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[发明专利]一种雾相输运化学气相沉积生长氧化镓的薄膜生长系统-CN202310211232.0在审
发明人：张茂林;姚苏昊;姚佳飞;刘增;郭宇锋;唐为华 -专利权人：南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明属于化学气相沉积的材料生长方法技术领域，具体地说，是一种雾相输运化学气相沉积生长氧化镓的薄膜生长系统，包括气流导管、气流喷管、气流输运管道、气流恒温装置和温度监测装置，气流喷管和温度监测装置通过法兰部分嵌套于气流输运管道内部，气流恒温装置位于气流输运管道内部。气流恒温装置提高了薄膜生长区的热导率，实现薄膜生长区的温场均匀化，气流喷管提前对低温气流进行加热，降低气流对薄膜生长区的温场影响，从而获得更均匀的薄膜生长温度，温度监测可以准确的获得薄膜生长区的温度，从而实现最优的生长环境。本发明为实现高均匀度和高纯度的氧化镓外延薄膜制备提供一种有效的生长系统。
一种输运化学沉积生长氧化薄膜系统

[发明专利]一种氧化镓横向肖特基二极管的结构及制造方法-CN202310234783.9在审
发明人：张茂林;马万煜;姚佳飞;刘增;郭宇锋;唐为华 -专利权人：南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件技术领域，具体地说，是一种氧化镓横向肖特基二极管的结构及制造方法，包括由下往上依次排列的衬底、氧化镓外延层和钝化层，阳极电极与阴极电极穿通所述钝化层并嵌于所述氧化镓外延层中，且所述钝化层、电极、外延层与衬底的形状、尺寸一一匹配，本发明主要通过阴极电极与阳极电极穿通钝化层并嵌于氧化镓外延层中，增加了金属电极与半导体材料的接触面积，利于形成稳定的金属与半导体之间的肖特基接触或欧姆接触，凹槽结构提高了金属半导体接触区域与整个功率器件的导电性和稳定性，使得功率器件的性能更稳定，且可用于高压功率电路于系统。
一种氧化横向肖特基二极管结构制造方法

[发明专利]一种基于PEDOT:PSS/SiC有机无机异质结的自供电紫外光电探测器-CN202310156323.9在审
发明人：李山;冯淦荣;唐为华;姚佳飞 -专利权人：南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于PEDOT:PSS/SiC有机无机异质结的自供电紫外光电探测器及其制备方法，包括衬底；PEDOT:PSS有机层，所述PEDOT:PSS有机层为p型导电，所述PEDOT:PSS有机层附着于所述衬底表面；第一电极，与所述衬底形成欧姆接触；以及，第二电极，与所述PEDOT:PSS有机层形成欧姆接触。本发明可以实现自供电的光电探测模式，即在零偏压下也能完成光信号到电信号的转换响应度大，外量子效率高，制备方法简单，使用成本低。
一种基于 pedot pss sic 有机无机异质结供电紫外光电探测器

[发明专利]一种基于GaN/PEDOT:PSS平面异质结的忆阻器及其制备方法-CN202310156271.5在审
发明人：李山;唐为华;姚佳飞 -专利权人：南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10K10/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GaN/PEDOT:PSS平面异质结的忆阻器及其制备方法，包括衬底；GaN薄膜，所述GaN薄膜为p型导电，所述GaN薄膜附着于所述衬底表面；PEDOT:PSS有机层，所述PEDOT:PSS有机层为p型导电，所述PEDOT:PSS有机层附着于所述GaN薄膜表面；第一电极，与所述GaN薄膜形成欧姆接触；以及，第二电极，与所述PEDOT:PSS有机层形成欧姆接触。本发明通过GaN/PEDOT:PSS异质结产生的空间电荷层与GaN薄膜氮空位的共同作用，可以在外置电压的控制下实现器件电阻在高阻态和低阻态之间切换，实现数据的非易失性写入和擦除。
一种基于 gan pedot pss 平面异质结忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种氧化锆坩埚制备氧化镓单晶的方法-CN202211097581.6在审
发明人： 唐为华;田亚文;李山 -专利权人：北京镓和半导体有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓单晶的制备方法，其特点在于使用氧化锆作为坩埚容器，通过第一发热体镓金属和第二发热体氧化镓锆坩埚的共同作用使氧化镓原料熔化，进而实现无铱金生长的氧化镓单晶。本发明操作简单有效，避免了贵金属铱金的使用，极大的降低了氧化镓单晶的制备成本，有利于氧化镓单晶的工业化生产和科研探索。
一种氧化锆坩埚制备氧化镓单晶方法

