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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]移相掩模及其制造方法-CN95103300.X无效
发明人： 咸泳穆 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1995-03-21 - 公布日： 2002-09-18 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：一种移相掩模，能够实现透光膜和遮光膜之间边界的相位变化，由此防止形成不希望的图形，及制造移相掩模的方法。该移相器具有位于透射光膜和遮光膜之间边界的倾斜边缘部分。该方法包括腐蚀移相器的步骤，如此，使形成的移相器在透光膜和遮光膜之间有一个倾斜边缘部分。
移相掩模及其制造方法

[发明专利]相移掩模-CN95108595.6无效
发明人： 咸泳穆 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1995-06-23 - 公布日： 2002-09-18 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种相移掩模，目的是修正位于掩模周围部分的不透光图形，由此补偿掩模周围部分当光通过掩模后光强相对减小引起的光强偏差。本发明保证光刻胶膜的图形临界尺寸的均匀度，这样就保证了半导体元器件的可靠性和生产效率。
相移

[发明专利]半色调式相移掩模及其制造方法-CN95101326.2无效
发明人： 咸泳穆 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1995-01-29 - 公布日： 2002-05-29 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：公开了一种半色调式相移掩模；包括有一个透明衬底；一个覆盖有半色调式透光图形的相移图形，它们均具有一个将透明衬底的一预定区域曝露的窗口，且该网膜透光图形具有的厚度是使仅5-20％的入射光透射；一个遮光图形，覆盖除去覆盖有半色调式透光图形的相移图形和窗口之外的透光区域的全部区域，其中入射光只穿透覆盖有半色调式透光图形的窗口和该相移图形。这种半色调式相移掩模能够防止光线对不希望区域的入射，并因而能够获得具有超光滑表面的光刻胶图形。#!
色调相移及其制造方法

[发明专利]相移掩模及其制造方法-CN95101040.9无效
发明人：金永武;咸泳穆 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1995-01-19 - 公布日： 2002-03-27 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：一种相移掩模及其制造方法，该相移掩模带有沟槽，该沟槽是通过将相移膜图形边缘所在的透明衬底部分蚀刻一定深度得到的，因而能防止由于使用Levenson型相移掩模而留下不希望有的光致抗蚀剂膜的残留物之现象。$#!
相移及其制造方法

[发明专利]制造半色调式相移掩模的方法-CN94113347.8无效
发明人： 咸泳穆 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1994-12-30 - 公布日： 1999-04-07 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造相移掩模的方法，该方法的优点是仅采用传统铬掩模而不需要特殊设备和附加设计，又降低生产成本，提高加工能力，从而提高生产效率。
制造色调相移方法

[发明专利]相移掩模-CN95104026.X无效
发明人： 咸泳穆 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1995-03-21 - 公布日： 1998-08-05 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种相移掩模能够利用中间色调型掩模形成的图形除掉由于０°相位的光和１８０°相位的光相遇产生的寄生图象。该相移掩模包括具有透光部分和遮光部分的光刻胶膜图形，用于改变通过光刻胶膜图形透光部分的光相位的相移层，用于除掉由于主光波形相对的两边光的衍射而形成的光的主要波形不需要成分的辅助图形，该辅助图形包括用于把入射在其上的光的相位改变到０°的透光层。
相移

[发明专利]形成半导体器件接触孔的方法-CN94119591.0无效
发明人： 咸泳穆 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1994-12-23 - 公布日： 1997-12-24 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：一种形成接触孔的方法，能够得到一个增强了的设计规则，从而能够形成具有临界尺寸的接触孔。该方法是在即将形成许多接触孔的半导体衬底上涂覆一层光刻胶薄膜，然后用两个曝光掩模把光刻胶膜曝光。这两个掩模中的每一掩模都具有互相排列成对角线式且与另一掩模上的窗口互相排列成垂直的窗口，因而，形成光刻胶膜图形，用于使在半导体衬底上分别相应于接触孔的绝缘薄膜暴露。
形成半导体器件接触方法

[发明专利]一种制造半导体器件的方法-CN94113356.7无效
发明人： 咸泳穆 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1994-12-30 - 公布日： 1997-08-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的方法，通过使用第一、第二掩模进行两次曝光可以形成希望得到的图形。这得益于消除了干涉现象，增大了例如存储电极的电容量。
一种制造半导体器件方法

[发明专利]移相掩模的制作方法-CN95104070.7无效
发明人： 咸泳穆 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1995-03-11 - 公布日： 1996-01-24 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：公开一种移相掩模的制作方法。为了制造移相掩模，在石英基片的遮光部分上形成蚀刻凹槽，然后在蚀刻凹槽的中心位置形成铬。该移相掩模不使用移相材料而产生移相效果，由此提高光的对比度。
移相掩模制作方法

[发明专利]半色调式相移掩模及其制备方法-CN94113348.6无效
发明人： 咸泳穆 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1994-12-30 - 公布日： 1996-01-24 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半色调式相移掩模，它包括一个透明衬底，其上依次叠层有一个相移图形和一个铬图形，两图形具有一个窗口，所述窗口暴露出所述透明衬底的一个预定区域，所述铬图形在靠近窗口处有一个台阶，该台阶的厚度仅可以透过大约5～50％的在所述半色调式相移掩模上照射的射入光束。本发明还提供了制备上述半色调式相移掩模的方法。本发明能够防止在未指定区域光的透入，这样能够获得一种具有良好平滑轮廓的光刻胶图形。
色调相移及其制备方法

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