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[发明专利]使用单一研抛工具、可变公转半径的面形误差加工方法-CN202211212666.4有效
发明人：李博;周健杰 -专利权人：中国科学院国家天文台南京天文光学技术研究所
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： B24B9/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用单一研抛工具、可变公转半径的面形误差加工方法。该方法将待加工镜面分为中间区域和边缘区域，然后基于材料卷积去除模型，计算中间区域加工驻留时间；基于线性方程模型，计算边缘区域加工驻留时间向量。根据加工驻留时间得到加工路径上各位置的进给速度，其中边缘区域的加工路径上研抛工具的公转半径随着研抛工具中心到镜面边缘距离的减小而减小。该方法具有光学镜面全口径面形修正的能力，研抛工具在边缘区域的公转半径逐渐减小，降低了边缘效应；在有效抑制边缘效应的同时，避免了因研抛工具更换而造成的加工效率损失；实现了光学面形误差在全口径范围内的快速收敛，提高了镜面的面形加工精度和效率。
使用单一工具可变公转半径误差加工方法

[发明专利]一种镜面小尺度误差的数控加工方法-CN202211178684.5在审
发明人：李博;周健杰 -专利权人：中国科学院国家天文台南京天文光学技术研究所
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： B24B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种镜面小尺度误差的数控加工方法，该方法包括基于残差面形进行小波分解，获得重构系数；对该重构系数进行小波反变换，重构面形，提取正值部分，计算残差；对该残差重复前述步骤，如果提取正值部分的最大值小于阈值δ则停止迭代，获得小尺度误差面形；对小尺度误差面形进行二值化、开运算和闭运算操作，得到小尺度误差所在区域，根据该区域分布生成最终加工路径；选择合适的研抛工具，控制数控机床或机械臂使用研抛工具对镜面小尺度误差按照生成的路径进行局部研抛。本发明提出的基于小尺度误差区域提取的镜面研抛方法，对镜面加工中出现的小尺度误差进行针对性修正，无需对整个镜面进行研抛，优化了研抛效果，提高了加工效率。
一种镜面小尺度误差数控加工方法

[发明专利]一种便于密封组装的智能口罩-CN202210666240.X在审
发明人： 周健杰 -专利权人：河海大学
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： A62B7/10 文献下载
摘要：本发明属于防护用品领域，具体涉及一种便于密封组装的智能口罩，包括：面罩；吸气口，位于面罩的正前部；微处理装置，可拆卸安装在吸气口的外侧，用于处理口罩的异常状态信息；滤芯，可拆卸安装在微处理装置的外侧；其中所述微处理装置的横截面呈空心环形，其空心部的两端正对吸气口和滤芯，以形成吸气通道；以及所述吸气口与微处理装置、微处理装置与滤芯之间分别通过第一密封连接件、第二密封连接件连接，以密封所述吸气通道的侧壁，三段式可拆卸设计在保证连接的气密性的同时可以提高运输和存放效率。
一种便于密封组装智能口罩

[发明专利]一种用于大尺寸蓝宝石光窗的扩散焊接装置及其焊接方法-CN201710212791.8有效
发明人：马远;吴勇;周健杰 -专利权人：江苏振华新云电子有限公司
申请日： 2017-04-01 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： B23K20/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于大尺寸蓝宝石光窗的扩散焊接装置及其焊接方法，所述扩散焊接装置包括难熔金属发热体、保温材料层、感应线圈和进气管，还包括一对固定组件，用于固定待焊接的蓝宝石板，且能够对蓝宝石板两端均匀施加压力；扩散焊接时，通过进气管通入体积比为1:1000的O2和Ar的混合气体。本发明的优点在于：本发明用于大尺寸蓝宝石光窗的扩散焊接装置和焊接方法能够实现带角度蓝宝石板扩散焊接，且焊接成品整体应力低，同时利用气氛减小焊接过程蓝宝石表面的损伤。
一种用于尺寸蓝宝石扩散焊接装置及其方法

