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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种半导体封装件-CN202320023669.7有效
发明人：陈道隆;周泽川 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体封装件，包括：线路结构，包括导电线路；第一电子元件和第二电子元件，并排设置在线路结构上，导电线路包括位于第一电子元件和第二电子元件之间的区域下方的桥接线路，第一电子元件通过桥接线路电连接第二电子元件，桥接线路是导电聚合物材料。本申请的目的在于提供一种半导体封装件，以提高半导体封装件的结构稳定性。
一种半导体封装

[实用新型]接合结构-CN202221228654.6有效
发明人：陈昭丞;张皇贤;周泽川 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请涉及接合结构。该接合结构包括第一接合单元，该第一接合单元包括：第一金属垫；第一绝缘层，覆盖所述第一金属垫的顶面外侧，并界定出位于所述第一金属垫顶侧的第一开孔；以及第一金属层，覆盖所述第一金属垫的顶面并位于所述第一开孔中，并且与所述第一金属垫之间形成有非化合物界面。该接合结构有利于提高金属层边缘的清晰度，进而提高金属层对接时的对位精度。
接合结构

[发明专利]半导体封装装置-CN202111188896.7在审
发明人：陈昭丞;张皇贤;周泽川 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开涉及半导体封装装置。该半导体封装装置包括：线路层，表面设置有焊盘，焊盘表面设置有金属粒子层；电子元件，设置于线路层上，主动面通过打线与焊盘电连接，打线的一端键合至金属粒子层上。通过在金属粒子层上键合打线的一端，降低了打线与焊盘电连接时的键合温度，进而改善因打线与焊盘直接结合时的键合温度软化线路层介电材料导致的焊盘下陷的问题。
半导体封装装置

[发明专利]半导体装置和其制造方法-CN202010447298.6在审
发明人：陈昭丞;张皇贤;吕文隆;庄劭萱;陈憬儒;周泽川 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置和其制造方法。所述方法包含提供第一衬底。所述方法还包含在所述第一衬底上形成第一金属层。所述第一金属层包含第一金属材料。所述方法进一步包含用包含第二金属材料的离子的溶液处理所述第一金属层的第一表面。另外，所述方法包含在所述第一金属层的所述第一表面的一部分上形成包含所述第二金属材料的多个金属颗粒。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置封装-CN201711234942.6有效
发明人：赖晋圆;陈瑭原;吕盈绪;陈道隆;林光隆;洪志斌;周泽川;陈明宏;潘纪宏 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明涉及包括衬底、半导体装置和底部填充的半导体装置封装。衬底包含限定安装区域的顶部表面以及在顶部表面上并且邻近于安装区域的屏障区段。半导体装置安装在衬底的安装区域上。底部填充安置在半导体装置与衬底的安装区域和屏障区段之间。在底部填充的表面与屏障区段之间的接触角大于或等于约90度。
半导体装置封装

[发明专利]电路基板构造及其制作方法-CN201310041396.X有效
发明人：王昱祺;翁肇甫;黄泰源;徐悠和;周泽川;赵兴华;吴荣富;陈志松 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开一种电路基板构造及其制作方法，所述电路基板构造主要包含一个氧化硅基板层及多个导线。每一所述导线垂直穿过所述氧化硅基板层。本发明的电路基板构造的氧化硅基板层及多个导线能取代现有硅间隔层及硅穿导孔的功能，以运用在一间隔件的上下表面电路之间的电性连接。相较于现有硅穿导孔在制作上较为费时，本发明结合打线工艺与溶胶凝胶法制作导线及氧化硅基板层，可以节省加工时间及降低制作成本。
路基构造及其制作方法

[发明专利]电容构造及其制作方法-CN201310046969.8有效
发明人：钟旻华;周泽川;唐和明;杨秉丰 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开一种电容构造及其制作方法，所述电容构造包含一第一金属层、一钽金属层、一复合材料层及一第二金属层。所述钽金属层设于所述第一金属层上；所述复合材料层设于所述钽金属层上；以及所述第二金属层设于所述复合材料层上。所述复合材料层包含五氧化二钽基材，并掺杂有二氧化钛复合材料颗粒。本发明通过一阳极氧化处理使所述钽金属层上形成一钽金属氧化层，再利用一钛塩溶液以及通过一加热过程形成所述复合材料层，以作为所述电容构造的介电材料层。相较现有干式制造方法使用沉积工艺需要较长的沉积时间及较高的设备与制造成本，本发明的湿式制造方法可节省电容的制作时间及降低成本，且能相对提升电容构造的电性表现。
电容构造及其制作方法

[发明专利]半导体剥离溶剂的回收系统-CN201210397432.1无效
发明人：黄文宏;黄敏龙;周泽川;王秀枝;杨秉丰 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： B01D3/00 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体剥离溶剂的回收系统，其包含一剥离器、一蒸馏器、一热交换器及一混合器，所述半导体剥离溶剂的回收系统主要将所述剥离器使用过的剥离溶剂通过所述蒸馏器、热交换器及混合器纯化后回收使用，除了可节省剥离溶剂的材料成本外，也符合环保概念。
半导体剥离溶剂回收系统

[发明专利]间隔件及其制造方法-CN201210163526.2有效
发明人： 周泽川;唐和明;黄东鸿;黄文宏 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种间隔件及其制造方法。所述间隔件包含一光刻胶型封胶体，具有一第一表面以及一第二表面，并包含数个通孔以及数个导电柱。所述通孔贯穿所述第一表面与第二表面，所述导电柱对应填充于所述通孔中。所述间隔件另包含一第一图案化线路层及一第二图案化线路层，分别形成于所述封胶体的第一及第二表面。所述第二图案化线路层通过所述导电柱电性连接至所述第一图案化线路层，其中所述光刻胶型封胶体包含光刻胶材料、环氧树脂以及填充颗粒，且所述填充颗粒的直径小于两个相邻所述导电柱的间距的三分之一。
间隔及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201210028258.3无效
发明人：李德章;陈纪翰;陈建桦;周泽川;杨秉丰;施旭强 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括基板及电容结构。电容结构包括第一导电层、第二导电层及介电层。第一导电层形成于基板上。第二导电层具有一侧面。介电层形成于第一导电层与第二导电层之间，且具有一侧面，介电层的侧面与第二导电层的侧面间隔一距离。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]采用就地再生的硫酸作为催化剂的一体化工艺-CN99102854.6无效
发明人： 周泽川;周照胜;陈宜琳 -专利权人： 周泽川;周照胜
申请日： 1999-03-09 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： C07C2/62 文献下载
摘要：本发明公开一种将链烯烃烷基化和再生废硫酸的一体化工艺。链烯烃的烷基化可以用甲苯的硝化或者氯碱工艺代替。将硫酸用作催化剂或者吸收剂，并将废硫酸就地再生，并在链烯烃的烷基化、甲苯的硝化或者氯碱工艺中循环。本发明还对适用的再生器设计作了说明。
采用就地再生硫酸作为催化剂一体化工艺

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