[发明专利]一种α相氧化镓晶体的制备方法-CN202211105969.6在审
发明人： 唐为华;冯淦荣;李山 -专利权人：北京镓和半导体有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明提供的一种α相氧化镓晶体的制备方法。通过设计腔体结构、选定坩埚及熔盐材料，成功在高温高压的六面顶压机内生长出α相氧化镓晶体。上述方法包括以下步骤：取一定粒度的5N氧化镓粉末(β相)和熔盐材料按一定比例充分混合后进行静压成型；在手套箱内将氧化镓籽晶(α相)放置在坩埚底部后将成型后的原料压入坩埚；采用常规密封方式将坩埚密封后置于六面顶压机内；升压升温后以常规方法包括缓慢降温法、温度梯度法、降温降压法进行一定时间的生长即可得到毫米级的α相氧化镓晶体。
一种氧化晶体制备方法

[发明专利]一种柔性自供电的氧化镓光电探测器及其制备方法-CN202211256228.8在审
发明人：王霞;秦冬冬;王豆;刘增;唐为华 -专利权人：山西工程技术学院
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性自供电的氧化镓光电探测器及其制备方法，光电探测器包括：柔性氟晶云母衬底(110)；氧化镓薄膜层(120)，设于所述柔性氟晶云母衬底(110)的表面；欧姆电极(130)和肖特基电极(140)，设置在所述氧化镓薄膜层(120)表面且相互之间不接触。该光电探测器100具有自供电特性，可以实现无线独立式应用，具有节能环保的特点；而且具有很好的柔韧性，可以实现便捷式携带使用；再者，由于氧化镓是高温直接沉积制备，结晶性较好、厚度和面积可控、且具有较好的热稳定性和可重复性。
一种柔性供电氧化光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于氧化镓深紫外光电探测器及其制备方法-CN202211256233.9在审
发明人：王霞;秦冬冬;王豆;刘增;唐为华 -专利权人：山西工程技术学院
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氧化镓深紫外光电探测器及其制备方法，光电探测器包括：柔性氟晶云母衬底；氧化镓薄膜层，设置在所述柔性氟晶云母衬底的表面；栅介质层，设置在所述氧化镓薄膜层的表面，且所述栅介质层为绝缘透明件；其中，在所述栅介质层上制备有栅电极，在所述氧化镓薄膜层的非栅介质层区域制备有源电极和漏电极。该光电探测器可以过栅极调节漏极电流，具有灵敏度高、能耗低且可控性强的特点；而且具有很好的柔韧性和透明度，在深紫外探测的可穿戴柔性电子领域有很好的应用前景；再者，由于氧化镓是在柔性氟晶云母衬底上高温沉积得到，结晶性较好、厚度和面积可调控、且具有较好的热稳定性和可重复性，制备工艺简单、易于集成。
一种基于氧化深紫光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种全透明柔性氧化镓日盲光电探测器及其制备方法-CN202211256229.2在审
发明人：王霞;秦冬冬;王豆;刘增;唐为华 -专利权人：山西工程技术学院
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种全透明柔性氧化镓日盲光电探测器及其制备方法，包括：柔性氟晶云母衬底；第一石墨烯层，设于所述柔性氟晶云母衬底的表面；氧化镓薄膜，设于所述第一石墨烯层的表面；第二石墨烯层，设于所述氧化镓薄膜的表面；其中，所述第一石墨烯层和所述第二石墨烯层分别作为两个电极。该探测器通过采用柔性氟晶云母衬底可以实现探测器具有较高的柔韧性；由于石墨烯为透明材料，选择第一石墨烯层和第二石墨烯层作为两个电极可以使光电探测器具有更好的透光能力，其中，而第一石墨烯层既可以作为透明电极，又可以提高氧化镓薄膜的晶体质量，而且该探测器结构简单，透明度好，性能优越，稳定性好。
一种透明柔性氧化镓日盲光电探测器及其制备方法

[发明专利]spiro-MeOTAD/Ga2-CN202110320139.4有效
发明人： 唐为华;晏祖勇;李培刚 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提出了一种spiro‑MeOTAD/Ga2O3/Si p‑i‑n光电二极管型日盲紫外探测器，依次包括第一电极，空穴传输层，光吸收层，电子传输层以及第二电极，其中，所述空穴传输层能够透过日盲紫外光，采用p型spiro‑MeOTAD有机物薄膜；所述光吸收层用于吸收日盲紫外光，采用Ga2O3薄膜；所述电子传输层为n型Si衬底；所述第一电极与所述空穴传输层欧姆接触；所述第二电极与所述电子传输层欧姆接触。本发明还公开了spiro‑MeOTAD/Ga2O3/Si p‑i‑n光电二极管型日盲紫外探测器的制备方法。该p‑i‑n结构日盲紫外探测器的制备工艺简单，器件性能优异，可探测日盲紫外光信号，并能实现无外置能源驱动下的自供电模式，适用于探测性能好，灵敏度高的日盲紫外光探测系统。
spiro meotad ga base sub

