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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体器件-CN200810125628.9有效
发明人：坂田敦子;和田纯一;尾本诚一;羽多野正亮;山下创一;东和幸;中村直文;山田雅基;木下和哉;坚田富夫;莲沼正彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-01-23 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明的发明名称是半导体器件的制造方法以及半导体器件，本发明提供一种与布线材料的密接性良好且具有高阻挡性的金属膜的半导体器件的制造方法以及半导体器件。通过下述工序形成高密度的金属膜和金属氧化膜，其中包括：在第一基板温度，放出在表面形成有凹部的绝缘膜中和绝缘膜表面的氧化源的工序；在低于第一基板温度的第二基板温度下，在绝缘膜上形成金属膜的工序；在形成金属膜后，利用残留在绝缘膜中的氧化源，使金属膜的至少一部分氧化的工序。
半导体器件制造方法以及

[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体器件-CN200610073921.6有效
发明人：坂田敦子;和田纯一;尾本诚一;羽多野正亮;山下创一;东和幸;中村直文;山田雅基;木下和哉;坚田富夫;莲沼正彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-01-23 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供一种与布线材料的密接性良好且具有高阻挡性的金属膜的半导体器件及其制造方法。通过下述工序形成高密度的金属膜和金属氧化膜，其中包括：在第一基板温度，放出在表面形成有凹部的绝缘膜中和绝缘膜表面的氧化源的工序；在低于第一基板温度的第二基板温度下，在绝缘膜上形成金属膜的工序；在形成金属膜后，利用残留在绝缘膜中的氧化源，使金属膜的至少一部分氧化的工序。
半导体器件制造方法以及

[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件-CN200510074824.4无效
发明人：森田敏行;丰田启;松井嘉孝;池谷文敏;坂田敦子;坚田富夫;尾本诚一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-06-03 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：根据本发明的一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：通过电镀方法在其表面中具有凹槽部分的衬底上形成第一金属膜，以将所述第一金属膜埋入所述凹槽部分的至少部分中；通过不同于所述电镀方法的膜沉积方法在所述第一金属膜上形成第二金属膜，所述第二金属膜包括作为主要成分的金属并包含杂质，所述金属是所述第一金属膜的主要成分，所述杂质的浓度低于所述第一金属膜中包含的杂质的浓度；热处理所述第一和第二金属膜；以及除去除了埋入所述凹槽中的部分之外的所述第一和第二金属膜。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200510002925.0有效
发明人：尾本诚一;坚田富夫;东和幸;山口人美;江泽弘和;坂田敦子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-01-26 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，其可以改善带有阻挡金属膜的Cu膜的可靠性以及电气特性等，同时，可以高效并容易地制造提高了可靠性以及电气特性等的半导体器件。在形成于基板(1)上的凹部(5)内，依次地叠层设置第1阻挡金属膜(6)、第2阻挡金属膜(7)和第3阻挡金属膜(8)。各阻挡金属膜(6)、(7)、(8)分别包含属于4－A族、5－A族和6－A族中任一族的至少一种金属元素。第2阻挡金属膜(7)通过CVD法和ALD法中至少一方的方法形成。在不朝大气开放的状态下在第3阻挡金属膜(8)上设置Cu膜(9)、(10)而埋入凹部(5)。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN00104393.5无效
发明人：及川靖;和田纯一;坚田富夫 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2000-03-23 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：不会增加电阻和降低抗EM能力及引起Al凝结的在高宽比高的连接孔内形成Al镶嵌布线的技术。通过形成覆盖连接孔及布线沟(凹部)的内表面的Nb衬膜6，利用溅射在Nb衬膜6上形成不填充凹部内部的第一Al膜7，使其表面吸附氧气8，边加热Si衬底1边在包含凹部的区域上形成第二Al膜而以第一及第二Al膜7填充凹部内部，最后利用CMP去除凹部外部剩余的第一及第二Al膜7。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN99107621.4有效
发明人：达里尔·里斯秦诺;杨智华;汉斯·W·波耶茨伯格;坚田富夫;青地英明 -专利权人：株式会社东芝;国际商业机器公司;西门子公司
申请日： 1999-04-21 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供一种半导体器件的制造方法，尤其是一种薄膜溅射工艺，其中：首先在低温和低溅射功率下，在通孔的侧壁上淀积第一Al-Cu膜，然后在高温和高溅射功率下，在该第一Al-Cu膜上淀积第二Al-Cu膜，形成填充该通孔的金属互连层。溅射是在同一溅射室内的低温和高温的两个步骤内完成的。在低温和低溅射功率下的淀积在该通孔内形成良好覆盖，在高温和高溅射功率下的淀积减少了工艺时间。
半导体器件制造方法

[发明专利]热板及半导体装置的制造方法-CN01125952.3无效
发明人： 坚田富夫;和田纯一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2001-07-10 - 公布日： 2002-02-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法,在放置在半导体制造装置的静电吸盘热板10上吸持晶片3时,从晶片的中央部向外周依次施加吸盘力。从中央部4向外周方向将静电吸盘电极2至少分割成2部分,并从中央的内周部4向外周部5依次施加吸盘电力。首先从晶片施加吸盘力并升温,这时晶片外周部由于吸盘力弱而顺利产生热膨胀,应力保持在低状态,能防止晶片破损。事前感知晶片的背面状态,所以能选择预先决定的升压、除电参数。
半导体装置制造方法

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