“唐卓睿”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果17个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]衬底预热系统、方法、电子设备、存储介质及外延设备-CN202210171589.6有效
发明人：孔倩茵;唐卓睿;王慧勇;刘欣;毛朝斌 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及衬底预热系统、方法、电子设备、存储介质及外延设备，用于在反应前对衬底进行预热，包括：预热装置、反应装置、移动装置、控制器，控制器与预热装置、反应装置和移动装置电性连接，用于获取预热装置内的第一温度信息和反应装置内的第二温度信息，还用于调节预热装置的温度和反应装置的温度，在反应装置需要装入新的衬底时，控制预热装置升温和反应装置降温，并在第一温度信息大于或等于第二温度信息时，同时控制预热装置停止升温和反应装置停止降温，并控制移动装置将预热装置内新的衬底转移至反应装置中，本申请通过上述系统，实现衬底从预热装置移动到反应装置的动态控制，提高了衬底的预热效率。
衬底预热系统方法电子设备存储介质外延设备

[发明专利]外延设备镀膜厚度监控方法、装置、电子设备及存储介质-CN202210686166.8有效
发明人：戴科峰;高桑田;仇礼钦;唐卓睿;黄吉裕 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种外延设备镀膜厚度监控方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取反应腔输出尾气中的至少一种主反应气体和/或至少一种生成气体的输出浓度信息；根据所述输出浓度信息及至少一种所述主反应气体的输入浓度信息计算所述外延薄膜的沉积厚度信息；该方法基于输出浓度信息计算外延薄膜的沉积厚度信息，其中输出浓度信息能直接反映出不可视的反应腔中的薄膜沉积的反应速率，从而实现了沉积厚度信息的实时计算，便于用户控制反应生成预期厚度的外延片，以提高外延片的生产精度。
外延设备镀膜厚度监控方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种托盘基座、气流驱动装置及外延设备的反应室机构-CN202111187817.0有效
发明人：孔倩茵;唐卓睿;赵海英;王慧勇;刘欣 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本申请涉及外延生长技术领域，具体公开了一种托盘基座、气流驱动装置及外延设备的反应室机构，其中，托盘基座底部设有多个圆周阵列的气流槽，多个气流槽通过一进气槽连通，气流槽包括：内槽，与进气槽连通；外槽，与内槽和托盘基座边缘连通；内槽深度小于外槽深度以使得进气槽导入的气流进入内槽中增大动压而托起托盘基座后，再进入外槽中朝外释放而驱动托盘基座旋转；该托盘基座将气流槽设置为内槽和外槽两部分，使得导入的气流从进气槽导入至内槽时产生较大的动压而将托盘基座浮起，其后气流再进入外槽中朝外释放以驱动托盘基座旋转，从而实现了托盘基座先浮起后旋转的启动方式。
一种托盘基座气流驱动装置外延设备反应机构

[发明专利]一种外延炉氢气吸收系统、方法、电子设备及存储介质-CN202111665014.1有效
发明人：王鑫;高桑田;钟新华;仇礼钦;盛飞龙;唐卓睿;戴科峰 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请涉及外延炉技术领域，具体提供了一种外延炉氢气吸收系统、方法、电子设备及存储介质，该系统包括：传送腔；存片腔，与所述传送腔连接；氢气吸收装置，设置在所述传送腔内，用于吸收所述传送腔内的氢气；氢气浓度检测装置，设置在所述传送腔内，用于采集所述传送腔内的氢气浓度信息；控制器，用于在对存片腔进行晶片上料或下料前，获取所述氢气浓度信息，还用于当所述氢气浓度信息大于或等于第一阈值时，控制所述氢气吸收装置吸收所述氢气直至所述氢气浓度信息小于第二阈值；通过氢气吸收装置吸收传送腔内的氢气，无需对反应腔执行抽真空和通入惰性气体的操作，从而有效地减少降低传送腔内的氢气浓度所需要的时间，提高外延炉的运行效率。
一种外延氢气吸收系统方法电子设备存储介质

[发明专利]外延设备的系统权限控制方法、装置、设备及存储介质-CN202111348403.1有效
发明人：仇礼钦;戴科峰;黄吉裕;高桑田;唐卓睿;罗骞 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及权限控制技术领域，具体公开了一种外延设备的系统权限控制方法、装置、设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：在外延设备执行上料操作前，获取许可证的剩余可用时间；在剩余可用时间不足一个生长周期时，禁用上料操作的启动权限，生成续期提醒信息，并在加热组件及供气组件处于运行状态时，保持加热组件及供气组件正常运行；该方法在获知许可证的剩余可用时间不足一个生长周期时，发出续期提醒信息，避免用户未能及时续期而导致外延设备停机，同时禁用上料操作的启动权限，使得外延设备在该情况下不能继续进行上料，避免新的衬底置入反应腔内且用户未能及时进行许可证续期而导致该新的衬底生长失败的情况发生。
外延设备系统权限控制方法装置存储介质

