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[实用新型]一种单晶炉直拉对中校准系统-CN202022603711.1有效
发明人： 吴树飞;郝瑞军;赵国伟;周泽;刘振宇;杨瑞峰;刘学;王建宇 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型一种单晶炉直拉对中校准系统，用于提拉钢线与石英坩埚同轴线校准，包括：置于单晶炉主室内侧并被悬空设置的校准部；监测部；以及用于与监测部连接的处理器；其中，提拉钢线绷直设置；校准部与提拉钢线下端的重锤连接，且校准部下端面距离石英坩埚上端面有一定距离。本实用新型可快速精准地多次重复对中校准，结果稳定且一致性好，为后续晶体生长时确保晶体棒和石英坩埚的旋转中心重合奠定基础，降低了由于熔硅液面抖动造成的固液界面异常，最大限度地保证晶体正常生长，整体误差率由现有的10％降低至5％，检测效率提高了5％左右，再现一致性好，提高晶体生长合格率。
一种单晶炉直拉校准系统

[发明专利]一种副室定位机构、副室自动回旋系统及方法-CN202010116899.9在审
发明人：赵国伟;徐强;高润飞;王林;谷守伟;王建平;周泽;杨志;吴树飞;刘振宇;刘学;刘有益;皇甫亚楠;高建芳;杨瑞峰;郭志荣 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种副室定位机构，包括第一定位件和第二定位件，第一定位件与副室连接，第二定位件与炉体连接，第一定位件与第二定位件插接配合，第一定位件与第二定位件插接进行副室旋回时与炉体定位，第一定位件与第二定位件分离进行副室旋离炉体。本发明的有益效果是具有回旋定位机构，能够在副室回旋时对副室进行定位，使得副室能后准确、快速的安装在炉体上，使得副室能够自动回旋至炉体上，提高了副室回旋的自动化水平，降低人员劳动强度，为后续的自动稳定籽晶奠定了结实的基础。
一种定位机构自动回旋系统方法

[发明专利]一种自动拉晶过程中取段稳温的升温保护方法-CN202010116902.7在审
发明人：赵国伟;徐强;高润飞;王林;谷守伟;王建平;周泽;杨志;吴树飞;刘振宇;刘学;刘有益;皇甫亚楠;高建芳;杨瑞峰;郭志荣 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种自动拉晶过程中取段稳温的升温保护方法，包括以下步骤，下降坩埚；降低单晶的转速和坩埚的转速；设定升温功率，进行稳温；按照升温时间进行升温；恢复引晶功率，进行引晶。本发明的有益效果是采用自动化控制调节坩埚的位置、坩埚的转速、单晶的转速、升温功率及升温时间，避免由于升温过高导致安全事故的发生，降低劳动强度，提高生产效率，自动化程度高，保证了拉晶过程工艺标准的统一。
一种自动过程中取段稳温升温保护方法

[发明专利]一种取段结晶工艺-CN202010116913.5在审
发明人：赵国伟;徐强;高润飞;王林;谷守伟;王建平;周泽;杨志;吴树飞;刘振宇;刘学;刘有益;皇甫亚楠;杨瑞峰;郭志荣 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种取段结晶工艺，包括以下步骤，下降坩埚；降低单晶转速与坩埚转速；预制结晶功率，控制坩埚内硅溶液的温度，便于复投原料熔化结晶。本发明的有益效果是控制坩埚的位置、单晶的转速、坩埚的转速和结晶功率，实现取段复投结晶过程中自动化程度高，降低人员劳动强度，提高生产效率。
一种结晶工艺

[发明专利]一种单晶断苞后自动回熔工艺-CN202010116914.X在审
发明人：赵国伟;徐强;高润飞;王林;谷守伟;王建平;周泽;杨志;吴树飞;刘振宇;刘学;刘有益;皇甫亚楠;杨瑞峰;郭志荣 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶断苞后自动回熔工艺，包括以下步骤，S1：进行坩埚内硅溶液升温；S2：升温结束后，自动阶段下降回熔单晶进行回熔，并在每一阶段回熔时，判定回熔单晶回熔状态，直至回熔单晶的重量达到降温初始单晶重量；降低硅溶液温度，在此降温过程中继续自动阶段下降回熔单晶回熔，直至回熔单晶的重量达到恢复引晶功率单晶重量，将硅溶液的温度维持在引晶温度，继续回熔单晶回熔，直至回熔单晶回熔完；S3：进行稳温、引晶。本发明的有益效果是采用自动化控制，对断苞后的单晶进行阶段性回熔，且在每一阶段回熔时，自动进行单晶是否回熔完判断，降低劳动强度，提高工作效率，自动化程度高。
一种单晶断苞后自动工艺

