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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种紫外雪崩探测器及其制备方法-CN201710557299.4有效
  • 汪莱;吴星曌;郝智彪;罗毅 - 清华大学
  • 2017-07-10 - 2019-09-20 - H01L31/107
  • 本发明公开了一种紫外雪崩探测器及其制备方法，该探测器为nipip结构，自衬底从下向上依次包括：p型层、i型光敏吸收层、p型过渡层、i型雪崩层、n型层；所述n型层上设置有n型欧姆电极，所述p型层上设置有p型欧姆电极；所述p型层为接收入射光的结构层所述衬底为可透光的衬底。由于本发明提供一种新的nipip结构，将衬底设置为可透光材料，因此紫外光可以从背部入射，穿过衬底来进行探测工作。后续在进行集成时，探测器阵列与其上的读出电路通过铟柱连接时，并不影响紫外光的探测工作。
  • 一种紫外雪崩探测器及其制备方法
  • [发明专利]一种半导体光探测器及其制备方法-CN201710264851.0在审
  • 汪莱;郑纪元;吴星曌;郝智彪;罗毅 - 清华大学
  • 2017-04-21 - 2017-09-29 - H01L31/0352
  • 本发明公开了一种半导体光探测器及其制备方法，包括该探测器为pipin结构，在衬底上依次包括n型层、i型倍增层、p型电荷层、i型光敏吸收层、p型滤光层；n型层上设置有n型欧姆电极，p型滤光层上设置有p型欧姆电极；所述p型滤光层和n型层构成pn结；所述p型滤光层和i型光敏吸收层为异质结；其中，所述p型滤光层禁带宽度大于所述i型光敏吸收层的禁带宽度；且所述p型滤光层为接收入射光的结构层。正是由于p型滤光层和i型光敏吸收层为异质结，可以构成一个滤波窗口，故只有符合波长要求的光被吸收层吸收，产生载流子，从而大大增强半导体光敏探测器的波长选择性。
  • 一种半导体探测器及其制备方法
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  • 共 3 条
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