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[发明专利]具有噪声抑制机制的电子装置-CN201910132424.6有效
发明人：詹皓崴;吴瑞北;王世宏;王文山 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：一种具有噪声抑制机制的电子装置，包括：电路板、无线通讯模块、数字信号产生模块、金属壳以及至少一个接地金属柱。无线通讯模块形成在电路板上的芯片设置区中，配置以在无线信号频率范围内进行无线通讯。数字信号产生模块形成在电路板上的芯片设置区中，配置产生数字信号，通过芯片设置区中的至少一条传递路径传递。金属壳配置以与电路板相接，以覆盖芯片设置区。接地金属柱设置在电路板上的芯片设置区中并延伸以接触金属壳，被配置以提升金属壳的共振频率，以使数字信号产生的噪声通过金属壳耦合共振产生的噪声值小于干扰阈值。
具有噪声抑制机制电子装置

[发明专利]偶极矩模型建立方法与系统-CN202210756048.X在审
发明人：蔡旻序;吴瑞北 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本揭示提供一种偶极矩模型建立方法与系统。该偶极矩模型建立方法适用于待测电路，包含：对该待测电路执行近场测量，以得到关联于该待测电路的近场电场以及近场磁场；对该近场电场与该近场磁场执行二维散度运算，以得到近场电散度场与近场磁散度场；藉由数字滤波器，对该近场电散度场与该近场磁散度场执行卷积运算；以及根据卷积运算结果，建构等效于该待测电路的偶极矩矩阵。
偶极矩模型建立方法系统

[发明专利]电源线结构-CN202110703611.2在审
发明人：黄俊铭;吴瑞北;王世宏;吴亭莹;黄铭崇 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：一种电源线结构包含一介电层、一第一导电部件、一第二导电部件以及一第三导电部件。第一导电部件设置于介电层的一第一侧。第二导电部件设置于介电层的第一侧。第三导电部件设置于介电层的第一侧且位于第一导电部件与第二导电部件之间。第一导电部件以及该第二导电部件的电压为一地电压。第三导电部件用以接收一第一电源电压。
电源线结构

[发明专利]双电容底滤波器的设计方法与双电容底滤波器-CN201810183245.0有效
发明人：陈柏均;吴瑞北;吴亭莹;王文山;周格至 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H03H7/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种双电容底滤波器的设计方法，其一实施例包含下列步骤：决定一参考频率f1与一比例FBW，其中f1位于一滤波频宽的一部分内，FBW是该部分与该滤波频宽的比例；依据f1与FBW选择一第一电容与一第二电容，其中该第一电容的一共振频率fc1等于f1×(1‑N×FBW)，该第二电容的一共振频率fc2等于f1×(1+M×FBW)，该N与该M的每一个为一不大于1的正数；以及依据fc1与一信号传输速度来决定一第一传输线的长度，并依据fc2与该信号传输速度来决定一第二传输线的长度，其中该第一电容耦接于该第一传输线的中央与一接地端之间，该第二电容耦接于该第二传输线的中央与该接地端之间，且该第一传输线与该第二传输线是以串联方式连接。
电容滤波器设计方法

[发明专利]电磁能隙结构装置-CN201911311571.6在审
发明人：谢欣展;吴瑞北;王世宏;吴亭莹 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：一种电磁能隙结构装置，包含一第一导体层，设有至少一第一槽，每一该至少一第一槽中分别设置一导体平面单元，每一该导体平面单元分别耦接于一第一导通柱；以及一第二导体层，平行于该第一导体层，该第二导体层挖设一第二槽，该第二槽中设置至少一传输线平面单元，其中每一该至少一传输线平面单元分别通过一第二导通柱耦接于该第一导体层，且每一该第一导通柱皆耦接于该第二导体层。
磁能结构装置

[发明专利]立体电磁能隙电路-CN201810509925.7有效
发明人：汪余聪;吴瑞北;王世宏;王文山 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明提出一种立体电磁能隙电路，包含：介电层，具有第一表面与相对的第二表面；螺旋状元件，位于第一表面上；第一环绕元件，位于第一表面上，且环绕在螺旋状元件的周围，但不接触螺旋状元件；平面状元件，位于第二表面上，且包含缺口；第二环绕元件，位于第二表面上，且环绕在平面状元件的周围，但不接触平面状元件，其中，第二环绕元件还包含有朝向缺口延伸的突出部；第一导孔，贯穿介电层、螺旋状元件、与突出部；第二导孔，贯穿介电层、平面状元件、与第一环绕元件；以及第三导孔，贯穿介电层、平面状元件、与第一环绕元件。
立体磁能电路

