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[发明专利]高分子复合压电体及其制造方法-CN201180060592.0有效
发明人：三好哲;佐佐木勉;坂下幸雄 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L41/18 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种高分子复合压电体的高产率制造方法，即使在将高分子复合压电体形成为具有较大的面积时所述高分子复合压电体也能够避免介质击穿和剥离；本发明的目的还在于提供一种高分子复合压电体。所述高分子复合压电体是通过对复合体进行极化处理而获得的，所述复合体中压电体微粒均匀地分散混合在由氰乙基化聚乙烯醇形成的聚合物基质中。
高分子复合压电及其制造方法

[发明专利]钙钛矿型氧化物膜及使用该氧化物膜的铁电体膜、铁电体器件和制造钙钛矿型氧化物膜的方法-CN201180051371.7无效
发明人： 坂下幸雄;舟洼浩;黑泽实;石河睦生;荣西弘;白石贵久 -专利权人：富士胶片株式会社;国立大学法人东京工业大学
申请日： 2011-10-20 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明在于提供一种压电器件，所述器件具有优异的信号传送和接收能力，并适于用作压电传动装置、传感器、超声波传感器或发电器件。一种在衬底(10)上形成的钙钛矿型氧化物膜(1)，所述钙钛矿型氧化物膜(1)具有5μm以上的平均膜厚，并且其特征在于包含由通式(P)表示的钙钛矿型氧化物：(K1-w-x,Aw,Bx)(Nb1-y-z,Cy,Dz)O3，其中：0
钙钛矿型氧化物使用铁电体器件制造方法

[发明专利]聚合物复合压电材料和使用该材料的压电器件-CN201010297127.6有效
发明人： 坂下幸雄;三好哲;佐佐木勉 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2010-09-28 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C08L101/00 文献下载
摘要：本发明提供一种聚合物复合压电材料和使用该材料的压电器件。形成聚合物复合压电材料(1，1a，1b)，其包含有机聚合物树脂基体(12a，12b)和包含在所述基体(12a，12b)中的压电材料(11a，11b)。压电材料(11a，11b)包含具有由下面的通式(PX)表示的组成的钙钛矿氧化物：(Bix，A1-x)(By，C1-y)O3(PX)，其中A表示除Pb外的平均离子价为2的A位元素，B表示平均离子价为3的B位元素，C表示平均离子价大于3的B位元素，并且A、B和C各自是一种或多种金属元素，O是氧，B和C具有彼此不同的组成，0.6≤x≤1.0，x-0.2≤y≤x。
聚合物复合压电材料使用器件

[发明专利]轮胎内发电装置及使用该轮胎内发电装置的轮胎监测系统-CN201010297120.4无效
发明人：平林恭稔;坂下幸雄 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2010-09-28 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H02N2/18 文献下载
摘要：本发明提供了轮胎内发电装置以及使用该轮胎内发电装置的轮胎监测系统。在非铅的轮胎内发电装置中实现了高的发电能力。所述装置(2)包括：压电部(20)，该压电部(20)具有由下面的通式(PX)表示的钙钛矿型氧化物的无机压电体：(Bix，A1-x)(By，C1-y)O3 (PX)(在式中，A是除Pb外的平均离子价为2的A位元素，B是平均离子价为3的B位元素，C是平均离子价大于3的B位元素，并且A、B和C各自是一种或多种金属元素。O是氧。B和C具有不同的组成。0.6≤x≤1.0，x-0.2≤y≤x)；一对电极(21，22)，其用于引出电荷，所述电荷是当压电部(20由于对轮胎施加的外力而产生应变时在所述压电部中产生的；以及能量储存单元(23)，其用于储存引出的电荷。
轮胎发电装置使用监测系统

[发明专利]压电器件,含其的压电致动器,液体排出装置和发电装置-CN201010200075.6有效
发明人：小林宏之;坂下幸雄 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2010-06-08 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L41/09 文献下载
摘要：本发明提供一种压电器件，含其的压电致动器，液体排出装置和发电装置，该压电器件在传输能力和接收能力方面均优异，并且适于用作压电致动器、传感器、超声波传感器或发电器件。压电器件(1)包括具有压电性的压电体(13)和一对电极(12，14)，所述一对电极用于在预定方向上对所述压电体施加电场，其中压电体的压电应变常数d₃₃(pm/V)和相对介电常数ε₃₃满足下式(1)和(2)。100＜ε₃₃＜1500 (1)
压电器件致动器液体排出装置发电

