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[发明专利]一种双层中空隔声混凝土板及其施工方法-CN201410532958.5有效
发明人：姚华伟;薛红飞;谷志旺;邢文杰;张铭;周晓莉;黄轶 -专利权人：上海建工四建集团有限公司
申请日： 2014-10-11 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： E04B5/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种双层中空隔声混凝土板及其施工方法，涉及混凝土构件技术领域。针对现有的双层中空楼板的空气层中，部分模板封闭在其内无法取出，导致双层中空楼板的隔声降噪性能降低的问题。它包括平行且间隔设置的两块底板；间隔设置于两块底板之间的至少两根横梁；以及位于横梁一端的预制板，预制板搭接在相邻的两根横梁之间，且预制板和与其相邻的底板制成一体。施工方法：一、制备预制板；二、浇筑位于下层的底板及横梁；三、拆除下层底板及横梁的模板，并在相邻两根横梁之间搭设预制板，封闭相邻两根横梁之间的空腔；四、将预制板作为位于上层的底板的底模，浇筑混凝土后制得双层中空隔声混凝土板。
一种双层中空混凝土及其施工方法

[实用新型]用于双层钢筋混凝土板墙空腔施工的大钢模板-CN201320449023.1有效
发明人：姚华伟;盛志平;顾利平;范广新;薛红飞;周晓莉;曹文根 -专利权人：上海建工四建集团有限公司
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： E04G11/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于双层钢筋混凝土板墙空腔施工的大钢模板，包括两个对称的基板、吊环、提升杆和连接片；所述每个基板的水平方向设有相互平行的水平龙骨，基板的竖直方向设有竖向龙骨，基板的外侧设有加固龙骨，吊环位于基板的顶部且固定在竖向龙骨上，提升杆设置于两个基板之间，提升杆和基板之间通过多个连接片相连，所述连接片的首端通过螺栓和基板相连，连接片的末端通过螺栓和提升杆相连。本实用新型解决了小空腔双层板墙难以进行模板施工的问题。这种大钢模配合拆卸装置，拆装简单，连接可靠，不易变形，并可重复利用。
用于双层钢筋混凝土空腔施工模板

[发明专利]一种基坑施工方法-CN201310513128.3无效
发明人：王亮;冯洁文;郑凯华;周晓莉;张铭;曹文根;李松 -专利权人：上海建工四建集团有限公司
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： E02D17/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基坑施工方法，属于土木建筑工程施工技术领域。该基坑施工方法，包括：一、基坑围护：在待施工的基坑的四周建立基坑围护结构；二、根据三维模拟分析，结合基坑的土体在卸载施工工况下，既有下卧隧道及竖井变形情况，将基坑纵向划分为三个卸载及堆载的施工区域，得出三个施工区域堆载材料用量的理论值，并在既有下卧隧道及竖井上布置监测装置，三个施工区域对应三个施工阶段；三、依次完成三个阶段的堆载及基坑土体卸载施工同时对基坑建立内部支撑，其中区域三横向划分为若干段，依次进行区域三的土体卸载和对应段的基坑底板浇筑，然后进行基坑底板闭合以完成基坑的施工。本发明的基坑施工方法，缩短了基坑施工的工程工期及成本。
一种基坑施工方法

[实用新型]用于双层板墙施工的大钢模板的拆卸装置-CN201320435158.2有效
发明人：姚华伟;盛志平;顾利平;范广新;薛红飞;周晓莉;曹文根 -专利权人：上海建工四建集团有限公司
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： E04G19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于双层板墙施工的大钢模板的拆卸装置，包括工字型骨架、撑脚、吊环、长丝杆机构、轴承和方向盘；所述工字型骨架的上顶面和下顶面分别设有第一加固件，工字型骨架的内角上分别设有第二加固件，撑脚位于工字型骨架的四个脚上，吊环设置于撑脚的顶部，长丝杆机构通过轴承设置于工字型骨架上，方向盘设置于长丝杆机构上。本实用新型解决了小空腔双层板墙难以进行模板施工的问题，本实用新型的大钢模配合拆卸装置，拆装简单，连接可靠，不易变形，并可重复利用。
用于双层施工模板拆卸装置

