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[发明专利]扩频接收器和测试方法-CN202310238519.2在审
发明人： O·B·A·塞勒;F·A·维尔纳 -专利权人： 商升特公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H04B1/69 文献下载
摘要：本发明涉及扩频接收器和测试方法。一种表征LoRa调制信号或具有多个线性调频作为符号的任何此类信号的方法。它预见到：采样和存储信号，确定信号中至少一个线性调频的相位，并基于该相位来确定定时误差和/或频率误差，定时误差是通过循环移位位置处的相位中的间断阶跃的高度提取的，而频率误差是通过相位的斜率获得的。该方法可以应用于专用接收器，以用于表征LoRa发射器。
接收器测试方法

[发明专利]具有减少谐波的瞬态电压抑制二极管及其制造和使用方法-CN201710930501.3有效
发明人： M.戈尔班扎德;J.克拉克;W.A.拉塞尔 -专利权人： 商升特公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本申请涉及具有减少谐波的瞬态电压抑制二极管及其制造和使用方法。半导体器件包括半导体管芯。在半导体管芯中形成瞬态电压抑制（TVS）结构。在半导体管芯上形成电容器。在一个实施例中，通过在半导体管芯上沉积第一导电层、在第一导电层上沉积绝缘层、以及在半导体管芯上沉积第二导电层来形成电容器。在另一个实施例中，通过在半导体管芯中形成沟道、在沟道中沉积绝缘材料、以及在沟道中沉积导电材料来形成电容器。
具有减少谐波瞬态电压抑制二极管及其制造使用方法

[发明专利]跨阻放大器设备和光接收机-CN202310118318.9在审
发明人： M·G·哈格曼;B·法尔扎内 -专利权人： 商升特公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H03F3/08 文献下载
摘要：本申请涉及跨阻放大器(TransImpedance Amplifier，TIA)设备和光接收机，特别涉及适用于使用突发模式通信接收数据的TIA设备。所述设备具有跨阻放大器，所述跨阻放大器被配置成基于输入信号的输入节点处的电流产生第一电压。例如虚设TIA的受控电压源基于第一控制电流产生第二电压。控制器被配置成基于输入信号幅度的指示来共同控制所述第一控制电流和第二控制电流。所述第一控制电流控制可用作限制电平的所述第二电压。所述第二控制电流被从所述输入节点处的所述电流减去并且可提供DC恢复电流。
放大器设备接收机

[发明专利]跨阻抗放大器、光学接收器及电子装置-CN202310058356.X在审
发明人： C·J·博恩;M·G·哈格曼;D·I·斯米特 -专利权人： 商升特公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H04B10/291 文献下载
摘要：一种跨阻抗放大器TIA、光学接收器及电子装置，所述TIA包括：第一放大器级，具有耦合到所述输入节点的第一输入端并具有第一输出端；反馈路径，在所述第一输出端与所述第一输入端之间；第二放大器级，在所述反馈路径中，具有第二输入端，所述第二输入端耦合到所述第一放大器级的所述第一输出端；反馈电阻器，在所述反馈路径中，耦合在所述第二放大器级的输出端与所述第一放大器级的第一输入端之间；以及输出级，包括：负载电阻器，耦合在参考电压节点与T线圈之间，所述T线圈包括串联耦合在电感器节点处的第一电感器和第二电感器，所述T线圈耦合在所述第一输出端与所述负载电阻器之间，所述电感器节点耦合到所述TIA的所述输出节点。
阻抗放大器光学接收器电子装置

[发明专利]堆叠半导体管芯以用于系统级ESD保护的半导体装置和方法-CN202310474789.3在审
发明人：黄昌俊;J.克拉克 -专利权人： 商升特公司
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开制造半导体装置的方法和半导体装置。所述方法包括：提供包括第一分立瞬态电压抑制(TVS)二极管的第一半导体管芯；提供包括第二分立TVS二极管的第二半导体管芯；将所述第二半导体管芯设置在所述第一半导体管芯上方，其中所述第一分立TVS二极管和所述第二分立TVS二极管并联电耦合；将所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯设置在引线框上方；以及在所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯上方沉积密封剂。
堆叠半导体管芯用于系统 esd 保护装置方法

