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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310683090.8在审
发明人：张正伟;沙哈吉·B·摩尔;谭伦光;周其雨;白岳青 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括衬底、设置在衬底上的鳍基底、设置在鳍基底的第一部分上的纳米结构沟道区的堆叠件、围绕纳米结构沟道区的栅极结构、设置在鳍基底的第二部分上的源极/漏极(S/D)区、设置在S/D区和鳍基底之间的空气间隔件、以及介电层，介电层设置在空气间隔件和鳍基底之间。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件和形成方法-CN202310511663.9在审
发明人：张正伟;沙哈吉·B·摩尔;谭伦光;周其雨;白岳青 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：纳米结构晶体管可以以可以降低纳米结构晶体管中的源极/漏极区合并的可能性的方式来形成。在本文所描述的纳米结构晶体管的俯视图中，在纳米结构晶体管的纳米结构沟道的相对侧上的源极/漏极区是错开的，使得源极/漏极区之间的距离增加。这降低了源极/漏极区合并的可能性，这降低了故障和/或其他缺陷形成在纳米结构晶体管中的可能性。相应地，如本文所描述的，使源极/漏极区错开，可以促进包括有纳米结构晶体管的半导体器件的小型化，同时保持和/或增加半导体器件的半导体器件产量。本申请的实施例提供了半导体器件和形成方法。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体器件结构及其形成方法-CN202310306045.0在审
发明人：张正伟;沙哈吉·B·摩尔;周其雨;白岳青 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：提供了半导体器件结构。半导体器件结构包括一个或多个半导体层、围绕一个或多个半导体层中的至少一个半导体层的界面层、设置在界面层上方的功函金属以及设置在界面层和功函金属之间的高K(HK)介电层。HK介电层包括与HK介电层和界面层的第一界面相邻的第一掺杂剂区域，其中，第一掺杂剂区域包括具有第一极性的第一掺杂剂。HK介电层也包括与HK介电层和功函金属的第二界面相邻的第二掺杂剂区域，其中，第二掺杂剂区域包括具有与第一极性相反的第二极性的第二掺杂剂。本申请的实施例还涉及用于形成半导体器件结构的方法。
半导体器件结构及其形成方法

[发明专利]金属层的形成和原位蚀刻工艺-CN201910808067.0有效
发明人：林柏宇;周其雨;李显铭;杨怀德;王俊杰;白岳青;杨淇任;汤宗达;王宜婷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种半导体器件和一种制造半导体结构的方法。方法包括在衬底中形成开口和在开口中沉积共形金属层。沉积包括执行一个或多个沉积循环。沉积包括将第一前体流入沉积室中和净化沉积室以去除至少一部分第一前体。方法还包括将第二前体流入沉积室中以形成共形金属层的子层和净化沉积室以去除至少一部分第二前体。方法还包括执行金属卤化物蚀刻(MHE)工艺，工艺包括将第三前体流入沉积室中。本发明实施例涉及金属层的形成和原位蚀刻工艺。
金属形成原位蚀刻工艺

[发明专利]晶种层结构和方法-CN201310030491.X有效
发明人：江祯斌;王泓智;李魁斌;周其雨;梁耀祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：晶种层结构和方法。一种晶种层包括在通孔开口的底部上形成的底部晶种层部分、在通孔开口的侧壁的上部上形成的侧壁晶种层部分以及在底部晶种层部分和侧壁晶种层部分之间形成的拐角晶种层部分。侧壁晶种层部分具有第一厚度。拐角晶种层部分具有第二厚度，并且第二厚度大于第一厚度。
晶种层结构方法

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