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[实用新型]一种石英坩埚制备模具-CN202320659993.8有效
发明人： 吴树飞;张文霞;赵国伟;菅向红;安伟 -专利权人：内蒙古中环晶体材料有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C03B20/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种石英坩埚制备模具，包括用于承载石英坩埚的模体，在所述模体内配置有吸气装置，所述吸气装置至少包括第一气管，所述第一气管被构置在所述模体中靠近石英坩埚顶部一端的外壁面周缘布置。本实用新型结构简单且易于控制，在熔制时可减少石英坩埚内壁上的微颗粒的附着，并可快速将模体上未熔的石英砂抽取，避免在断弧时由于模体旋转振动将微颗粒进入石英坩埚中而形成颗粒状白点或者附着物，提高石英坩埚的制备质量，降低首颗单晶由于异质导致的断苞，可使首颗单晶良率提高3‑5％。
一种石英坩埚制备模具

[实用新型]一种用于石英坩埚生产的磨削机构-CN202320664380.3有效
发明人：沈浩平;李建军;王林;谷守伟;梁山;徐强;张文霞;吴树飞;赵国伟 -专利权人：内蒙古中环晶体材料有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： B24B5/50 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于石英坩埚生产的磨削机构，包括：支撑座，所述支撑座设置于底座的一侧，用于支撑并带动石英坩埚旋转；磨削部，所述磨削部设置于所述底座的另一侧，用于对所述石英坩埚的坩埚侧壁的内表面进行磨削；所述磨削部的磨头的外壁为与所述坩埚侧壁的内表面贴合设置的形状；磨削部移动机构，所述磨削部通过所述磨削部移动机构连接于所述底座，并通过所述磨削部移动机构相对于所述支撑座上的所述石英坩埚运动。本实用新型的有益效果是采用上述处理方案，可以在石英坩埚完成成品制造后进行处理，仅通过磨削机构，增加一项处理工步即达成成对坩埚内壁微颗粒的去除效果，无需进行熔制设备的改造或更改熔制工艺，可以降低改造成本。
一种用于石英坩埚生产磨削机构

[发明专利]一种提高首颗成晶率的石英坩埚预处理方法-CN202111015641.0在审
发明人：张文霞;吴树飞;郝瑞军;赵国伟;王林;谷守伟 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C03C23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种提高首颗成晶率的石英坩埚预处理方法，石英坩埚在装料之前，对石英坩埚进行高温空烧，以使得坩埚内表面形成析晶层。本发明的有益效果是阻止石英坩埚在使用过程中无定型二氧化硅颗粒进入熔硅中而引起断苞，提高首颗单晶的成晶率。
一种提高首颗成晶率石英坩埚预处理方法

[发明专利]提高首颗成晶率的石英坩埚预处理方法、坩埚及拉晶工艺-CN202110869999.3在审
发明人：张文霞;吴树飞;赵国伟;王羽;王林 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种提高首颗成晶率的石英坩埚预处理方法，在石英坩埚装料之前，依次对石英坩埚进行酸处理、清洗和烘干，去除石英坩埚内表面的微气泡。本发明的有益效果是去除石英坩埚内表面的微气泡及石英颗粒，避免在拉晶过程中石英坩埚内表面的微气泡破裂而产生的气体杂质影响成晶。
提高首颗成晶率石英坩埚预处理方法工艺

[实用新型]一种适用于多种尺寸石英坩埚的真空埚盖-CN202221796846.7有效
发明人：赵国伟;吴树飞;张文霞;王建平;王林 -专利权人：内蒙古中环晶体材料有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种适用于多种尺寸石英坩埚的真空埚盖，包括坩埚盖体和吸附部，所述坩埚盖体顶部设有吊环用于吊装，所述吊环一侧设有真空阀，所述吸附部设置在所述坩埚盖体底部，所述真空阀将石英坩埚内抽成真空，使所述吸附部可与不同尺寸的石英坩埚吸附。本实用新型的有益效果是吊装颗粒硅料时，一种真空埚盖可适用于多种尺寸的石英坩埚，结构简单，降低了生产成本，操作便捷。
一种适用于多种尺寸石英坩埚真空