[发明专利]一种清除蓝宝石晶体熔体料中气泡装置及清除方法-CN201610425152.5有效
发明人：薛卫明;马远;吴勇;周健杰 -专利权人：江苏振华新云电子有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种清除蓝宝石晶体熔体料中气泡装置及用该装置清除的方法，所述装置包括一坩埚、模具、坩埚盖、气泡收集器和高频激励装置；还包括一支撑组件，所述支撑组件设于坩埚底端，且通过该支撑组件将清除蓝宝石晶体熔体料中气泡的装置固定于晶体生长炉内，且利用高频振动对气泡收集器上的气泡形成共振效应，快速有效的迫使气泡收集器上的气泡脱离。本发明的优点在于：本发明的清除蓝宝石晶体熔体料中气泡装置，利用高频振动对气泡收集器上的气泡形成共振效应，快速有效的迫使气泡收集器上的气泡脱离，并上浮到熔体液面上方；可有效清除原料中气泡，降低坩埚内熔料的气体含量，最大程度确保坩埚内原料清洁，进而提高晶体成品质量。
一种清除蓝宝石晶体熔体料中气泡装置方法

[发明专利]一种用于蓝宝石晶体生长的红外测温仪温度标定的方法-CN201610208547.X有效
发明人：马远;李东振;吴勇;周健杰 -专利权人：江苏振华新云电子有限公司
申请日： 2016-04-06 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于蓝宝石晶体生长的红外测温仪温度标定的方法，具体步骤如下：（1）将用于蓝宝石晶体生长的红外测温的设备结构安装好，并正对测温孔，在炉体外部安装好红外测温仪；（2）将炉内热场温度升温直至所述的信号管内的高熔点氧化物固体材料熔化；熔化后的高熔点氧化物熔液流出与石墨或炭炭材料接触反应，生成的碳粉尘、金属粉尘、碳化物和碳氧化物以烟雾的形式游离出来，层积在观察窗口表面；（3）当操作人员可明显观察到观察窗口的可见度下降，记录红外测温仪的实测温度，与氧化物固体的熔点温度，对照完成测温仪温度的标定。本发明的优点在于：本发明采用专用的设备结构进行标定，能够实现工艺稳定性。
一种用于蓝宝石晶体生长红外测温温度标定方法

[发明专利]一种MIM电容及其制造方法-CN201510415355.1有效
发明人：马远;吴勇;周健杰 -专利权人：江苏中电振华晶体技术有限公司
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及一种MIM电容，包括衬底，所述衬底为一蓝宝石单晶晶片，在其上表面和下表面均依次沉积有过渡层和金属层；一种上述MIM电容的制造方法，所述方法步骤具体如下（1）将蓝宝石晶体通过单线切割或掏料钻钻取的方式加工成单晶晶棒；（2）将单晶晶棒在多线切割机上切割加工成单晶晶片；（3）将单晶晶片清洗干净后作为沉积衬底，在衬底两面先沉积过渡层；（4）再在过渡层的基础上沉积金属层；（5）以金属层作为电极，引出接线端；（6）完成上述MIM电容的封装。本发明的优点在于蓝宝石作为介质材料，电阻率高、介电损耗小，抗电强度高；单晶结构一致使抗电强度Ep在材料内的分布均匀性非常好，没有击穿风险，提高了MIM电容的稳定性。
一种 mim 电容及其制造方法

