“吴锦雷”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果10个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种光控燃料气体源的制造方法及其制备装置-CN200510086422.6无效
发明人：郭等柱;薛增泉;张耿民;张兆祥;赵兴钰;张琦锋;侯士敏;申自勇;高崧;吴锦雷 -专利权人：北京大学
申请日： 2005-09-14 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： B01J19/12 文献下载
摘要：本发明提出一种将碳纳米管应用于能源领域的新方法，利用纳米材料的“超级光吸收效应”，以及水在碳纳米管中的特殊存在状态，对含水的碳纳米管体系施加光照射，产生氢气(H₂)、一氧化碳(CO)、甲烷(CH₄)、乙烷(C₂H₆)等燃料气体。本发明还提出一种制备新型光控燃料气体源的制备装置结构，在此基础上提出几个典型的应用装置。光控燃料气体源的制备装置包括：可抽真空的容器、碳纳米管样品、电光源及其控制电路，以及用于抽真空、进水汽和取燃料气体的阀门；电光源封接在容器内，碳纳米管放在容器中，控制电路连接电光源。它可以与不同类型的应用装置相连通。
一种光控燃料气体制造方法及其制备装置

[发明专利]碳纤维复合单根碳纳米管及其制备方法-CN200510011678.0无效
发明人：薛增泉;奚中和;张耿民;张暐;王胜;吴越;王晶云;梁学磊;吴锦雷;彭练矛;赵兴钰 -专利权人：北京大学
申请日： 2005-04-30 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： B32B5/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳纤维复合单根碳纳米管，由碳纳米管、锥状碳纤维和基底组成，其特征在于，所述的碳纳米管垂直生长于基底上，并包裹在锥状碳纤维中，同时在锥状碳纤维的顶端探出形成针尖状。本发明还提供了制备所述的碳纤维复合单根碳纳米管的方法，包括步骤：(1)将基底清洗干净；(2)将过渡金属催化剂附着在基底表面；(3)将基底置于可抽真空的加热设备中作为电极之一，并与另一电极接触；(4)将加热设备抽真空后，缓慢通入还原气体与碳源气体的混合气；(5)当加热设备达到一定压强时，在两电极之间加电流，使基底温度达到1600℃至2400℃范围内某一值并保持30至120秒，然后切断电源；(6)继续通入还原气体，直到基底冷却。
碳纤维复合单根碳纳米及其制备方法

[发明专利]一种FeSi₂纳米结构及其制备方法-CN200510011806.1无效
发明人：许北雪;沈德忠;吴锦雷;沈光球 -专利权人：清华大学
申请日： 2005-05-27 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：一种FeSi₂纳米结构及其制备方法，属于微电子器件、纳米电子器件和光电子器件领域。其结构特征是FeSi₂纳米带在硅(100)晶面上沿两个互相垂直的<110>方向生长，自组织形成网状纳米结构。其制备方法是利用矩形波导中TE₁₀模微波在反应腔室内形成的特殊电磁场分布，以及硅基底与TE₁₀模微波的特殊匹配方式，将沉积在硅基底上的铁纳米团簇进行磁化和磁力驱动，使其自组织排列生长，并进一步与硅基底反应，最终形成FeSi₂纳米带和纳米结构。本发明可作为电连接材料用于自组织生长碳纳米管集成电路，或作为结构材料用于构筑各种MEMS器件和光电子器件等。
一种 fesi sub 纳米结构及其制备方法

[发明专利]一种场发射阴极及其制造方法和应用-CN01140097.8无效
发明人：薛增泉;张葵;张耿民;余宁;侯士敏;申志勇;刘惟敏;赵兴钰;陈清;吴锦雷;张兆祥;彭练矛 -专利权人：北京大学
申请日： 2001-11-27 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种场发射阴极及其制造方法和应用，属于纳米技术领域和平面场发射阴极技术领域。本发明的场发射阴极是金属纳米线阵列，是在金属薄膜电极基底上生长与基底相同金属的纳米线阵列；基底厚度为1μm～0.5mm，纳米线直径为20～200nm，长度为100～500nm。制造步骤包括：(1)按照显示器件尺寸要求选用纳米孔模板；(2)在所选纳米孔模板的一面蒸发-电镀制造金属薄膜电极；(3)在纳米孔模板的纳米孔中电化学生长金属纳米线阵列；(4)清洗烘干后溶去部分或全部模板，露出金属纳米线。本发明的场发射阴极应用于阴极射线管和平板显示器。本发明的场发射阴极启始场强低，电流密度大，制备简单，成本低。
一种发射阴极及其制造方法应用

[发明专利]一种金属纳米粒子/介质复合光电薄膜及其制备和应用-CN01109133.9无效
发明人： 吴锦雷;许北雪;刘维敏;薛增泉;吴全德 -专利权人：北京大学
申请日： 2001-03-09 - 公布日： 2003-11-05 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂稀土元素的纳米粒子/介质复合光电薄膜及其制备方法和用途，属于半导体器件领域。稀土纳米粒子和金属Ag纳米粒子均匀地埋藏在半导体介质BaO中。其制备方法是在传统的制备Ag-BaO薄膜工艺中按体积比Ba∶Ag∶稀土＝7∶3∶1蒸发沉积适量的稀土元素，形成掺杂稀土的Ag-BaO薄膜。本发明的薄膜可作为光电发射薄膜材料，用于各种光电阴极中，进行光电检测，超快光电信号转换等。
一种金属纳米粒子介质复合光电薄膜及其制备应用

