(3)的至少部分氧透过薄层(2)扩散，引起对应于所需图案的氧化物层(3)的区域(30)中氧化物的受控去除；所述方法特征在于，所述载体基板(1)和薄层(2)相对于彼此的设置使得它们的晶格在平行于它们的界面(I)的平面中共同形成不超过1°的称为“扭转角”的角，并在垂直于它们的界面(I)的平面中共同形成不超过1°的称为“倾角”的角，其特征还在于使用厚度低于的薄层(2)。
能使位错移位制造处理绝缘体上半导体结构方法相应

[发明专利]包括基片上覆锗层的结构体的制造方法-CN200980114593.1无效
发明人：尼古拉斯·达瓦尔;奥列格·科农丘克;埃里克·圭奥特;塞西尔·奥尔内特;法布里斯·拉勒门特;克里斯托夫·菲盖;迪迪埃·朗德吕 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2009-06-12 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及包括支持基片(1)上覆锗层(3)的结构体的制造方法，其特征在于该方法包括下列步骤：(a)形成包括所述支持基片(1)、氧化硅层(20)和所述锗层(3)的中间结构体(10)，所述氧化硅层(20)与所述锗层(3)直接接触，(b)在中性或还原性气氛中于规定的温度下对所述中间结构体(10)施加规定时间的热处理，从而使来自所述氧化硅层(20)的至少一部分氧通过所述锗层(3)扩散。
包括基片上覆锗层结构制造方法

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