[发明专利]反应腔内外延片测温方法、装置、电子设备及存储介质-CN202211005536.3在审
发明人：盛飞龙;钟新华;唐卓睿;徐俊;仇礼钦;谢利华 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G01K7/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种反应腔内外延片测温方法、装置、电子设备及存储介质；该方法包括：将热电偶温度计充当外延片放置于反应腔内的衬底托盘上，也将钨铼热电偶放在反应腔内，在预设的第一加热温度范围内获取钨铼热电偶与热电偶温度计之间的温度变换关系，即是获得钨铼热电偶与外延片实际温度之间的变换关系；在外延反应过程中，根据钨铼热电偶和测温探头测取的温度、以及钨铼热电偶与热电偶温度计之间的温度变换关系，换算得到关于外延片实际温度与测温设备所测取的温度之间的变换关系；在实际反应中，只需根据测温探头测得的温度，即可获得外延片的实际温度；该方法简单，实用，可直接获取到外延片的实际温度。
反应外延测温方法装置电子设备存储介质

[发明专利]PECVD设备的清洗时间预测方法、装置、设备及介质-CN202210687606.1在审
发明人：戴科峰;刘自然;何嵩;唐卓睿;吴国发 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种PECVD设备的清洗时间预测方法、装置、设备及介质，其中，方法包括以下步骤：在清洗PECVD设备时，获取预设采集时间内反应腔排出的尾气中的至少一种反应气体浓度变化信息和/或至少一种反应后气体浓度变化信息；基于反应气体浓度变化信息和/或反应后气体浓度变化信息，以及预设采集时间生成清洗进度函数；根据清洗进度函数生成预测时间信息和/或提醒信息；该方法基于清洗过程中反应腔排出的气体成分生成清洗进度函数，利用该清洗进度函数可快速分析出清洗工艺的进程及完成清洗的时间，使得用户能获知预测时间信息和/或提醒信息，从而实现清洗时长的准确控制。
pecvd 设备清洗时间预测方法装置介质

[发明专利]一种感应线圈螺距调节装置、系统及方法-CN202210749237.4在审
发明人： 唐卓睿;孔倩茵;戴科峰;仇礼钦;王鑫;毛朝斌;谢利华 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H05B6/40 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造设备技术领域，具体提供了一种感应线圈螺距调节装置、系统及方法，其中，装置包括：距离调节组件，具有两个调节臂，所述调节臂用于调节每匝所述感应线圈之间的螺距；第一水平驱动组件，与所述距离调节组件连接，用于驱动所述距离调节组件沿平行于所述感应线圈的螺旋轴心线的方向位移；竖直驱动组件，与所述第一水平驱动组件连接，用于驱动所述第一水平驱动组件沿所述感应线圈的径向的方向位移，以使所述距离调节组件朝向或背离所述感应线圈的螺旋轴心线位移；该装置无需通过手工测量试错的方式对螺距进行调节并有效地降低调节感应线圈的螺距的人力成本。
一种感应线圈螺距调节装置系统方法

[发明专利]一种反应室温度测量系统、方法、装置及温度调节方法-CN202110938495.2有效
发明人：盛飞龙;钟新华;胡承;吴帆;戴科峰;唐卓睿 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明涉及温度测量技术领域，具体公开了一种反应室温度测量系统、方法、装置及温度调节方法，系统用于测量反应室内高温工况下的温度分布情况，包括：反应室，其外壁设有一测温口；测温器，用于测量反应室内温度情况，与测温口摆动连接；摆动驱动器，用于驱动测温器在测温口内摆动；控制器，用于控制摆动驱动器运行使测温器在测温口中摆动以获取反应室内不同位置的温度信息，控制器根据不同位置的温度信息绘制热场曲线。该系统仅需在反应室外壁设置一测温口安装测温器便可进行区域化测温，避免反应室开设过多测温孔导致反应室中热量散失，并能基于温度信息绘制热场曲线，为反应室内温度工况分析、调节提供数据基础。
一种反应温度测量系统方法装置调节

[发明专利]一种半导体退火方法、退火装置及退火系统-CN202210681195.5在审
发明人：刘欣然;高桑田;唐卓睿;郭嘉杰;何嵩;吴国发 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/263 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体公开了一种半导体退火方法、退火装置及退火系统，其中，方法包括以下步骤：获取SiC半导体片材的表面温度信息；利用低于单晶硅的熔点温度的加热温度对SiC半导体片材进行微波加热；在表面温度信息达到预设的第一温度阈值时，对SiC半导体片材进行移动性的电子束加热，直至完成SiC半导体片材退火处理；该方法利用微波加热处理将SiC半导体片材加热到第一温度阈值能将SiC半导体片材退火处理所需温度下降至预期范围内，再利用电子束加热对SiC半导体片材进行精确的温控退火处理，能在保证退火处理效果的情况下，降低了退火处理温度、提高退火处理效率。
一种半导体退火方法装置系统