[发明专利]一种单晶断苞后自动回熔时回熔状态判定的工艺-CN202010116915.4在审
发明人：赵国伟;徐强;高润飞;王林;谷守伟;王建平;周泽;杨志;吴树飞;刘振宇;刘学;刘有益;皇甫亚楠;杨瑞峰;郭志荣 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶断苞后自动回熔时回熔状态判定的工艺，在单晶断苞后自动阶段下降进行回熔单晶回熔时，在每一阶段中，测量回熔单晶的初始重量，并将该回熔单晶下降一定距离至硅溶液液面下，在预设的回熔时间内进行回熔，当达到回熔时间后，进行回熔单晶是否回熔完的判定，若硅溶液内的回熔单晶回熔完，进行下一阶段下降回熔单晶回熔；否则，进行回熔状态判定。本发明的有益效果是采用自动控制，对断苞后的单晶进行阶段性回熔，且在每一阶段回熔时，自动进行单晶是否回熔完判断，降低劳动强度，提高工作效率，自动化程度高。
一种单晶断苞后自动回熔时回熔状态判定工艺

[发明专利]一种取段稳温工艺-CN202010117511.7在审
发明人：赵国伟;徐强;高润飞;王林;谷守伟;王建平;周泽;杨志;吴树飞;刘振宇;刘学;刘有益;皇甫亚楠;高建芳;杨瑞峰;郭志荣 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种取段稳温工艺，在直拉单晶过程中取段后，进行稳温，包括以下步骤：下降坩埚；降低单晶的转速和坩埚的转速；设定升温功率，进行升温。本发明的有益效果是自动化控制调节坩埚的位置、坩埚的转速、单晶的转速和升温功率，缩短再次稳温工时，降低劳动强度，提高生产效率，自动化程度高，保证了拉晶过程工艺标准的统一。
一种取段稳温工艺

[实用新型]一种直拉单晶热场-CN202022603689.0有效
发明人： 吴树飞;郝瑞军;赵国伟;周泽;刘振宇;杨瑞峰;刘学;王建宇 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种直拉单晶热场，包括石英坩埚、石墨/碳碳坩埚、上固化保温筒、中固化保温筒和导流筒，还具有：置于石墨/碳碳坩埚上端面的支撑坩埚和置于上固化保温筒和中固化保温筒之间的支撑保温筒；支撑坩埚上端面低于石英坩埚上端面，且支撑坩埚上端面距离石墨/碳碳坩埚上端面的高度为定值；支撑保温筒分别与上固化保温筒和中固化保温筒连接，且支撑坩埚高度与支撑保温筒高度相同。本实用新型在不改变现有石墨/碳碳坩埚、加热器、所有固化保温筒结构的条件下，重新配置较于常规石英坩埚一定高度的新的石英坩埚，在新的热场中进行复投生产，不仅可降低金属杂质进入直拉单晶中，而且可提高单晶质量，降低单棱断苞率。
一种直拉单晶热场

[发明专利]一种引晶引断后自动稳温工艺-CN201910833133.X有效
发明人：赵国伟;王建平;周泽;王鑫;皇甫亚楠;杨志;刘学;吴树飞;刘振宇;郭志荣;王林;高润飞 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种引晶引断后自动稳温工艺，应用于直拉单晶引晶引断后进行自动稳温，包括以下步骤，S1：籽晶引断后，调节坩埚内硅溶液温度至过热温度，其中，在硅溶液温度调节过程中，籽晶自动延迟下降；S2：硅溶液温度调节至过热温度后，按照预置引晶功率进行热场功率选择，进行稳温；S3：根据细晶的长度进行籽晶下降，熔化细晶，进行过热熔接，并进行引晶。本发明的有益效果是改变传统工艺中引晶引断后的处理方式，由人为的手动操作转变为系统的全自动操作，单晶炉引晶时发生引断后，自动执行升温、降籽晶、预制引晶功率等步骤，直至执行下次自动引晶，提高拉近操作人员工作效率，降低员工工作强度。
一种引晶引断后自动工艺

[实用新型]一种单晶晶体-CN202021561844.0有效
发明人：刘学;杨瑞峰;王建宇;薛晔龙;张鸿宇;赵欣宇;郭志荣;石鑫;吴树飞;赵国伟;谷守伟;王林 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型揭露了一种单晶晶体，其包括等径段与收尾段，所述收尾段包括与所述等径段尾端一体连接的第一段以及一体连接于所述第一段尾端的第二段，所述第一段的直径与等径段的直径相等，或，所述第一段与等径段的直径的差值在±3mm以内，从而收尾段的第一段符合合格晶体直径要求，可和等径段一起作为合格晶体使用，从而大大提高了原材料利用率，大大降低了生产成本。
一种晶体