[发明专利]半导体器件及形成用于预成型基底的脱模结构的方法-CN202011268750.9有效
发明人：亨利·德斯卡尔索·巴桑;齐格蒙德·拉米雷斯·卡马乔 -专利权人： 商升特公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：一种半导体器件，具有基底面板，该基底面板具有基底，该基底具有第一基底区域和在第一基底区域的覆盖区之外的第二基底区域。多个半导体管芯或离散IPD被设置在第一基底区域上方。基底区域102a具有用于半导体管芯的电互连线。使用传递模塑工艺将模塑料设置在半导体管芯和第一基底区域上方，这留下了模具剔除件和设置在第二基底区域上方的模具浇口。在模具浇口下方的第二基底区域中形成基底边缘。该基底边缘延伸到模塑料下方的第一基底区域中，以加固模具浇口并减少脱模期间的破裂。基底边缘可具有多种形式，例如平行杠、斜杠、正交杠及其组合。
半导体器件形成用于成型基底脱模结构方法

[发明专利]用于便携式无线设备的接近传感器-CN202310012676.1在审
发明人： C·罗艾西亚;R·勒莱福伦德 -专利权人： 商升特公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01D5/24 文献下载
摘要：一种用于便携式无线连接设备的接近传感器，该传感器被布置成确定用户身体的一部分是否在便携式无线连接设备附近。该传感器产生时间平均接近度，当该设备被带到用户身体的一部分附近达给定时间时该时间平均接近度被断言，并且可以在接近时段期间被周期性地短暂地重置。可与SAR测试中使用的积分时间相比的积分时间，使得当便携式设备在身体附近时，传感器可以有利地用于降低由便携式设备发射的无线电功率，该积分时间可以通过被配置为速率压缩单元的西格玛/德尔塔调制器来获得。
用于便携式无线设备接近传感器

[发明专利]用于电过应力和静电放电保护的方法和器件-CN202310611092.6在审
发明人： D.J.罗斯;W.A.拉塞尔;J.克拉克 -专利权人： 商升特公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于电过应力和静电放电保护的方法和器件。由沿信号源与负载之间的传输线串联电耦合的串联保护电路保护半导体器件免于电过应力(EOS)和静电放电(ESD)事件。串联保护电路包括串联电耦合在信号源与负载之间的第一场效应晶体管(FET)。并联保护电路电耦合在传输线与接地节点之间。并联保护电路可以包括瞬态电压抑制(TVS)二极管。
用于应力静电放电保护方法器件

[发明专利]移动装置中的电容接近传感器和限制辐射吸收的方法-CN202110186630.2有效
发明人： T.库珀;C.劳埃斯亚 -专利权人： 商升特公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01B7/14 文献下载
摘要：本发明涉及移动装置中的电容接近传感器和限制辐射吸收的方法。根据本发明的连接的便携式装置，具有与用于在射频段进行数据传输和接收的天线相连接的射频接口，其中所述天线具有电容性地连接在一起的第一区段和第二区段、多信道接近传感器，所述多信道接近传感器具有读取所述第一区段的电容量的第一输入信道和读取所述第二区段的电容量的第二输入信道，其中所述第一输入信道和所述第二输入信道具有不同的灵敏度，而且所述多信道接近传感器被布置成基于所述第一区段的电容量和所述第二区段的电容量来生成接近信号，所述接近信号指示用户的身体部分接近所述天线。
移动装置中的电容接近传感器限制辐射吸收方法

[发明专利]半导体器件和形成具有三侧可润湿侧翼的衬底的方法-CN202211563657.X在审
发明人： H·D·巴森;Y·陈 -专利权人： 商升特公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和形成具有三侧可润湿侧翼的衬底的方法。半导体器件具有衬底和形成在衬底的两侧或更多侧上的引线。电部件设置在衬底上并用凸块或接合线电连接到引线。电部件被密封。去除衬底的一部分以在引线的至少三侧上形成可润湿侧翼。衬底具有模制化合物，并且引线设置在模制化合物内或与模制化合物相邻。模制化合物的一部分可以保留在衬底的拐角处。引线具有在引线的第一侧上的第一表面或凹陷的表面、在引线的第二侧上的第二表面或凹陷的表面、以及在引线的第三侧上的第三表面或凹陷的表面。对引线的表面的一部分进行镀覆。
半导体器件形成具有三侧可润湿侧翼衬底方法