[发明专利]一种泡生法生长蓝宝石晶体的引晶方法-CN201510529154.4有效
发明人：李东振;马远;邱一豇;吴勇;周健杰 -专利权人：江苏中电振华晶体技术有限公司
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种泡生法生长蓝宝石晶体的引晶方法，利用籽晶辐射散热开口的非旋转对称结构，引晶时包括如下步骤（1）籽晶下浸熔体液面3—5mm；（2）通过等待非旋转对称结构的散热口散热，使籽晶向一侧优先生长出晶盘；（3）以3—12mm/h的平均提拉速度对籽晶进行提拉，提拉过程中采用间隔式瞬间提升，并旋转给定角度，间隔式瞬间提升后等待散热口方向再次生长出晶盘，以便进行下一次瞬间提升；（4）重复步骤（3）至晶节长度为60—80mm，形成螺旋状结构晶节，且固液相界面当量横截面直径为40—60mm时，结束引晶。本发明的优点在于可获螺旋形状引晶结构，使籽晶缺陷和位错可最大程度上得到消除；不易出现断裂，能提高晶体成品率、易于产业化。
一种泡生法生长蓝宝石晶体方法

[实用新型]一种清除蓝宝石晶体熔体料中气泡装置-CN201620582454.9有效
发明人：薛卫明;马远;吴勇;周健杰 -专利权人：江苏中电振华晶体技术有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种清除蓝宝石晶体熔体料中气泡装置，所述装置包括一坩埚、模具、坩埚盖、气泡收集器和高频激励装置；还包括一支撑组件，所述支撑组件设于坩埚底端，且通过该支撑组件将清除蓝宝石晶体熔体料中气泡的装置固定于晶体生长炉内。本实用新型的优点在于：本实用新型的清除蓝宝石晶体熔体料中气泡装置，利用高频振动对气泡收集器上的气泡形成共振效应，快速有效的迫使气泡收集器上的气泡脱离，并上浮到熔体液面上方；可有效清除原料中气泡，降低坩埚内熔料的气体含量，最大程度确保坩埚内原料清洁，进而提高晶体成品质量。
一种清除蓝宝石晶体熔体料中气泡装置

[实用新型]一种用于蓝宝石晶体生长的红外测温仪温度标定用设备结构-CN201620277446.3有效
发明人：马远;邱一豇;吴勇;周健杰 -专利权人：江苏中电振华晶体技术有限公司
申请日： 2016-04-06 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于蓝宝石晶体生长的红外测温仪温度标定用设备结构，所述设备结构包括一炉体，在所述炉体内腔的中心处设置一坩埚，在坩埚的两侧对称设有置于炉体内腔的观测加热器和测温加热器；在炉体侧壁上还对称设有一观察窗口和一测温窗口，所述观察窗口还连通一观察孔，且观察孔与炉体内腔相连通；所述测温窗口还连通一测温孔，且测温孔与炉体内腔相连通；所述观察孔与测温孔也呈对称设置，在所述观察孔内部还放置有一信号管，所述信号管一端封闭，一端开口，且所述封闭端底部放置有高熔点氧化物固体，所述高熔点氧化物固体由至少一层耐高温金属材料包裹物包裹。本实用新型的优点在于：该设备结构能够实现工艺稳定性。
一种用于蓝宝石晶体生长红外测温温度标定设备结构

[实用新型]一种强化引晶温度信号的籽晶-CN201620209347.1有效
发明人：马远;薛卫明;邱一豇;吴勇;周健杰 -专利权人：江苏中电振华晶体技术有限公司
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种强化引晶温度信号的籽晶，用于从下向上进行定向晶体生长，所述籽晶为籽晶上半部分的截面积大于籽晶下半部分的截面积结构，该结构是通过一圆柱形籽晶加工而成，所述圆柱形籽晶的上半部分保持不变，在圆柱形籽晶的下半部分以倾斜1～15°的角度平面切割去除部分材料，且籽晶的切割面为平面。本实用新型的优点在于：这种结构的籽晶，可获得明显的引晶温度信号，同时尽可能小的多晶生成区减少了引晶成多晶的可能性。
一种强化温度信号籽晶