[实用新型]一种新型石英坩埚真空埚盖-CN202221796810.9有效
发明人：赵国伟;吴树飞;张文霞;王建平;王林 -专利权人：内蒙古中环晶体材料有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种新型石英坩埚真空埚盖，包括坩埚盖体和阶梯吸附部，所述坩埚盖体设有内凹面，形成凹面容腔，所述凹面容腔顶部设有吊环用于吊装，所述吊环一侧设有真空阀，所述阶梯吸附部设置在所述凹面容腔底部开口边缘，所述真空阀将石英坩埚内抽成真空，所述阶梯吸附部可与不同尺寸的石英坩埚吸附，使所述凹面容腔与高出石英坩埚上沿的多晶硅料无接触。本实用新型的有益效果是吊装多晶硅料时，一种真空埚盖可适用于多种尺寸的石英坩埚，避免多晶硅料与真空锅盖接触，结构简单，降低了生产成本，操作便捷。
一种新型石英坩埚真空

[发明专利]一种控制掺镓单晶电阻率的单晶拉制工艺-CN202110672605.5在审
发明人：赵国伟;吴树飞;郝瑞军;刘振宇;王林;谷守伟;张文霞;王建平;郭志荣 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种控制掺镓单晶电阻率的单晶拉制工艺，在直拉单晶过程中，在等径阶段，根据单晶拉制长度的变化进行保护气体的流量和单晶炉的炉压的调整，控制保护气体的流量和单晶炉的炉压，控制合金挥发速率。本发明的有益效果是使得保护气体的流量在等径阶段随着单晶拉制长度的增加而增加，使得单晶炉的炉压在等径阶段随着单晶拉制长度的增加而减小，使得单晶炉的炉压及保护气体的流量联动控制，增加掺镓单晶拉制后期的合金挥发速率，降低合金浓度，提高掺镓单晶拉制长度。
一种控制掺镓单晶电阻率拉制工艺

[发明专利]一种根据炉压控制掺镓单晶电阻率的拉制工艺-CN202110672611.0在审
发明人：赵国伟;吴树飞;郝瑞军;王林;谷守伟;张文霞;王建平;郭志荣 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种根据炉压控制掺镓单晶电阻率的拉制工艺，在直拉单晶过程中，在等径阶段，根据单晶拉制长度的变化进行单晶炉的炉压的调整，控制单晶炉的炉压，控制合金挥发速率。本发明的有益效果是使得单晶炉的炉压在等径阶段随着单晶拉制长度的增加而减小，在单晶拉制过程中制造不同的炉内气体流动场景，增加掺镓单晶拉制后期的合金挥发速率，降低合金浓度，提高掺镓单晶的周向电阻率控制精度，提高掺镓单晶拉制长度。
一种根据控制掺镓单晶电阻率拉制工艺

[发明专利]一种根据保护气体流量控制掺镓单晶电阻率的拉制工艺-CN202110673761.3在审
发明人：赵国伟;吴树飞;郝瑞军;王林;谷守伟;张文霞;王建平;郭志荣 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种根据保护气体流量控制掺镓单晶电阻率的拉制工艺，在直拉单晶过程中，在等径阶段，根据单晶拉制长度的变化进行保护气体的流量的调整，控制保护气体的流量，控制合金挥发速率。本发明的有益效果是使得保护气体的流量在等径阶段随着单晶拉制长度的增加而增加，在单晶拉制过程中制造不同的炉内气体流动场景，增加掺镓单晶拉制后期的合金挥发速率，降低合金浓度，提高掺镓单晶拉制长度。
一种根据保护气体流量控制掺镓单晶电阻率拉制工艺

[发明专利]一种适用于吸料实验的极限拉晶工艺-CN202110557217.2在审
发明人：项龙;赵子龙;刘振宇;吴树飞;王林;王建平 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C30B15/28 文献下载
摘要：本发明提供一种适用于吸料实验的极限拉晶工艺，包括：拉制单晶过程中，当坩埚内部剩料较少时，调整主加热器的加热功率，同时调整坩埚转速，控制单晶尾部的直径；当满足预设条件时，停止拉晶。本发明的有益效果是降低坩埚的转速以及对主加热器进行一定的温补，避免加热功率低和坩埚转速过快导致坩埚内的硅液结晶，针对不同的剩料重量来调整主加热器的加热功率以及坩埚的转速，能够更加准确的控制单晶的直径，使单位小时内重量变化较现有技术增加，拉到吸料要求剩料所需时间较现有技术减小，减少工时浪费，降低综合成本。
一种适用于实验极限工艺

