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[实用新型]一种物料脱水装置-CN202223450298.5有效
发明人：王正宇;代素芳 -专利权人：王正宇;唐光亚;陈玲;王轶男
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： F26B9/06 文献下载
摘要：本实用新型属于物料烘干技术领域，公开了一种物料脱水装置，包括：两个风箱，所述两个风箱的侧壁分别设置有通气口，所述两个风箱中的其中一个风箱设置有进风口，且另外一个风箱设置有排风口；至少两个物料箱，所述物料箱设置有进料口，且所述物料箱还设置有卸料口，所述物料箱的侧壁设置有通气口，所述至少两个物料箱的内部通过各自侧壁上的通气口相互连通；所述物料箱全部布置在所述两个风箱之间，所述风箱的内部和与之相邻的物料箱的内部通过该物料箱侧壁上的通气口和该风箱侧壁上的通气口相连通。本实用新型能够实现在静态和动态的烘干过程中二次利用热风，防止高温低湿的热风被直接排出造成浪费。
一种物料脱水装置

[发明专利]一种物料脱水装置及物料脱水方法-CN202211654978.0在审
发明人：王正宇;代素芳 -专利权人：王正宇;唐光亚;陈玲;王轶男
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： F26B9/06 文献下载
摘要：本发明属于物料烘干技术领域，公开了一种物料脱水装置及物料脱水方法，其中物料脱水装置，包括：两个风箱，所述两个风箱的侧壁分别设置有通气口，所述两个风箱中的其中一个风箱设置有进风口，且另外一个风箱设置有排风口；至少两个物料箱，所述物料箱设置有进料口，且所述物料箱还设置有卸料口，所述物料箱的侧壁设置有通气口，所述至少两个物料箱的内部通过各自侧壁上的通气口相互连通；所述物料箱全部布置在所述两个风箱之间，所述风箱的内部和与之相邻的物料箱的内部通过该物料箱侧壁上的通气口和该风箱侧壁上的通气口相连通。本发明能够实现在静态和动态的烘干过程中二次利用热风，防止高温低湿的热风被直接排出造成浪费。
一种物料脱水装置方法

[发明专利]一种多光束光掩膜板曝光系统-CN201910019432.X在审
发明人：陈新晋;唐光亚 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种多光束光掩膜板曝光系统，在所述曝光系统中设置至少一个双折射偏光棱镜，从而可以使得一道光束被分离成具有一定分离角γ的两道光束，提高了对光掩膜板曝光和写入的速度，提高了生产效率、降低了生产成本。其中，所述双折射偏光棱镜包括渥拉斯顿棱镜。本发明还提供了一种采用上述曝光系统对光掩膜板进行写入的方法，具备上述技术效果。
一种光束光掩膜板曝光系统

[发明专利]掩膜版组件及掩膜版保护组件去除方法-CN201811454862.6在审
发明人：高丁山;唐光亚 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜版组件及掩膜版保护组件的去除方法，掩膜版组件包括，光掩模版；掩膜版保护组件，掩膜版保护组件通过粘结物粘接在光掩模版上；以及冷却装置，冷却装置至少将粘结物冷却，从而使得粘结物脱离所述光掩模版。通过上述技术方案，本发明的掩膜版组件及掩膜版保护组件去除方法，通过冷却的方式使得光掩模版和保护框之间的粘结物脱离光掩模版，可以是使二者之间的粘结物硬化，从而使得粘结物脱离光掩模版，可以使得粘结物与保护框一同被移除，上述方式使得粘结物不会残留在光掩模版上，从而可以有效防止光掩模版的污染，防止光掩模版报废，提升光掩模版的清洗良率。
掩膜版组件保护去除方法

[实用新型]用于回收建筑楼层施工废弃物的通道装置-CN201920481779.1有效
发明人：赵建芳;赵磊;唐光亚 -专利权人：中建七局第二建筑有限公司
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： E04F17/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于回收建筑楼层施工废弃物的通道装置，包括竖直输送通道、投料口、减速挡板、双层出料口；竖直输送通道由四面通道壁包围一条竖直中空的内腔构成；投料口设置在竖直输送通道的一面侧壁上；减速挡板通过弹性元件的牵引在自由状态下横旦在竖直输送通道的内腔，减速挡板在竖直输送通道内腔上方的重物下落通过时可向下打开使得竖直输送通道通畅；双层出料口设置在竖直输送通道的底部，双层出料口由上层的大粒径出料口和下层的小粒径出料口构成，且上层的大粒径出料口和下层的小粒径出料口用分离筛在中间隔开。本实用新型结构简单，拆装便捷，垃圾依靠自身重力作用沿密封通道下落至建筑底部。
用于回收建筑楼层施工废弃物通道装置

[发明专利]用于制造半导体晶片的外围遮光型掩膜结构及其制造方法-CN200810041066.X有效
发明人： 唐光亚 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-07-25 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种用于制造半导体晶片的外围遮光型掩膜结构的制造方法，所述方法包括提供衬底，所述衬底包括覆盖该衬底的不透明层、覆盖的负光刻胶层、覆盖所述负光刻胶层的停止层、和覆盖所述停止层的正光刻胶层；所述方法包括图案化所述正光刻胶层，在所述正光刻胶层中形成一个或多个窗口；所述方法还包括移除所述一个或多个窗口中的被暴露的停止层，暴露部分负光刻胶层和图案化所述暴露部分的负光刻胶层；所述方法包括显影所述暴露部分的负光刻胶层和移除暴露部分的不透明层，暴露下面的部分衬底；所述方法进一步包括移除任何剩余部分的负光刻胶层、停止层和正光刻胶层，提供图案化的掩膜。所述图案化的掩膜用于集成电路的制造。本发明还提供一种用于制造半导体晶片的外围遮光型掩膜结构。
用于制造半导体晶片外围遮光膜结构及其方法

[发明专利]使用光纤对光敏材料进行图案化的无掩模方法与结构-CN200710039506.3无效
发明人：邱慈云;黄景熙;唐光亚 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-04-12 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： G02B6/04 文献下载
摘要：一种用于图案化诸如半导体晶圆、玻璃板、复合物等目标物体的方法。所述方法提供一个目标物体，该目标物体具有一个光敏材料的覆层。所述方法包括有选择地将光通过复数个光纤核芯中的一个或多个光纤核芯。每个所述光纤核芯具有一个输入端和一个输出端。每个输入端都耦合到光源。所述复数个光纤核芯编号为1到N，其中N是大于1的整数。每个输出端也编号为1到N，其分别对应于编号为1到N的所述复数个光纤核芯的每个光纤核芯。所述方法将光敏材料曝光给有选择地通过所述一个或多个光纤核芯发射的光。所述一个或多个光纤核芯分别通过所述光纤核芯的一个或多个输出端来输出光。编号为1到N的每个输出端与分别编号为1到N的像素相关联。
使用光纤光敏材料进行图案无掩模方法结构

[发明专利]电解式掩膜铬膜的蚀刻制程方法-CN03141695.0无效
发明人： 唐光亚 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2003-07-18 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： C25F3/14 文献下载
摘要：本发明提供一种电解式掩膜铬膜的蚀刻制程方法，包含以下步骤：在基底上形成一铬膜材质的薄膜；在薄膜上形成图样光阻掩膜而构成一待蚀刻装置；将该待蚀刻装置沉置于一电解溶液；将该薄膜与一电源的正极电接触；将该电解溶液与该电源的负极电接触；实施电解反应；以及将该待蚀刻装置自该电解溶液中取出。
电解式掩膜铬膜蚀刻方法

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