[实用新型]用于建筑施工脚手架登高梯踏步的装置-CN201320435124.3有效
发明人：张铭;李晓青;郑凯华;周晓莉;唐礼一;薛文杰;曹文根 -专利权人：上海建工四建集团有限公司
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： E04G5/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于建筑施工脚手架登高梯踏步的装置，包括多个固定踏板和两个倾斜钢管，所述固定踏板包括支撑板和连接件，所述连接件的一端和支撑板相连，另一端固定在倾斜钢管上，所述固定踏板相互之间平行设置于两个倾斜钢管之间；所述支撑板为钢筋焊接而成。本实用新型采用钢筋面板焊接短钢管，然后通过十字扣件与倾斜钢管连接的踏步形式，可实现登高爬梯步快速组装，且操作简便，组装方便，连接可靠，并可重复利用，实现简易的人工登梯，极大的节约了成本。
用于建筑施工脚手架登高踏步装置

[发明专利]用于双层板墙施工的大钢模板的拆卸装置-CN201310305793.3有效
发明人：姚华伟;盛志平;顾利平;范广新;薛红飞;周晓莉;曹文根 -专利权人：上海建工四建集团有限公司
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： E04G19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于双层板墙施工的大钢模板的拆卸装置，包括工字型骨架、撑脚、吊环、长丝杆机构、轴承和方向盘；所述工字型骨架的上顶面和下顶面分别设有第一加固件，工字型骨架的内角上分别设有第二加固件，撑脚位于工字型骨架的四个脚上，吊环设置于撑脚的顶部，长丝杆机构通过轴承设置于工字型骨架上，方向盘设置于长丝杆机构上。本发明解决了小空腔双层板墙难以进行模板施工的问题，本发明的大钢模配合拆卸装置，拆装简单，连接可靠，不易变形，并可重复利用。
用于双层施工模板拆卸装置

[发明专利]用于建筑施工脚手架登高梯踏步的装置-CN201310307271.7无效
发明人：张铭;李晓青;郑凯华;周晓莉;唐礼一;薛文杰;曹文根 -专利权人：上海建工四建集团有限公司
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： E04G5/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于建筑施工脚手架登高梯踏步的装置，包括多个固定踏板和两个倾斜钢管，所述固定踏板包括支撑板和连接件，所述连接件的一端和支撑板相连，另一端固定在倾斜钢管上，所述固定踏板相互之间平行设置于两个倾斜钢管之间；所述支撑板为钢筋焊接而成。本发明采用钢筋面板焊接短钢管，然后通过十字扣件与倾斜钢管连接的踏步形式，可实现登高爬梯步快速组装，且操作简便，组装方便，连接可靠，并可重复利用，实现简易的人工登梯，极大的节约了成本。
用于建筑施工脚手架登高踏步装置

[发明专利]用于双层钢筋混凝土板墙空腔施工的大钢模板-CN201310317635.X有效
发明人：姚华伟;盛志平;顾利平;范广新;薛红飞;周晓莉;曹文根 -专利权人：上海建工四建集团有限公司
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： E04G11/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于双层钢筋混凝土板墙空腔施工的大钢模板，包括两个对称的基板、吊环、提升杆和连接片；所述每个基板的水平方向设有相互平行的水平龙骨，基板的竖直方向设有竖向龙骨，基板的外侧设有加固龙骨，吊环位于基板的顶部且固定在竖向龙骨上，提升杆设置于两个基板之间，提升杆和基板之间通过多个连接片相连，所述连接片的首端通过螺栓和基板相连，连接片的末端通过螺栓和提升杆相连。本发明解决了小空腔双层板墙难以进行模板施工的问题。这种大钢模配合拆卸装置，拆装简单，连接可靠，不易变形，并可重复利用。
用于双层钢筋混凝土空腔施工模板

