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[发明专利]一种制备硒化钨/硒化铟二维垂直异质结的方法-CN202310147363.7在审
发明人： 周溯媛;祁祥;王广;姚博文 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备硒化钨/硒化铟二维垂直异质结的方法。本发明主要是，两步逆向气流化学气相沉积直接制备硒化钨/硒化铟二维垂直异质结。使用第一步逆向气流化学气相沉积单层WSe2薄片，在升温阶段引入逆向气流，硒化钨粉末作为前驱体，在管式炉中加热，在基片上沉积单层WSe2薄片；再使用第二步逆向气流化学气相沉积法在生长好WSe2薄片上沉积In2Se3异质结，在升温阶段引入逆向气流，将第一步生长好的WSe2薄片作为衬底，硒化铟粉末作为前驱体进行加热，得到硒化钨/硒化铟二维垂直异质结。本发明由于在升温过程引入逆向气流，能够避免升温阶段化合物提前沉积，避免化合物过饱和生长，能够获得大尺寸，高结晶度和平整度的异质结，性能稳定，应用价值更高，反应常压下进行，对设备要求低，适合大规模生产。
一种制备硒化钨硒化铟二维垂直异质结方法

[发明专利]一种二维硒化钨的生长方法-CN202211536717.9在审
发明人：王广;吕志权;周溯媛;杨鸣;彭刚 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明属于材料技术领域，具体涉及一种二维硒化钨的生长方法，以硒化钨为靶材，加热；加热到目标温度时，通入保护气体，进行化学气相沉积，将硒化钨沉积在衬底上，生长完成后，迅速降温以阻止合成的硒化钨受到刻蚀，得到二维硒化钨；在加热过程中，从衬底向靶材通入保护气体；本申请的二维硒化钨可以通过控制温度，得到不同的晶体形态，且底层的硒化钨的尺寸较好；本申请的硒化钨晶体的均匀性较好，各层之间的耦合作用差异较大；两层硒化钨之间具有均匀的应变分布和层间耦合，二维硒化钨的整体质量较高。
一种二维硒化钨生长方法

[发明专利]一种二维α相硒化铟的生长方法-CN202211461709.2在审
发明人：王广;周溯媛;祁祥 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种二维α相硒化铟的生长方法，以硒化铟为靶材，加热，在目标温度下通入保护气体和氢气的混合气体，进行化学气相沉积，将硒化铟沉积在衬底上，得到二维α相硒化铟；所述目标温度为800‑900℃，在加热过程中，从衬底向靶材通入保护气体；本申请在加热升温阶段采用逆向气流，逆向气流可以很好地避免在升温过程中过早出现化合物生长成核，可以使其更容易获得大面积的原子级薄膜，α相硒化铟的生长质量较好，表面平整度更高，在整个过程中气流方向可以随时切换，操作较为简便；采用本申请的方案，可以调整反应参数，比如气流速度、沉积时间等，调节α相硒化铟的生长，改变生长层厚及尺寸等，满足产品的各种需要。
一种二维相硒化铟生长方法