[发明专利]悬臂型探测器以及使用该探测器的物质探测系统和物质探测方法-CN200880106805.7无效
发明人： 坂下幸雄 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2008-09-10 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： G01N5/02 文献下载
摘要：悬臂型探测器在液体中含有将要测量的物质时检测该物质。探测器包括：悬臂，所述悬臂至少在一端被固定到支撑部上并且其内形成有通道；压电设备，所述压电设备由压电元件和在所述压电元件的相反侧上形成的电极部构成并且安置在所述悬臂的至少一侧上；驱动部，所述驱动部将电压施加给所述压电设备的所述电极部，以使所述悬臂振动；检测部，所述检测部由所述压电设备的膨胀或收缩检测所述悬臂的振动；和液体供应装置，所述液体供应装置用于使所述液体流动通过在所述悬臂中的所述通道。悬臂型探测器具有测量精度高的特征并且是紧凑和更低成本的。
悬臂探测器以及使用物质探测系统方法

[发明专利]压电元件及其驱动方法、压电装置、液体排出装置-CN200810097094.3有效
发明人： 坂下幸雄;佐佐木勉 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2008-05-14 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L41/09 文献下载
摘要：一种压电元件，具备压电体和对压电体在给定方向施加电场的电极，压电体是在基板上形成的单结晶膜，包含不施加电场时具有结晶性的第1强电介质结晶，由具有在给定的电场强度E1以上的电场施加下，第1强电介质结晶的至少一部分向与第1强电介质结晶不同的结晶系的第2强电介质结晶发生相变的特性的无机化合物结晶组成，在满足下式(1)的条件下被驱动。Emin＜E1＜Emax…(1)(Emin：最小电场施加强度，Emax：最大电场施加强度，E1：从第1强电介质结晶向第2强电介质结晶的相变开始的最小的电场强度)。
压电元件及其驱动方法装置液体排出

[发明专利]压电元件及其制造方法和液体排出装置-CN200810088790.8有效
发明人：小林宏之;坂下幸雄 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2008-05-07 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：一种压电元件及其制造方法和液体排出装置，在压电元件中，压电体膜包含以下强电介质相中的任意一种：由电场施加方向和由自发极化轴和[010]轴构成的面的法线构成的角θm满足－45°＜θm＜+45°且θm≠0°的强电介质相(I)；自发极化轴相对于电场施加方向垂直，且由电场施加方向和由自发极化轴和[010]轴构成的面的法线构成的角θm满足－45°＜θm＜+45°且θm≠0°的强电介质相(II)；以及[010]轴相对于电场施加方向垂直，且由电场施加方向和由自发极化轴和[010]轴构成的面的法线构成的角θm满足－45°＜θm＜+45°且θm≠0°的强电介质相(III)。
压电元件及其制造方法液体排出装置

[发明专利]压电体、压电装置和液体排放设备-CN200810092398.0有效
发明人： 坂下幸雄;佐佐木勉;冈本裕一;中井宗纪 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2008-04-28 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L41/18 文献下载
摘要：一种压电体(13)，含有铁电物质相，所述铁电物质相的特征为，在从没有施加电场时增加外加电场的情况下，所述铁电物质相向不同晶系的铁电物质相的相变至少发生两次。优选地，所述压电体(13)应在使得最小外加电场Emin和最大外加电场Emax满足公式(1)的条件下被驱动，Emin＜E1＜Emax (1)，其中电场E1表示所述铁电物质相的第一次相变开始时的电场。
压电装置液体排放设备

[发明专利]压电器件、驱动该器件的方法、压电设备和液体排放设备-CN200680035458.4有效
发明人： 坂下幸雄;藤井隆满;菱沼庆一 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2006-09-15 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L41/09 文献下载
摘要：一种压电器件(1)包括：压电体(13)以及多个电极(12，14)，它们将电场以预定方向施加到所述压电体(13)。所述压电体(13)包含一种无机化合物多晶体，该无机化合物多晶体包含当未施加电场时具有晶体取向特性的第一铁电物质晶体，并且该无机化合物多晶体具有这样的特性，即，通过施加至少为预定电场E1的电场，所述第一铁电物质晶体的至少一部分经历了到其晶系不同于所述第一铁电物质晶体的晶系的第二铁电物质晶体的相变。在所施加的最小电场Emin和所施加的最大电场Emax满足Emin＜E1＜Emax的条件下所述压电器件(1)被驱动。
压电器件驱动方法设备液体排放