[发明专利]一种甘油氢氯化合成二氯丙醇的羧酸基团功能化SBA分子筛催化剂-CN201310076291.8有效
发明人：汤吉海;乔旭;周晓莉;杨雷;陈献;费兆阳;崔咪芬 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2013-03-11 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： B01J31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种甘油氢氯化生产二氯丙醇的分子筛催化剂及其制备方法和应用。所述的分子筛催化剂是羧酸基团功能化SBA介孔分子筛催化剂；所述的羧酸基团功能化SBA介孔分子筛催化剂以介孔分子筛SBA-15或SBA-16为载体；所述的分子筛催化剂以羧酸基团-COOH与氧化硅的摩尔比计，羧酸基团的负载量为5~30%。本发明催化剂的合成可以采用一步共缩合法或后嫁接合成法。本发明使用的分子筛催化剂，与传统催化剂相比具有酸量可调变，活性高，稳定性好，不腐蚀设备，与产物容易分离，可循环使用等优点，催化甘油氢氯化制备二氯丙醇，二氯丙醇的收率高。
一种甘油氯化合成丙醇羧酸基团功能 sba 分子筛催化剂

[发明专利]一种羧酸和烯烃直接加成合成羧酸酯的方法-CN201210472651.1无效
发明人：汤吉海;乔旭;周峰;周晓莉;崔咪芬;陈献;齐敏;生迎夏 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2012-11-20 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C07C67/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种羧酸酯的制备方法，其以羧酸和烯烃为原料进行加成反应合成羧酸酯，其中以磺酸型分子筛为催化剂。本发明中的羧酸和烯烃直接加成酯化反应属于原子经济反应，反应物原子理论上全部进入目标产品中，整个反应过程无副产废水生成。所采用的磺酸改性的分子筛催化剂具有酸量可调、产物选择性高、不腐蚀设备、催化剂可以循环利用等优点。
一种羧酸烯烃直接加成合成方法

[发明专利]GaAs基板超小尺寸LED芯片的切割方法-CN201210176153.2有效
发明人：陈昆男;许智源;王湘军;戴世攀;周晓莉;方飞;周凯 -专利权人：东莞洲磊电子有限公司
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了GaAs基板超小尺寸LED芯片的切割方法，GaAs基板超小尺寸LED芯片的切割方法，首先，在芯片表面先实行全面微切的步骤，半切的深度为芯片总体高度的10%～20%；然后，对芯片进行全透切割的步骤，即将半切后的芯片放置于切割机台上，用钻石刀将芯片从边沿开始沿切割道进行彻底分离的切割。本发明的切割新工艺，在芯片表面先实行全面微切的工艺，然后完成全透切割，采用半切的深度为芯片总体高度的10%～20%，钻石刀刀刃的宽度为15μm～25μm，在最大程度上保证在切割过程中不发生崩裂，侧裂等不良现象，在超小尺寸的GaAs基四元晶粒上具有创造性的革新，极大的提高了成品的良率及降低了生产成本。
gaas 基板超小尺寸 led 芯片切割方法

[发明专利]通过图形遮光的四元系芯片及其制造方法-CN201210176157.0有效
发明人：陈昆男;许智源;王湘军;戴世攀;周晓莉;方飞 -专利权人：东莞洲磊电子有限公司
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过图形遮光的四元系芯片及其制造方法，属于led芯片制造技术领域，通过图形遮光的四元系芯片，包括GaAs基板，GaAs基板的一面设有磊晶层，GaAs基板的另一面镀有负极端；磊晶层上沉积有等间距排列设置的正极端，磊晶层上位于正极端之间设置有间隙，间隙设置有遮光层。本发明的通过图形遮光的四元系芯片及其制造方法，在磊晶层的上镀遮住部分磊晶层的遮光层，磊晶层发出的光线一部分被遮光层遮住，只有一部分没有被遮光层遮挡的光线从磊晶层射出，因此降低了芯片的亮度，从而达到替代二、三元系芯片的目的，其结构简单，节省了人力、化学溶液和其他一些物料的成本，成本较低，制造工艺简单，生产效率较高，良品率高，适合大批量生产。
通过图形遮光四元系芯片及其制造方法