[实用新型]一种自动稳定籽晶的单晶炉定位机构及单晶炉系统-CN202020649335.7有效
发明人：赵国伟;王林;高润飞;谷守伟;王建平;周泽;杨志;吴树飞;刘振宇;郝瑞军;刘学;皇甫亚楠;杨瑞峰;郭志荣;钟旭 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本实用新型提供一种自动稳定籽晶的单晶炉定位机构及单晶炉系统，包括相对设于单晶炉副室内部的定位装置，且相对设置的定位装置可相对靠近或远离的转动，对籽晶进行定位、稳定；其中，定位装置包括旋转驱动装置和定位件，旋转驱动装置与单晶炉副室的内壁连接，定位件与旋转驱动装置连接，定位件在旋转驱动装置的作用下转动，对籽晶进行定位、稳定。本实用新型的有益效果是应用于直拉单晶过程中，能够在直拉单晶过程中对籽晶进行稳定，使得籽晶稳定这一过程实现自动进行，实现籽晶的自动稳定，降低了劳动的强度，提高了生产效率。
一种自动稳定籽晶单晶炉定位机构系统

[实用新型]一种副室定位机构、副室自动回旋定位系统-CN202020207861.8有效
发明人：赵国伟;徐强;高润飞;王林;谷守伟;王建平;周泽;杨志;吴树飞;刘振宇;刘学;刘有益;皇甫亚楠;高建芳;杨瑞峰;郭志荣 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种副室定位机构、副室自动回旋定位系统，包括第一定位件和第二定位件，第一定位件与副室连接，第二定位件与炉体连接，第一定位件与第二定位件插接配合，第一定位件与第二定位件插接进行副室旋回时与炉体定位，第一定位件与第二定位件分离进行副室旋离炉体。本实用新型的有益效果是具有回旋定位机构，能够在副室回旋时对副室进行定位，使得副室能后准确、快速的安装在炉体上，使得副室能够自动回旋至炉体上，提高了副室回旋的自动化水平，降低人员劳动强度，为后续的自动稳定籽晶奠定了结实的基础。
一种定位机构自动回旋系统

[实用新型]一种单晶炉副室清理装置-CN202020719449.4有效
发明人： 吴树飞;王林;高润飞;谷守伟;王建平;周泽;杨志;赵国伟;刘振宇;郝瑞军;刘学;皇甫亚楠;杨瑞峰;郭志荣;钟旭 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： B08B9/087 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单晶炉副室清理装置，包括与副室内壁相适配的架体，在所述架体外壁设有清洁件，所述架体的外壁沿其高度方向被所述清洁件全覆盖，所述清洁件与所述副室内壁周缘全接触，从所述架体内侧向所述清洁件提供清洗液，所述清洁件沿所述副室轴线上下移动并可连续清洁所述副室。本实用新型本实用新型提出的清理装置，结构简单且易于控制，可连续全面地清洁副室内壁，无遗漏，清洁质量好且清洁效果一致，清洗液利用率高。
一种单晶炉副室清理装置

[实用新型]一种单晶炉隔离腔清理装置-CN202021561282.X有效
发明人： 吴树飞;周泽;赵国伟;郝瑞军;刘振宇;刘学;杨瑞峰;项龙;皇甫亚楠;王林 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： B08B9/093 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单晶炉隔离腔清理装置，用于清理密封的隔离腔中的硅粉，其特征在于，包括：可往复旋转地向所述隔离腔吹气的进气单元，以使附着于所述隔离腔内壁上的所述硅粉被吹掉并漂浮于所述隔离腔内；和吸收被所述进气单元吹掉的所述硅粉并使所述硅粉被过滤收集的吸收单元；其中，所述进气单元的位置高于所述吸收单元的位置；所述进气单元的进气口横截面的面积小于所述吸收单元的排气口横截面的面积。本实用新型提出的清理装置结构简单，占用空间小且操作方便，不仅可完全覆盖隔离腔的内腔，而且可快速清理隔离腔内的硅粉，清理效果好且清理时间短。
一种单晶炉隔离清理装置

[实用新型]一种单晶炉-CN202020631597.0有效
发明人： 吴树飞;王林;高润飞;谷守伟;王建平;周泽;杨志;赵国伟;刘振宇;郝瑞军;刘学;皇甫亚楠;杨瑞峰;郭志荣;钟旭 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单晶炉，包括炉盖和主炉室，还具有若干用于监测所述主炉室石英坩埚中熔硅液面上设定区域内的温度监控装置，所述监控装置置于所述炉盖内侧且被置于所述主炉室导流筒的斜上方；所述监控装置均朝所述设定区域方向倾斜设置。本实用新型通过设置用于熔硅液面尤其是靠近中心位置处的温度，实现熔硅液面温度监控自动调整，以保证稳温拉制工序中固液界面温度的横定，为后续成功引晶奠定基础，监控区域设置合理，监控温度精准且易于控制，实现熔硅液面温度的自动调节,从而保证单晶晶体生长温度梯度的一致性，提高生产效率。
一种单晶炉