[发明专利]一种半导体薄膜生长感应加热式设备的反应腔结构-CN202210272717.6在审
发明人： 唐卓睿;樊嘉杰;张国旗 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体薄膜生长感应加热式设备的反应腔结构，属于半导体制备领域，包括由内到外依次设置的加热件、保温层和石英管壁；所述加热件包括上石墨件、下石墨件以及碳化硅侧壁，所述上石墨件和所述下石墨件均呈中空状，所述上石墨件的底面与所述下石墨件的顶面相对，且所述上石墨件的底面两侧分别通过所述碳化硅侧壁与所述下石墨件的顶面两侧相连接；其中，所述下石墨件的中空状内腔中还设置有石墨柱，所述石墨柱的两端分别连接所述中空状内腔的顶壁和底壁。本发明不但能够提高反应腔的加热效率，还能够提高其内部的温度均匀性。
一种半导体薄膜生长感应加热设备反应结构

[发明专利]一种外延炉反应腔的清洗系统、方法、设备和存储介质-CN202210056227.2有效
发明人： 唐卓睿;孔倩茵;毛朝斌;王慧勇;王鑫;刘欣 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： B08B9/087 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种外延炉反应腔的清洗系统、方法、设备和存储介质，该系统用于清洗外延炉反应腔顶壁上堆积的杂质，该系统包括移动装置；激光测距仪，安装在移动装置上，用于测量激光测距仪到反应腔顶壁的最短距离以获取距离信息；可升降的清洗装置，安装在移动装置上，用于对反应腔顶壁的杂质进行清洗；控制器，用于实时获取激光测距仪测得的距离信息和获取反应腔模型，进而获取清洗路径信息，并根据上述信息生成杂质厚度信息组；还可根据清洗路径信息控制移动装置移动和根据杂质厚度信息组调节清洗装置的升降高度，以逐步清洗反应腔顶壁的杂质，此方法无需拆卸反应腔即可得到光洁的反应腔顶壁。
一种外延反应清洗系统方法设备存储介质

[发明专利]一种外延工艺设备用安全保护泄压系统及外延工艺设备-CN202111369721.6在审
发明人：刘欣;唐卓睿;毛朝斌;赵海英 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： F17D1/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种外延工艺设备用安全保护泄压系统及外延工艺设备，该系统用于调节外延设备反应腔内的气压，所述外延工艺设备用安全保护泄压系统包括:主动泄压管路，与所述反应腔出口连接；被动泄压管路，与所述反应腔出口连接，所述被动泄压管路上设置有爆破阀，所述爆破阀用于在所述反应腔内压力异常且所述主动泄压管路失效时进行泄压；控制器，与所述主动泄压管路电性连接，用于获取反应腔内的压力信息，并根据所述压力信息控制所述主动泄压管路的开关以调节所述反应腔内的气压。通过设计主动泄压管路和被动泄压管路实现反应腔中气压异常时的双重防护,有效保障人员与设备的人身财产安全。
一种外延工艺备用安全保护系统工艺设备

[发明专利]一种外延反应器托盘基座转速检测装置及外延反应器-CN202111207799.8在审
发明人： 唐卓睿;张国旗;樊嘉杰 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G01P3/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延反应器托盘基座转速检测装置及外延反应器，属于半导体领域，外延反应器包括反应腔，反应腔内设置有用于承托衬底的托盘基座，反应腔具有流经托盘基座的气流通道以及分别位于气流通道两端的进气端口和出气端口，装置包括设于托盘基座上且随托盘基座的旋转而圆周运动的定位器、位于进气端口与出气端口的信号发射器和信号接收器以及与信号接收器通信连接的计速器，信号发射器用于发射被定位器周期性阻挡的激光信号，信号接收器用于接收激光信号，计速器用于根据激光信号被阻挡的频率计算获取托盘基座的角速度信息。本发明能够在不破坏保温层及石墨层结构的情况下完成托盘基座的测速，具有测量精度高、反应灵敏、结构简单的特点。
一种外延反应器托盘基座转速检测装置

[发明专利]外延设备的反应工况调节方法、装置、系统及电子设备-CN202111088462.X在审
发明人：戴科峰;仇礼钦;唐卓睿;黄吉裕;罗骞 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延设备的反应工况调节方法、装置、系统及电子设备，其中，所述方法包括以下步骤：实时获取所述外延设备的反应室的尾气浓度信息；根据所述尾气浓度信息调节所述反应室内的温度和/或所述反应室内反应气体的流量；该方法实时获取的尾气浓度信息能反映出反应室内晶体生长情况，该方法根据实时获取的尾气浓度信息调节温度和/或反应气体的流量能改变反应工况，能及时地进行反应室内反应工况的动态反馈调节，以使反应室内的晶体生长情况满足预期需求。
外延设备反应工况调节方法装置系统电子设备

1
2
下一页»
尾页
共 17 条