[发明专利]一种四元系LED芯片及其切割方法-CN201210176154.7有效
发明人：陈昆男;许智源;王湘军;戴世攀;周晓莉;方飞 -专利权人：东莞洲磊电子有限公司
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种四元系LED芯片，包括作为磊晶层基板的GaAs基板；GaAs基板的一面磊晶有磊晶层，即LED芯片的PN接面；GaAs基板另一面镀有薄膜Au，作为LED芯片的负极端；在磊晶层上沉积有等间距排列的BeAu薄膜，在BeAu薄膜上还沉积有Au薄膜，作为LED芯片的正极端。一种四元系LED芯片的切割方法，具体包括以下步骤：（1）在LED芯片正极端一面用金刚石切割刀半切LED芯片，形成切割道，将等间距排列的LED芯片的正极端分隔开，LED芯片厚度为100μm-300μm，（2）LED芯片的正极端贴上蓝膜，负极端贴上麦拉膜；（3）将LED芯片的正极端朝下，负极端朝上放置于劈裂机的劈裂台上，用劈裂机的劈裂刀沿切割道将LED芯片压断，LED芯片被加工成了一个个独立的晶粒。
一种四元系 led 芯片及其切割方法

[发明专利]GaAs基超薄芯片的制作方法-CN201210176151.3有效
发明人：陈昆男;许智源;王湘军;戴世攀;周晓莉;方飞 -专利权人：东莞洲磊电子有限公司
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了GaAs基超薄芯片的制作方法，GaAs基超薄芯片包括基板和磊晶层，先对基板的下表面进行第一次蚀刻；在磊晶层蒸镀加工出正电极，对由磊晶层和正电极形成的上表面进行上蜡处理；然后对基板的下表面进行二次蚀刻，将基板减薄至100μm±20μm，对磊晶层和正电极形成的上表面下蜡清洗处理后，对基板的下表面蒸镀加工出负电极。此超薄芯片将不需要人为切破，从而避免在黃光微影工序中由于芯片过于翘曲，不能与机台贴合，影响芯片充分曝光，而被迫切一为四，同时避免了由于破片过多而造成的混料、破片、报废等异常，具有破片少，报废少，良率高，质量高的特点，达到了业內同类产品先进的水平，极大的降低了生产成本。
gaas 超薄芯片制作方法

[发明专利]一种取代二、三元系芯片的四元系芯片及其制作方法-CN201210176155.1有效
发明人：陈昆男;许智源;王湘军;戴世攀;周晓莉;方飞 -专利权人：东莞洲磊电子有限公司
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明属于LED芯片的制造技术领域，一种取代二、三元系芯片的四元系芯片的制作方法，（1）在所述GaAs基板上磊晶，形成磊晶层，作为芯片的PN接面；（2）将所述GaAs基板的负极面进行研磨减薄；（3）在研磨减薄后的所述GaAs基板的负极面沉积一层Au薄膜，作为芯片的负极端；（4）在所述磊晶层的上方，镀一层用于遮挡所述磊晶层发出光线的吸光层；（5）在所述磊晶层上沉积等间距排列的BeAu薄膜层，再在所述BeAu薄膜层上沉积Au薄膜层，然后经过高温蒸镀，使Au薄膜层与BeAu薄膜层融合在一起，作为所述LED芯片的正极端。
一种取代三元芯片四元系及其制作方法