[发明专利]用于电过应力和静电放电保护的方法和器件-CN201810263749.3有效
发明人： D.J.罗斯;W.A.拉塞尔;J.克拉克 -专利权人： 商升特公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明涉及用于电过应力和静电放电保护的方法和器件。由沿信号源与负载之间的传输线串联电耦合的串联保护电路保护半导体器件免于电过应力（EOS）和静电放电（ESD）事件。串联保护电路包括串联电耦合在信号源与负载之间的第一场效应晶体管（FET）。并联保护电路电耦合在传输线与接地节点之间。并联保护电路可以包括瞬态电压抑制（TVS）二极管。
用于应力静电放电保护方法器件

[发明专利]堆叠半导体管芯以用于系统级ESD保护的半导体装置和方法-CN201710234357.X有效
发明人：黄昌俊;J·克拉克 -专利权人： 商升特公司
申请日： 2017-02-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开堆叠半导体管芯以用于系统级ESD保护的半导体装置和方法。一种半导体装置具有包括第一保护电路的第一半导体管芯。包括第二保护电路的第二半导体管芯被设置在第一半导体管芯上面。移除第一半导体管芯和第二半导体管芯的一部分以减小管芯厚度。形成互连结构以共同地连接第一保护电路和第二保护电路。使入射到互连结构的瞬变情况共同地通过第一保护电路和第二保护电路放电。具有保护电路的任何数目半导体管芯可以被堆叠并经由互连结构而互连以增加ESD电流放电能力。可以通过将第一半导体晶片设置在第二半导体晶片上面然后将晶片单片化来实现管芯堆叠。替换地，使用管芯到晶片或管芯到管芯组装。
堆叠半导体管芯用于系统 esd 保护装置方法

[发明专利]全球导航卫星系统接收机-CN202211326065.6在审
发明人： N·索宁;宁宝柱 -专利权人： 商升特公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G01S19/37 文献下载
摘要：本发明涉及一种全球导航卫星系统(GNSS)接收机(16)，包括：1)射频(RF)前端(1)；以及2)接收机单元(2)。所述GNSS接收机(16)被配置成：至少使用与至少两个快照时间窗口(14)相对应的所确定的伪距，来在复合接收时间处确定所述GNSS接收机(16)与发射GNSS卫星的复合子集之间的复合伪距。本发明还涉及一种组件(6、16、17、18)，包括GNSS接收机(16)、网关(17)和计算单元(18)。本发明还涉及一种用于确定GNSS接收机(16)的位置的方法。
全球导航卫星系统接收机

[发明专利]用于RF控制的接近传感器-CN202211156502.4在审
发明人： C·罗艾西亚 -专利权人： 商升特公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H04B1/3827 文献下载
摘要：用于RF控制的接近传感器。本发明涉及一种用于适配天线（4）的预设匹配阻抗的电子部件（1）。电子部件（1）包括1）用于测量传感器的电容的电容测量电路（2），其中测量的电容指示天线（4）的使用情况，2）射频（RF）开关（3），被配置用于将至少一个选择的阻抗电连接到RF输出（6），其中至少一个选择的阻抗是具有至少两个元件的阻抗的组（5）中的阻抗，其中RF开关（3）能够提供阻抗的组（5）中的任何阻抗与RF输出（6）之间的电连接，并且其中至少一个选择的阻抗被配置用于适配预设匹配阻抗，以及3）数字处理器（7），具有对至少一个阈值和测量电容的访问。本发明还涉及一种用于适配天线（4）的预设匹配阻抗的方法。
用于 rf 控制接近传感器

[发明专利]用于线性调频调制无线电信号的发射机、接收机和方法-CN202110564500.8有效
发明人： O·B·A·塞勒;C·J·J·德沃塞勒 -专利权人： 商升特公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H04B1/04 文献下载
摘要：线性调频调制无线电信号的发射机、接收机和方法。用于线性调频调制无线电信号的发射机，包括：线性调频生成器，被配置为生成一系列线性调频信号，其中每个线性调频携带被编码为循环移位的信息的元素，并且具有对依赖于线性调频的循环移位的纠错码进行编码的相位；进一步包括被配置为将一系列线性调频调制到无线电信号上的调制器和发射无线电信号的无线电发射机。用于线性调频调制无线电信号的接收机，包括时钟单元和被配置用于解调一系列接收的线性调频信号的解调器，该解调器具有去线性调频单元，该去线性调频单元被配置用于基于接收的线性调频的相位确定每个接收的线性调频相对于基本线性调频和纠错码的循环移位，该接收机具有同步校正单元。
用于线性调频调制无线电信号发射机接收机方法

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