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[发明专利]一种天线及通信设备-CN202111555384.X在审
发明人：王亚飞;刘俊杰;刘先锋;周礼繁;何超超 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01Q3/34 文献下载
摘要：本申请提供了一种天线及通信设备，用以减小天线的重量和尺寸，提高天线的通信质量。天线包括多个移相器，移相器包括移相器腔体，多个所述移相器腔体并列设置、相邻的两个所述移相器腔体焊接连接，多个所述移相器腔体形成所述天线的反射板。
一种天线通信设备

[实用新型]天线组件和基站-CN202223509784.X有效
发明人：李晓强;刘明生;高扬;周礼繁;王宁 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01Q1/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种天线组件和基站，属于通信技术领域。天线组件包括下支架、上支架、天线、中心轴和锁止件，下支架支撑天线，中心轴与天线固定连接且贯穿上支架，锁止件与中心轴的顶端螺纹连接。天线组件具有第一状态和第二状态，在第一状态下，锁止件压紧上支架，则锁止件和上支架相固定，中心轴和天线的位置被锁止，天线的波束指向固定。在第二状态下，锁止件松开上支架，则中心轴和天线可以一起转动，随着天线的转动，天线的波束指向也相应调整。
天线组件基站

[发明专利]一种反铁磁自旋电子太赫兹波发射器-CN202211110622.0在审
发明人：金飚兵;邱红松;吴镝;周礼繁 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种反铁磁自旋电子太赫兹波发射器，包括单晶衬底和异质结结构，所述异质结结构包括反铁磁薄膜和重金属层，所述异质结结构为纳米级厚度的薄膜结构，所述反铁磁薄膜为无杂散磁场的过渡金属氧化物单晶薄膜，所述异质结结构生长在单晶衬底上。本发明还公开了一种对反铁磁自旋电子太赫兹波幅值调控的方法。本发明实现了无杂散场和抗磁场干扰的反铁磁自旋电子太赫兹波发射器的相干调控。
一种反铁磁自旋电子赫兹发射器

[发明专利]自旋效应微电子集成测试台-CN201910540658.4有效
发明人：栾仲智;缪冰锋;赵辉;周礼繁;吴镝 -专利权人：南京大学
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G01N24/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种自旋效应微电子集成测试台，该测试台包括处于稳恒磁场中并绕水平轴旋转的样品台，所述样品台包括用于测量样品电信号的测量单元、用于在样品处形成激发其产生自旋流的微波场的微波单元、以及用于在垂直于样品平面的方向上建立温度梯度的加热单元。本发明无需重新制样，对同一样品中的多种自旋效应相关参数进行多次测量，节约测量时间，还可以同时对样品施加直流电流、微波及温度梯度，用于测量多种参数之间的相互耦合效应。
自旋效应微电子集成测试

[发明专利]兼容反射式高能电子衍射测量的磁控溅射设备-CN202010570730.0在审
发明人：栾仲智;周礼繁;刘赣;梁彬;吴镝 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种兼容反射式高能电子衍射测量的磁控溅射设备，包括六个及以上的偶数个磁控溅射靶，均位于样品下方的同一平面上并均匀分布环绕着样品在该平面的投影，且若干个磁控溅射靶以共溅射的方式倾斜安装，靶中心均指向样品，相邻磁控溅射靶中永磁体的磁化构型相反；该设备还包括用于RHEED测量的电子枪、荧光屏和摄像头，均设于真空腔体主体上，所述电子枪发射电子束掠入射至样品表面，从样品出射的电子束在所述荧光屏上成像，由摄像头采集RHEED的图像信息。本发明实现了在磁控溅射腔体内存在磁场的情况下，兼容反射式高能电子衍射测量，可以对样品表面的薄膜溅射过程实现原位实时的监测。
兼容反射高能电子衍射测量磁控溅射设备

[发明专利]一种宽温区强磁场中热电效应的电学测量方法-CN201910572602.7在审
发明人：赵辉;栾仲智;周礼繁;缪冰锋;吴镝 -专利权人：南京大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽温区强磁场中热电效应的电学测试方法，包括以下步骤：(1)在基片上生长磁性绝缘体薄膜和金属薄膜组成待测样品；(2)将待测样品的磁性绝缘薄膜一侧用导电银胶和金属块粘接，在样品薄膜的金属薄膜一侧上涂上低温绝缘导热胶和加热贴片电阻粘接；(3)金属块和样品座相连，样品座放入到低温强磁场平台，测得磁性绝缘体薄膜一侧的温度；(4)通过贴片电阻通电前后的阻值变化测得最终的温度差。本发明可在较大的温度范围(2K～400K)内，定量测量磁性绝缘体薄膜中的温度梯度，测试信号信噪比好，能测到nV量级信号。
磁性绝缘体薄膜待测样品金属薄膜热电效应金属块宽温区强磁场样品座粘接低温强磁场绝缘导热胶测试信号导电银胶电学测量电学测试定量测量加热贴片绝缘薄膜贴片电阻温度梯度样品薄膜阻值变化温度差信噪比电阻放入通电生长