[发明专利]内场助金属超微粒子/介质复合光电发射薄膜-CN99118962.0无效
发明人： 吴锦雷;张琦锋;刘惟敏;薛增泉;吴全德 -专利权人：北京大学
申请日： 1999-09-03 - 公布日： 2003-03-19 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：一种可以对近红外波段弱超快光信号进行检测的内场助光电发射薄膜结构，属于半导体器件领域。此种光电发射薄膜结构的特点是在金属超微粒子/介质复合薄膜表面沉积一层一定厚度的银薄膜电极，从而通过加入内场的方法达到提高该种光电发射薄膜量子产额的目的。本发明的内场助金属超微粒子/介质复合光电发射薄膜可用于近红外光电检测、超快光电信号转换等方面。
内场金属微粒子介质复合光电发射薄膜

[发明专利]金属纳米粒子－半导体介质复合薄膜及制法和全光克尔开关-CN02146377.8无效
发明人： 吴锦雷;张琦锋;薛增泉;刘惟敏;吴全德;王丹翎;龚旗煌 -专利权人：北京大学
申请日： 2002-10-30 - 公布日： 2003-03-19 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属纳米粒子－半导体介质复合薄膜，该复合薄膜既有大的三阶光学非线性系数又具有极快响应速度。该复合薄膜沉积在透明基底的一侧，基质为厚度在100～200nm之间的碱金属氧化物或碱土金属氧化物等半导体介质薄膜，其中埋藏有均匀分布的直径为5～20nm的贵金属纳米粒子。该复合薄膜制备方法为高真空条件下在透明基底的一侧沉积碱金属或碱土金属薄膜，至白光透过率下降至30％时止；氧化金属薄膜至白光透过率基本恢复，得到半导体介质薄膜；在半导体介质薄膜表面沉积贵金属薄膜；再依次进行真空中120℃半小时以上和大气中100℃一小时以上的退火处理。本发明还提供了采用该复合薄膜为克尔介质的全光克尔开关。
金属纳米粒子半导体介质复合薄膜制法克尔开关

[发明专利]碳纳米管的组装技术及电子器件-CN99103111.3无效
发明人：薛增泉;刘惟敏;顾镇南;施祖进;侯士敏;张兆祥;赵兴钰;吴锦雷;吴全德 -专利权人：北京大学
申请日： 1999-03-24 - 公布日： 2002-09-25 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明属于高新科技新型纳米电子器件领域。本发明涉及碳纳米管竖立在纯净金属基底表面上的组装技术及用此技术所制造的电子器件，包括阵列场发射电子源，场发射平板显示器件，扫描探针显微镜(SPM)的针尖，场发射电子显微镜(FEM)的样品，测试碳纳米管特性的装置和利用此技术产生的量子特性与负阻特性曲线制造纳米电子放大器、振荡器和电子开关器件。#!
纳米组装技术电子器件

[发明专利]弹道电子发射源及其制备方法-CN01140098.6无效
发明人：薛增泉;侯士敏;吴锦雷;张耿民;申志勇;刘惟敏;赵兴钰;陈清;彭练矛;张兆祥 -专利权人：北京大学
申请日： 2001-11-27 - 公布日： 2002-06-05 - 主分类号： H01J1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种弹道电子发射源及其制备方法,包括电导体丝,单壁碳纳米管,电导体丝前端为针尖形;单壁碳纳米管直径为1－2纳米,长度为10～100纳米,将短单壁碳纳米管用物理的或化学方法组装在电导体丝针尖前端,在真空中经加热或电子束轰击处理,在电导体丝与碳纳米管交接处形成过渡区的碳化物。由于碳纳米管具有很高的强度和很好的柔性,所以本弹道电子发射源是一稳定结构的新型电子源,具有超强、高亮度、相干性和偏振性。可以应用在彩色全息电视电子源;复眼式平板显示屏;电子显微分析仪;偏振电子束;自由电子激光器;超亮光源;大气中的X光源;高能电子束手术刀等多个领域。
弹道电子发射及其制备方法

[发明专利]激光脉冲检测用光电发射薄膜-CN92112947.5无效
发明人：吴全德;刘惟敏;董引吾;吴锦雷;石自光;薛增泉 -专利权人：中国科学院北京真空物理实验室;北京大学
申请日： 1992-11-13 - 公布日： 1995-11-29 - 主分类号： H01J40/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电发射薄膜的制备方法与应用，属于半导体器件领域。此种薄膜含有银、钡、氧三种元素，用真空系统中通电加热蒸发钡源和银源，使其沉积并激活的方法制备。此种薄膜可存放于大气能在真空仪器中恢复光电发射而无需重新激活，并可以在较高温度环境下工作，具有较高灵敏度。它可以作为光电发射薄膜材料，用于皮秒级激光脉冲检测及高亮度阴极，还可用于变相管等。
激光脉冲检测用光发射薄膜

1
共 10 条