[发明专利]钙钛矿型氧化物及其制备方法、压电体、压电装置和液体排出装置-CN200710154271.2有效
发明人： 坂下幸雄;佐佐木勉 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2007-09-17 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：一种用于制备具有由组成式(A，B，C)(D，E，F)O₃表示的组成的压电氧化物的方法，式中，A、B、C、D、E和F中的每一个都表示一种或多种金属元素。确定所述组成，以使满足条件(1)0.98≤TF(P)≤1.01、(2)TF(ADO₃)＞1.0、(3)TF(BEO₃)＜1.0和(4)TF(BEO₃)＜TF(CFO₃)＜TF(ADO₃)，式中，TF(P)是由组成式(A，B，C)(D，E，F)O₃表示的复合物的容许因子，而TF(ADO₃)，TF(BEO₃)和TF(CFO₃)分别是由组成式ADO₃、BEO₃和CFO₃表示的复合物的容许因子。
钙钛矿型氧化物及其制备方法压电装置液体排出

[发明专利]薄膜电容元件用组合物、绝缘膜、薄膜电容元件和电容器-CN200610160562.8有效
发明人： 坂下幸雄;舟洼浩 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2002-08-26 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明是在基板(4)上依次形成下部电极(6)、电介质薄膜(8)和上部电极(10)的薄膜电容器(2)。电介质薄膜(8)由薄膜电容元件用组合物构成，该薄膜电容元件用组合物具有c轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物，该铋层状化合物用组成式：(Bi₂O₂)²⁺(A_m－1B_mO_3m+1)^2－或Bi₂A_m－1B_mO_3m+3表示，上述组成式中的符号m为偶数，符号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca和Bi的至少1种元素，符号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo和W的至少1种元素。电容率的温度特性优良，同时即使变薄也具有较高的电容率且损耗低，漏电特性优良，耐电压提高，表面平滑性也优良。
薄膜电容元件组合绝缘电容器

[发明专利]高介电常数绝缘膜、薄膜电容元件、薄膜叠层电容器及薄膜电容元件的制造方法-CN200480011316.5无效
发明人： Y·宫本;坂下幸雄 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2004-02-24 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种电介质薄膜(8)，具有第1铋层状化合物层(8a)，该第1铋层状化合物层(8a)用组成式：(Bi₂O₂)²⁺ (A_m－1B_mO_3m+1)^2－、或者Bi₂A_m－1B_mO_3m+3表示，上述组成式中的记号m为正数，记号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca及Bi的至少1种元素，记号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo和W的至少1种元素。在该第1铋层状化合物层(8a)和下部电极(6)之间形成有比第1铋层状化合物层(8a)的组成式过剩地含有铋的第2铋层状化合物层(8b)。
介电常数绝缘薄膜电容元件电容器制造方法

[发明专利]磁性石榴石单晶膜形成用基板及其制造方法、光学元件及其制造方法-CN200480008878.4无效
发明人：内田清志;坂下幸雄;大井户敦 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2004-01-28 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：一种制造用以使磁性石榴石单晶膜液相外延生长的磁性石榴石单晶膜形成用基板2的方法。首先，形成由对用以使液相外延生长使用的熔剂不稳定的石榴石系单晶构成的衬底基板10。接着，在衬底基板10的至少一个结晶培养面上形成由对熔剂稳定的石榴石系单晶薄膜构成的缓冲层11。在该衬底基板10上形成缓冲层11时无需主动地加热基板，用溅射法等薄膜形成法在衬底基板10上形成缓冲层11。
磁性石榴石单晶膜形成用基板及其制造方法光学元件

[发明专利]磁性石榴石单晶膜形成用基板、光学元件及其制造方法-CN200480008681.0无效
发明人：内田清志;坂下幸雄;大井户敦 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2004-01-28 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：用于液相外延生长不产生结晶缺陷、翘曲、裂纹、剥离等的厚膜状的磁性石榴石单晶膜的磁性石榴石单晶膜形成用基板(2)。该基板(2)具备：基底基板(10)，其包含对于液相外延生长所用的助熔剂不稳定的石榴石类单晶；缓冲层(11a)，其在基底基板(10)中结晶培育面(10a)上形成、且包含对于助熔剂稳定的石榴石类单晶薄膜；以及保护层(11b)，其至少在与基底基板(10)中结晶培育面交叉的所述基底基板的侧面(10b)形成、且对于助熔剂稳定。使用该基板，能够制备高质量的磁性石榴石单晶膜。该磁性石榴石单晶膜能够作为光隔离器、光环形器、光磁传感器等所用的法拉第元件等光学元件使用。
磁性石榴石单晶膜形成用基板光学元件及其制造方法

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