专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种半导体器件热分布的测试装置-CN202210048574.0有效
  • 吴锦鹏;曾嵘;刘佳鹏;尚再轩;赵彪;余占清;周文鹏 - 清华大学
  • 2022-01-17 - 2023-10-20 - G01R31/26
  • 本发明公开了一种半导体器件热分布的测试装置,包括:外部测试回路、压接组件和红外热像仪;所述外部测试回路与压接组件电性连接;所述红外热像仪通过支架设置在压接组件上方;所述外部测试回路,用于进行阻断耐压测试、浪涌测试和关断瞬态测试;所述压接组件,用于为半导体器件提供压力,使半导体器件与外部测试回路电性连接;所述红外热像仪,用于观测半导体器件内部的红外信息。本发明的测试装置为非接触式测量。在阻断耐压、浪涌的工况下,该测试装置可用于半导体器件的筛选以及故障原因分析。对于瞬态的半导体器件开关过程,该测试装置可以反映半导体器件内部电流的瞬态过程,可以用于研究半导体器件的内部物理过程和物理机理。
  • 一种半导体器件分布测试装置
  • [发明专利]功率半导体器件及其制作方法-CN202310762806.3有效
  • 曾嵘;吴锦鹏;任春频;刘佳鹏;陈政宇;余占清;屈鲁 - 清华大学
  • 2023-06-27 - 2023-09-19 - H01L29/747
  • 本申请提供了一种功率半导体器件及其制作方法,该功率半导体器件包括第一材料层以及形成于所述第一材料层上下两侧的第二材料层和第三材料层;所述功率半导体器件包括有源区和终端区;有源区包括位于所述第一材料层的第一掺杂区、位于所述第二材料层的第二掺杂区、位于所述第三材料层的第三掺杂区、阳极区以及阴极区;终端区包括位于所述第一材料层的第一终端区以及位于所述第二材料层和所述第三材料层的第二终端区和第三终端区;其中,所述第一终端区的厚度大于所述第一掺杂区的厚度,并且所述第二终端区和所述第三终端区的至少之一的表面高于对应的掺杂区的表面。本申请可提升功率半导体器件的阻断能力和最高运行结温。
  • 功率半导体器件及其制作方法
  • [发明专利]半导体器件局部金属电极去除装置及方法-CN202310762808.2有效
  • 曾嵘;刘佳鹏;吴锦鹏;朱艺颖;赵彪;屈鲁;陈政宇;余占清 - 清华大学
  • 2023-06-27 - 2023-09-12 - H01L21/67
  • 本申请提供一种半导体器件局部金属电极去除装置及方法,该装置包括:承片台,承载半导体器件移动至各缺陷标记位置;导电毛刷,固定在承片台上并与半导体器件的门极电极接触;第一探针,与半导体器件的缺陷电极接触;直流电源阳极与第一探针连接,阴极与导电毛刷连接,用于电解滴加电解液后的缺陷电极;电压检测模块正极与第一探针连接,阴极与导电毛刷连接,用于检测第一探针与导电毛刷间的电压,并根据电压控制直流电源的关闭。该方法基于该设备实现。本申请提供的半导体器件局部金属电极去除装置及方法,解决了现有技术无法自动检测和去除缺陷电极的问题,提高了缺陷电极去除精度,降低了操作难度,提高了半导体器件的良率。
  • 半导体器件局部金属电极去除装置方法
  • [实用新型]一种下肢助力外骨骼装置-CN202320731969.0有效
  • 张蓓;田云龙;石佳能;吴锦鹏;郑小锋;张政豪 - 武汉软件工程职业学院(武汉开放大学);武汉市众亦乐科技有限公司
  • 2023-04-06 - 2023-09-12 - B25J9/00
  • 本实用新型涉及下肢外骨骼助力设备技术领域,具体为一种下肢助力外骨骼装置,包括两个上腿方管和两个下腿方管,上腿方管的外侧套接有上管,上管的外侧连接有上护具,下腿方管的外侧套接有下管,下管的外侧连接有下护具,下管与上腿方管之间连接有月牙板,月牙板上安装有两个连接件。该下肢助力外骨骼装置,通过棘轮、棘爪、滑壳、齿轮、连接件,拉杆和月牙板配合,由脚底板抬起,拉杆拉动棘爪,棘爪在滑壳内向下滑动,棘轮解锁小腿可以自由进行活动,脚底踩向地面,棘爪复位卡住棘轮,左右腿交替进行,配合下液压杆实现行走承重助力,滑壳与棘轮之间的装配,实现棘轮在任何角度指向棘轮圆心,避免棘爪无法对准棘轮造成无法锁死的情况。
  • 一种下肢助力骨骼装置
