专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果218个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种双层中空隔声混凝土板及其施工方法-CN201410532958.5有效
  • 姚华伟;薛红飞;谷志旺;邢文杰;张铭;周晓莉;黄轶 - 上海建工四建集团有限公司
  • 2014-10-11 - 2015-01-21 - E04B5/32
  • 本发明提供了一种双层中空隔声混凝土板及其施工方法,涉及混凝土构件技术领域。针对现有的双层中空楼板的空气层中,部分模板封闭在其内无法取出,导致双层中空楼板的隔声降噪性能降低的问题。它包括平行且间隔设置的两块底板;间隔设置于两块底板之间的至少两根横梁;以及位于横梁一端的预制板,预制板搭接在相邻的两根横梁之间,且预制板和与其相邻的底板制成一体。施工方法:一、制备预制板;二、浇筑位于下层的底板及横梁;三、拆除下层底板及横梁的模板,并在相邻两根横梁之间搭设预制板,封闭相邻两根横梁之间的空腔;四、将预制板作为位于上层的底板的底模,浇筑混凝土后制得双层中空隔声混凝土板。
  • 一种双层中空混凝土及其施工方法
  • [发明专利]一种基坑施工方法-CN201310513128.3无效
  • 王亮;冯洁文;郑凯华;周晓莉;张铭;曹文根;李松 - 上海建工四建集团有限公司
  • 2013-10-25 - 2014-02-19 - E02D17/02
  • 本发明公开了一种基坑施工方法,属于土木建筑工程施工技术领域。该基坑施工方法,包括:一、基坑围护:在待施工的基坑的四周建立基坑围护结构;二、根据三维模拟分析,结合基坑的土体在卸载施工工况下,既有下卧隧道及竖井变形情况,将基坑纵向划分为三个卸载及堆载的施工区域,得出三个施工区域堆载材料用量的理论值,并在既有下卧隧道及竖井上布置监测装置,三个施工区域对应三个施工阶段;三、依次完成三个阶段的堆载及基坑土体卸载施工同时对基坑建立内部支撑,其中区域三横向划分为若干段,依次进行区域三的土体卸载和对应段的基坑底板浇筑,然后进行基坑底板闭合以完成基坑的施工。本发明的基坑施工方法,缩短了基坑施工的工程工期及成本。
  • 一种基坑施工方法
  • [发明专利]GaAs基板超小尺寸LED芯片的切割方法-CN201210176153.2有效
  • 陈昆男;许智源;王湘军;戴世攀;周晓莉;方飞;周凯 - 东莞洲磊电子有限公司
  • 2012-05-31 - 2012-10-03 - H01L21/304
  • 本发明公开了GaAs基板超小尺寸LED芯片的切割方法,GaAs基板超小尺寸LED芯片的切割方法,首先,在芯片表面先实行全面微切的步骤,半切的深度为芯片总体高度的10%~20%;然后,对芯片进行全透切割的步骤,即将半切后的芯片放置于切割机台上,用钻石刀将芯片从边沿开始沿切割道进行彻底分离的切割。本发明的切割新工艺,在芯片表面先实行全面微切的工艺,然后完成全透切割,采用半切的深度为芯片总体高度的10%~20%,钻石刀刀刃的宽度为15μm~25μm,在最大程度上保证在切割过程中不发生崩裂,侧裂等不良现象,在超小尺寸的GaAs基四元晶粒上具有创造性的革新,极大的提高了成品的良率及降低了生产成本。
  • gaas基板超小尺寸led芯片切割方法
  • [发明专利]通过图形遮光的四元系芯片及其制造方法-CN201210176157.0有效
  • 陈昆男;许智源;王湘军;戴世攀;周晓莉;方飞 - 东莞洲磊电子有限公司
  • 2012-05-31 - 2012-10-03 - H01L33/44
  • 本发明公开了一种通过图形遮光的四元系芯片及其制造方法,属于led芯片制造技术领域,通过图形遮光的四元系芯片,包括GaAs基板,GaAs基板的一面设有磊晶层,GaAs基板的另一面镀有负极端;磊晶层上沉积有等间距排列设置的正极端,磊晶层上位于正极端之间设置有间隙,间隙设置有遮光层。本发明的通过图形遮光的四元系芯片及其制造方法,在磊晶层的上镀遮住部分磊晶层的遮光层,磊晶层发出的光线一部分被遮光层遮住,只有一部分没有被遮光层遮挡的光线从磊晶层射出,因此降低了芯片的亮度,从而达到替代二、三元系芯片的目的,其结构简单,节省了人力、化学溶液和其他一些物料的成本,成本较低,制造工艺简单,生产效率较高,良品率高,适合大批量生产。
  • 通过图形遮光四元系芯片及其制造方法
  • [发明专利]一种四元系LED芯片及其切割方法-CN201210176154.7有效
  • 陈昆男;许智源;王湘军;戴世攀;周晓莉;方飞 - 东莞洲磊电子有限公司
  • 2012-05-31 - 2012-10-03 - H01L33/00
  • 一种四元系LED芯片,包括作为磊晶层基板的GaAs基板;GaAs基板的一面磊晶有磊晶层,即LED芯片的PN接面;GaAs基板另一面镀有薄膜Au,作为LED芯片的负极端;在磊晶层上沉积有等间距排列的BeAu薄膜,在BeAu薄膜上还沉积有Au薄膜,作为LED芯片的正极端。一种四元系LED芯片的切割方法,具体包括以下步骤:(1)在LED芯片正极端一面用金刚石切割刀半切LED芯片,形成切割道,将等间距排列的LED芯片的正极端分隔开,LED芯片厚度为100μm-300μm,(2)LED芯片的正极端贴上蓝膜,负极端贴上麦拉膜;(3)将LED芯片的正极端朝下,负极端朝上放置于劈裂机的劈裂台上,用劈裂机的劈裂刀沿切割道将LED芯片压断,LED芯片被加工成了一个个独立的晶粒。
  • 一种四元系led芯片及其切割方法
  • [发明专利]GaAs基超薄芯片的制作方法-CN201210176151.3有效
  • 陈昆男;许智源;王湘军;戴世攀;周晓莉;方飞 - 东莞洲磊电子有限公司
  • 2012-05-31 - 2012-10-03 - H01L33/00
  • 本发明公开了GaAs基超薄芯片的制作方法,GaAs基超薄芯片包括基板和磊晶层,先对基板的下表面进行第一次蚀刻;在磊晶层蒸镀加工出正电极,对由磊晶层和正电极形成的上表面进行上蜡处理;然后对基板的下表面进行二次蚀刻,将基板减薄至100μm±20μm,对磊晶层和正电极形成的上表面下蜡清洗处理后,对基板的下表面蒸镀加工出负电极。此超薄芯片将不需要人为切破,从而避免在黃光微影工序中由于芯片过于翘曲,不能与机台贴合,影响芯片充分曝光,而被迫切一为四,同时避免了由于破片过多而造成的混料、破片、报废等异常,具有破片少,报废少,良率高,质量高的特点,达到了业內同类产品先进的水平,极大的降低了生产成本。
  • gaas超薄芯片制作方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top