[发明专利]一种强化引晶温度信号的籽晶及用该籽晶的引晶方法-CN201610155283.6在审
发明人：马远;李东振;薛卫明;吴勇;周健杰 -专利权人：江苏中电振华晶体技术有限公司
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种强化引晶温度信号的籽晶，用于从下向上进行定向晶体生长，所述籽晶籽晶上半部分的截面积大于籽晶下半部分的截面积，使得籽晶在籽晶孔内放置时，籽晶上半部分侧面与籽晶孔紧密配合，而籽晶下半部分侧面与籽晶孔侧面之间在垂直方向上形成至少一条间隙，该间隙形成导流间隙结构，该导流间隙的最项端与籽晶的上端面不贯通；并利用籽晶侧面与籽晶孔侧面之间的导流间隙结构，强化引晶时的温度信号完成引晶。本发明的优点在于：本发明的籽晶能够减小引晶成多晶及强化引晶温度信号，且该引晶方法有效提高了引晶品质以及晶体的成品率。
一种强化温度信号籽晶方法

[发明专利]一种易于加工的夹层结构单晶蓝宝石防弹玻璃及加工方法-CN201410304514.6有效
发明人：邱一豇;马远;牛沈军;吴勇;周健杰;薛卫明 -专利权人：江苏中电振华晶体技术有限公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种易于加工的夹层结构单晶蓝宝石防弹玻璃及加工方法，该防弹玻璃由多层结构组成，包括至少一层蓝宝石层以及包覆于蓝宝石层外的透光层A和透光层B，透光层A或者透光层B与蓝宝石层的一面组成一个夹层结构，该夹层结构中间设置有折射率与蓝宝石层接近的有机填充层；所述蓝宝石层为高温氧化铝溶液通过定向凝固生长形成的单晶板材，且与透光层A和/或透光层B组成夹层结构的蓝宝石层的一面未经抛光处理。本发明所提的一种易于加工的蓝宝石防弹玻璃，在降低制作成本的同时，规避了困难的蓝宝石磨抛，同时拥有良好的抗弹能力。
一种易于加工夹层结构蓝宝石防弹玻璃方法

[实用新型]一种泡生法生长蓝宝石晶体的热场上部热反射结构-CN201520648160.7有效
发明人：李东振;马远;邱一豇;吴勇;周健杰 -专利权人：江苏中电振华晶体技术有限公司
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种泡生法生长蓝宝石晶体的热场上部热反射结构，所述上部热反射结构的辐射散热口为非旋转对称结构，且所述的非旋转对称结构开口是逆时针旋转90度的“T”字形或“L”形或非旋转对称夹角结构中的一种，非旋转对称夹角结构的夹角为70—80度角。本实用新型的优点在于：本实用新型泡生法生长蓝宝石晶体的热场上部热反射结构的辐射散热口为非旋转对称结构，从而提高晶体生长时纵向温度梯度，进而改变固液生长界面的曲率，提升晶体的排杂和排气泡的效果。
一种泡生法生长蓝宝石晶体上部反射结构

[实用新型]一种蓝宝石晶体导模法生长装置-CN201520391034.8有效
发明人：薛卫明;马远;吴勇;周健杰 -专利权人：江苏中电振华晶体技术有限公司
申请日： 2015-06-09 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种蓝宝石晶体导模法生长装置，包括晶体生长炉以及安装在炉内的坩埚、模具、吊盘以及安装在吊盘上端面的吊杆，所述模具的下端浸渍在坩埚内的氧化铝熔液中，其上端部安装在吊盘中心并由吊杆带动其上下移动；所述吊杆上还安装一对气体冷却盘，该气体冷却盘水平设置在吊盘的上方。本实用新型的优点在于：本实用新型的生长装置，在晶体生长过程中，利用安装在吊杆上的气体冷却盘，通过调节气体冷却盘内气体流量来控制冷却盘温度以生长界面，避免了碳毡或金属屏，或气体对流换热仅冷却晶体而无法均匀冷却生长界面内部的情况，从而获得均匀稳定的生长界面以获得高品质蓝宝石晶体。
一种蓝宝石晶体导模法生长装置

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