  • [发明专利]一种功率半导体器件的驱动和控制电路及方法-CN202310563272.1在审
  • 曾嵘;陈政宇;尚杰;王鹏;吴锦鹏;余占清;刘佳鹏;赵彪;屈鲁;庄池杰 - 清华大学
  • 2023-05-18 - 2023-09-05 - H03K17/74
  • 本公开实施例公开一种功率半导体器件的驱动和控制电路及方法,所述方法包括:连接于功率半导体器件门极和阴极之间的开通电路、第一关断电路和第二关断电路,还包括电流检测电路和控制电路;所述开通电路用于向功率半导体器件门极注入开通触发电流;第一关断电路和第二关断电路用于向功率半导体器件的门极和阴极施加反偏电压,使功率半导体器件关断;电流检测电路用于检测功率半导体器件关断时刻的阳极电流或阴极电流并上报至控制电路;控制电路用于根据电流检测电路的的检测结果,使能第一关断电路和/或第二关断电路。本公开的示例性实施例,解决大电流关断下换流速度不足的问题,大幅提升门极换流晶闸管的电流关断能力。
  • 一种功率半导体器件驱动控制电路方法
  • [发明专利]一种模块化多电平换流器子模块及其控制方法-CN202110164454.2有效
  • 曾嵘;赵彪;周文鹏;刘佳鹏;白睿航;陈政宇;余占清;吴锦鹏 - 清华大学
  • 2021-02-05 - 2023-08-22 - H02J3/36
  • 本发明提供一种模块化多电平换流器子模块及其控制方法,所述子模块包括:上下管主电路,上下管主电路包括上管半导体器件S1和下管半导体器件S2*;所述上管半导体器件S1反并联第一开关器件D1;上管半导体器件S1的第二电极连接下管半导体器件S2*的第一电极;所述上管半导体器件S1的第一电极连接直流电容CDC的一端;下管半导体器件S2*反并联第二开关器件D2*;下管半导体器件S2*的第二电极连接直流电容CDC的另一端;所述下管半导体器件S2*中设有中心可控击穿区域。本发明的模块化多电平换流器子模块完全省略传统MMC模块方案中的出口处的旁路晶闸管,从而降低子模块制造的体积和成本并简化系统的运行控制方案。
  • 一种模块化电平换流模块及其控制方法
  • [发明专利]一种高压直流变压器-CN202310372017.9在审
  • 赵彪;张雪垠;屈鲁;吴锦鹏;余占清;曾嵘 - 清华大学;清华四川能源互联网研究院
  • 2023-04-10 - 2023-08-15 - H02M3/335
  • 本公开实施例公开一种高压直流变压器,包括高压侧、低压侧和隔离级,高压侧与低压侧通过隔离级连接;高压侧包括高压单相侧MMC、高压直流侧开关K1和高压直流侧开关K2;隔离级包括二分裂隔离变压器、开关K5、开关K6和开关K7;低压侧包括低压单相侧MMC1、低压单相侧MMC2、换流阀直流侧开关K8、换流阀直流侧开关K9、换流阀直流侧开关K10、换流阀直流侧开关K11、低压直流侧开关K12和低压直流侧开关K13;高压侧或低压侧包括预充电电路。本公开的示例性实施例,基于二分裂高压直流变压器的特殊结构,设置了多种开关的配置结构,解决了现有开关配置结构不适用于二分裂高压直流变压器拓扑的问题。
  • 一种高压直流变压器
  • [发明专利]一种组合式均压反激磁耦合高压直流变换器-CN202310323747.X在审
  • 赵彪;屈鲁;吴锦鹏;余占清;曾嵘 - 清华大学
  • 2023-03-30 - 2023-08-04 - H02M1/00
  • 本发明公开了一种组合式均压反激磁耦合高压直流变换器。包括:前、后级电路,前级包括高压输入端口、8个反激原边模块和7个反激副边模块,反激原边模块和反激副边模块磁耦合,反激原边模块串联后的两端分别设置高压输入端口的正负极,反激副边模块串联后的两端分别设置正负极直流母线,后级包括两个相同的后级变压器,后级变压器的输入端并联在直流母线的两极,后级变压器的原边包括带钳位二极管的半桥LLC电路,半桥LLC电路包括由两个开关管组成的半桥、两个谐振电容、后级励磁电感和漏感。本发明降低了器件电压应力,能够满足开关管选型要求,具有软开关、器件应力小等优点,提升了装置效率,不需额外均压电路便可实现自动均压。
  • 一种组合式均压反激磁耦合高压直流变换器

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