[发明专利]增强VOx-CN202110315874.6有效
发明人： 唐为华;李山;李培刚 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种增强VOx‑Ga2O3异质结自供电光响应性能的方法，包括：制备VOx‑Ga2O3异质结，对制备的VOx‑Ga2O3异质结进行二次特定气氛退火，以提升电子‑空穴的分离能力和载流子输运能力。本发明的方法可以改变界面处的接触特性和VOx材料的V元素价态比率以及Ga2O3材料的晶体质量，有效促进VOx‑Ga2O3异质结光电器件的自供电光响应性能的提升；本发明的方法操作简便，成本低廉，效果明显，有利于科学研究借鉴和工业化生产流程。
增强 vo base sub

[发明专利]一种V2-CN202110299201.6有效
发明人： 唐为华;李山;李培刚 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2021-03-21 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供了一种V2O5‑Ga2O3异质结自供电日盲光电探测器及制备方法。所述探测器包括作为n型导电的Ga2O3材料和作为p型导电的V2O5材料形成的V2O5‑Ga2O3异质结，以及与上述材料欧姆接触的电极。本发明的制备方法通过对V2O5‑Ga2O3异质结进行二次退火，促进了平面异质结的形成和内建电场的产生，使异质界面可以有效分离激发态的电子‑空穴对，实现自供电工作模式。本发明提供的V2O5‑Ga2O3异质结自供电日盲光电探测器探测灵敏度高，响应速度快，其制备方法易于实现及有效，生产成本低，有利于生产和研究推广。
一种 base sub

[发明专利]基于银纳米线-石墨烯/氧化镓纳米柱的光电探测结构、器件及制备方法-CN201910393502.8有效
发明人：郭道友;刘琦;王顺利;李培刚;唐为华 -专利权人： 唐为华
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于银纳米线‑石墨烯/氧化镓纳米柱的光电探测结构及相应的制备方法，以及光电探测器。所述结构包括：衬底、形成于所述衬底上的氧化镓纳米柱、形成于所述氧化镓纳米柱上的银纳米线‑石墨烯复合薄膜。所述方法包括在衬底上生成氧化镓纳米柱，在所述氧化镓纳米柱上转移形成石墨烯薄膜，在所述石墨烯薄膜上附着银纳米线。本发明具有制备工艺简单、成本低廉、易大规模生产等优点。本发明的光电探测器具有自供电、光谱选择性好的特点，对日盲紫外光具有响应度大、灵敏度高等特性。
基于纳米石墨氧化光电探测结构器件制备方法

[发明专利]氧化镓单晶制备中抑制原料分解和铱金坩埚氧化的方法-CN202111460474.0在审
发明人： 唐为华;李山 -专利权人：北京镓和半导体有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：一种氧化镓单晶制备中抑制原料分解和铱金坩埚氧化的方法。所述方法包括：在控制温度条件下生长氧化镓晶体，且将氧化镓的生长温度划分成至少两个的温度区间，对每一个温度区间设置不同的生长气氛。本发明的方法将氧化镓单晶制备过程中的温度细分为多个区间，通过不同温区气氛比例的精确控制，达到抑制原料分解挥发和铱金坩埚氧化挥发的目的，从而降低设备损耗，提高单晶质量，降低生产成本。本发明操作简单有效，成本低廉，有利于氧化镓单晶的工业化生产和科研探索。
氧化镓单晶制备抑制原料分解坩埚方法

[发明专利]一种LDMOS性能优化的自适应衬底电压调节电路-CN202111035555.6在审
发明人：郭宇锋;李曼;蔡志匡;姚佳飞;张珺;唐为华 -专利权人：南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明提供了一种LDMOS性能优化的自适应衬底电压调节电路，通过电压比较器和单输入双输出直流稳压电源转换器控制LDMOS关态和开态的衬底电压，在提高关态击穿电压的同时保证开态性能不变，改善了两者的折衷关系。在实际制造过程中，采用常规的CMOS工艺就可以实现该技术，无需增加额外掩模版和工艺流程，制备简单，成本低廉。
一种 ldmos 性能优化自适应衬底电压调节电路

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