[发明专利]应用于存储器系统的电路与相关方法-CN201810239179.4在审
发明人：邱致嘉;吴瑞北;吴亭莹;王文山;周格至 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2018-03-22 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：一种应用于一存储器系统的电路，该系统包含多个存储器。该电路包含多个串联连接的连接线，每一连接线具有一第一端以及一第二端，该第二端耦接至该多个存储器的其中之一存储器的一端点，该多个连接线中的一第一连接线的一等效阻抗与该多个连接线中的一第二连接线的一等效阻抗不同，且该第一连接线与该第二连接线为串联连接。
连接线存储器存储器系统电路阻抗第一端耦接应用

[发明专利]具有TSV互连的半导体封装组件-CN201510974790.8有效
发明人：杨明宗;洪建州;黄伟哲;黄裕华;林子闳;詹归娣;吴瑞北;吴凯斌 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有TSV互连的半导体封装组件。所述半导体封装组件包括安装在基底上的第一半导体晶粒。第一半导体晶粒包括半导体衬底。TSV互连的第一阵列和TSV互连的第二阵列由半导体衬底形成，其中TSV互连的第一阵列和第二阵列被间隔区域分隔开。第一接地TSV互连位于间隔区域内。第二半导体晶粒安装在第一半导体晶粒上，其上具有接地衬垫。第一半导体晶粒的第一接地TSV互连具有耦接到第二半导体晶粒的接地衬垫上的第一端子以及耦接到位于半导体衬底的正面上的互连结构上的第二端子。本发明通过以上技术方案可以有效地增加集成度。
具有 tsv 互连半导体封装组件

[发明专利]非相邻垂直共振腔耦合结构-CN201110402345.6无效
发明人：庄嘉成;吴瑞北;沈泽旻 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2007-07-20 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01P3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种非相邻垂直共振腔耦合结构及其制造方法。该非相邻垂直共振腔耦合结构至少包括：第一与第二共振腔、介质材料层、至少一第一与第二高频传输线以及至少一连通柱。第一与第二共振腔分别具有彼此相对的第一与第二金属表面，其中第一与第二共振腔的各第二金属表面彼此相对配置。介质材料层位在第一与第二共振腔的各第二金属表面之间。第一高频传输线配置在对应该第一共振腔的第一表面的其中一侧边缘，并且第二高频传输线配置在对应第二共振腔的第一表面的其中一侧边缘，连通柱则垂直地连接该第一与该第二高频传输线。
相邻垂直共振耦合结构

[发明专利]非相邻垂直共振腔耦合结构-CN200710137360.6有效
发明人：庄嘉成;吴瑞北;沈泽旻 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2007-07-20 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01P3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种非相邻垂直共振腔耦合结构及其制造方法。该非相邻垂直共振腔耦合结构至少包括：第一与第二共振腔、介质材料层、至少一第一与第二高频传输线以及至少一连通柱。第一与第二共振腔分别具有彼此相对的第一与第二金属表面，其中第一与第二共振腔的各第二金属表面彼此相对配置。介质材料层位在第一与第二共振腔的各第二金属表面之间。第一高频传输线配置在对应该第一共振腔的第一表面的其中一侧边缘，并且第二高频传输线配置在对应第二共振腔的第一表面的其中一侧边缘，连通柱则垂直地连接该第一与该第二高频传输线。
相邻垂直共振耦合结构

[发明专利]等效电路的测量方法-CN98126305.4无效
发明人： 吴瑞北;王美华 -专利权人：富士康(昆山)电脑接插件有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 1998-12-29 - 公布日： 2000-07-05 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：一种等效电路的测量方法,包括以下步骤a.将输入电压输进待测系统且测出反射信号,并将该反射信号分段为相隔的至少一均匀传输线区段与至少一集总元件区段;b.将第一段的反射信号及输入电压转换为入射波、反射波;c.由传输线逐层萃取法得到均匀传输线区段的特征阻抗值,再得到其后相接的集总元件区段的入射波与反射波;d.将集总元件区段由入射波与反射波得到反射系数步阶响应;e.将步阶响应转换成电子电路;f.利用该集总元件区段的电子电路求进入下一区段的均匀传输线的入射波与反射波;g.重复c至f直到所有反射信号的区段得出特征阻抗值或电子电路。
等效电路测量方法

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