[发明专利]一种直拉单晶初始复投工艺-CN202110556750.7在审
发明人：赵国伟;王林;谷守伟;张文霞;王建平;吴树飞;郝瑞军;安伟;菅向红;郭志荣 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种直拉单晶初始复投工艺，步骤包括：载有熔硅原料的石英坩埚的上端面至熔硅液面具有一定高度；使具有所述一定高度的所述石英坩埚的内侧环壁面产生析晶相变，获得一层α‑方石英结构的石英体；向析晶后的所述石英坩埚进行复投硅原料。本发明在不影响石英坩埚总的装料量前提下，可使石英坩埚靠近固液界面的上沿内壁被高温充分烘烤，使其逐步完全析晶获得一层致密且稳定的α‑方石英结构的保护层，且耐腐蚀度高，使在首颗单晶拉制过程中，石英坩埚内壁不易出现气泡破裂或石英脱落问题，从而可减少拉晶过程中杂质的含量，进而改善成晶效果。与现有初始复投工艺相比，本发明提出的复投工艺，可使初始拉制硅棒的成晶率提高15％以上。
一种直拉单晶初始投工

[发明专利]一种坩埚底料吸取工艺及适于该工艺的工件-CN202110522401.3在审
发明人：项龙;刘振宇;赵子龙;王林;杨志;刘有益;赵国伟;吴树飞;郝瑞军;闫宏;史锦璐 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种坩埚底料吸取工艺，步骤包括：在主室内，执行对用于吸取石英坩埚底料工件的预热，使其温度与其途经热场阶梯温度相适配；控制底料与石英坩埚剥离并被吸至工件内腔中。本发明对吸取硅料的吸料工件采用阶梯式预热，以使其与热场阶梯温度相适配，并对吸取底料后的工件进行分步冷却，避免因温度的突变而产生裂纹，保证吸取硅料的有效性、完整性和安全性；采用本工艺可将坩埚内的剩余底料完全吸出并安全从单晶炉内取出，净化坩埚环境，为后续复投拉晶做好准备。
一种坩埚吸取工艺适于工件

[发明专利]一种单晶炉直拉对中校准系统及校准方法-CN202011258162.7在审
发明人： 吴树飞;郝瑞军;赵国伟;周泽;刘振宇;杨瑞峰;刘学;王建宇 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明一种单晶炉直拉对中校准系统及校准方法，用于提拉钢线与石英坩埚同轴线校准，包括：置于单晶炉主室内侧并被悬空设置的校准部；监测部；以及用于与监测部连接的处理器；其中，提拉钢线绷直设置；校准部与提拉钢线下端的重锤连接，且校准部下端面距离石英坩埚上端面有一定距离。本发明可快速精准地多次重复对中校准，结果稳定且一致性好，为后续晶体生长时确保晶体棒和石英坩埚的旋转中心重合奠定基础，降低了由于熔硅液面抖动造成的固液界面异常，最大限度地保证晶体正常生长，整体误差率由现有的10％降低至5％，检测效率提高了5％左右，再现一致性好，提高晶体生长合格率。
一种单晶炉直拉校准系统方法

[发明专利]一种自动稳定籽晶进行粘渣的方法-CN202011258169.9在审
发明人： 吴树飞;郝瑞军;赵国伟;周泽;刘振宇;杨瑞峰;刘学;王建宇 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种自动稳定籽晶进行粘渣的方法，包括：在设定热场功率下，使提拉钢线被围设于一定空间内，并操作所述提拉钢线并使籽晶下降至设定位置处，当所述籽晶下端面与石英坩埚内熔硅液面中心点相对应，开始粘渣。本发明提出的方法，整个粘渣过程都可以自动控制，无需人员操作介入，减少人为误差，提高籽晶与熔硅液面中心的渣料接触的准确率，并使籽晶与熔硅液面中心的渣料接触的准确率提高了5‑8％，保证粘渣质量，提高工作效率。
一种自动稳定籽晶进行方法

[发明专利]一种直拉单晶热场及用于该热场的复投工艺-CN202011258189.6在审
发明人： 吴树飞;郝瑞军;赵国伟;周泽;刘振宇;杨瑞峰;刘学;王建宇 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种直拉单晶热场及用于该热场的复投工艺，包括石英坩埚、石墨/碳碳坩埚、上固化保温筒、中固化保温筒和导流筒，还具有：置于石墨/碳碳坩埚上端面的支撑坩埚和置于上固化保温筒和中固化保温筒之间的支撑保温筒；支撑坩埚上端面低于石英坩埚上端面，且支撑坩埚上端面距离石墨/碳碳坩埚上端面的高度为定值；支撑保温筒分别与上固化保温筒和中固化保温筒连接，且支撑坩埚高度与支撑保温筒高度相同。本发明在不改变现有石墨/碳碳坩埚、加热器、所有固化保温筒结构的条件下，重新配置较于常规石英坩埚一定高度的新的石英坩埚，在新的热场中进行复投生产，不仅可降低金属杂质进入直拉单晶中，而且可提高单晶质量，降低单棱断苞率。
一种直拉单晶热场用于投工

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