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[实用新型]一种垃圾桶内壁自动清理的辅助设备-CN202321347227.4有效
发明人： 吴小利;叶家瑶 -专利权人：杭州明睿工程设计有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： B65F1/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及城市垃圾处理技术领域，且公开了一种垃圾桶内壁自动清理的辅助设备，包括框架，所述框架的内部转动连接有螺杆，螺杆的外部活动连接有移动杆，移动杆的外部固定连接有连接杆，框架的内部固定连接有气囊，气囊的外部固定连接有气压槽，气压槽的内部滑动连接有滑动杆，框架的内部固定连接有正极板，框架的内部固定连接有负极板，框架的内部固定连接有连接弹簧；本装置能够在自动固定住垃圾桶的同时让电机转动，并带动其他装置一起转动，可以使得本装置能够自动运行，减少了清洁人员的工作，避免了因人为操控带来的危险性，从而达到了自动清理的效果，减少了垃圾对周围环境的危害。
一种垃圾桶内壁自动清理辅助设备

[发明专利]一种IGBT器件及其制备工艺-CN202311064440.9在审
发明人： 吴小利;王海军 -专利权人：上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2023-08-23 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请公开了一种IGBT器件及其制备工艺，涉及半导体器件领域。其结构包括：N型衬底，P型多晶硅，N型多晶硅区域，ILD氧化层和发射极金属；所述衬底上刻蚀有浅沟槽，所述沟槽填充有P型多晶硅，所述N型衬底上形成有P阱区域和P型多晶硅栅区域，所述P阱区域形成有P型多晶硅填孔，所述P型多晶硅填孔与所述P型多晶硅栅区域之间形成发射极；所述N型多晶硅为表面被反型的N型多晶硅，所述N型多晶硅形成发射极的N型接触；所述ILD氧化层为所述N型多晶硅与所述发射极金属之间的电绝缘层；所述发射极金属填充所述ILD氧化层区域并覆盖其表面。本申请提供的IGBT器件及其制备工艺，可以改善平面IGBT的栅源短路失效。
一种 igbt 器件及其制备工艺

[发明专利]一种带有可编程内置电阻栅的IGBT-CN202310450972.X在审
发明人： 吴小利;王海军 -专利权人：上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有可编程内置电阻栅的IGBT，其通过在栅金属PAD与栅极总线之间设置若干组可编程电阻栅，使得该IGBT在出厂后，操作人员可通过烧录PAD对若干组可编程电阻栅进行编程，进而对内置栅极电阻进行调节，以使其与相应的应用场景相适应。
一种带有可编程内置电阻 igbt

[实用新型]一种带有可编程内置电阻栅的IGBT-CN202320950988.2有效
发明人： 吴小利;王海军 -专利权人：上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带有可编程内置电阻栅的IGBT，其通过在栅金属PAD与栅极总线之间设置若干组可编程电阻栅，使得该IGBT在出厂后，操作人员可通过烧录PAD对若干组可编程电阻栅进行编程，进而对内置栅极电阻进行调节，以使其与相应的应用场景相适应。
一种带有可编程内置电阻 igbt

[实用新型]一种具有层叠式栅极的IGBT-CN202320644439.2有效
发明人： 吴小利;王海军 -专利权人：上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有层叠式栅极的IGBT，本实用新型的具有层叠式栅极的IGBT，将原有与发射极金属层同层的栅极金属层堆叠于发射极金属层的上方，从而使得发射极金属层可以最大程度地在衬底表面延展。而在IGBT结构中，发射极金属的面积基本与有源区的面积对应，所以这有效地解决了栅极金属层对有源区的影响和破坏，元胞区的周期性和均匀性也不再受栅极金属层的影响。
一种具有层叠栅极 igbt

[外观设计]包装盒（国酱）-CN202330046549.4有效
发明人： 吴小利 -专利权人：贵州天生名酒业有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： 09-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：包装盒（国酱）。2.本外观设计产品的用途：本设计产品用于包装盒。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.已在立体图中展示，省略右视图;仰视图与俯视图对称，省略仰视图。
包装国酱

[实用新型]一种便于培养皿放置的电热恒温培养箱-CN202223329223.1有效
发明人： 吴小利 -专利权人：辽宁省人民医院
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C12M1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于培养皿放置的电热恒温培养箱，包括箱体和培养皿放置板机构，所述侧板的内壁安装有固定滑架机构，所述培养皿放置板机构包括有平衡板、放置槽和弹性垫，所述培养皿放置板机构的中部设置有平衡板，且平衡板的内部开设有放置槽，所述放置槽的底部设置有弹性垫。该便于培养皿放置的电热恒温培养箱，通过将放置槽固定开设于平衡板的中部，且放置槽在平衡板的中部均匀开设有多处，便于使用者将培养皿放置在放置槽内部，使得培养皿摆放位置稳定，紧接着在每处放置槽底部贴合设置有弹性垫，因培养皿大多为玻璃器体制成，在培养皿放置时，皿体底部与弹性垫相接触，可有效保护玻璃体培养皿整体结构。
一种便于培养皿放置电热恒温培养

[发明专利]一种具有层叠式栅极的IGBT-CN202310315527.2在审
发明人： 吴小利;王海军 -专利权人：上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有层叠式栅极的IGBT，本发明的具有层叠式栅极的IGBT，将原有与发射极金属层同层的栅极金属层堆叠于发射极金属层的上方，从而使得发射极金属层可以最大程度地在衬底表面延展。而在IGBT结构中，发射极金属的面积基本与有源区的面积对应，所以这有效地解决了栅极金属层对有源区的影响和破坏，元胞区的周期性和均匀性也不再受栅极金属层的影响。
一种具有层叠栅极 igbt

[发明专利]一种尿液中GAL活性检测试剂盒-CN202310176801.2在审
发明人：罗雄飞;吴小利;陈启燕;冉路 -专利权人：重庆博士泰生物技术有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种尿液中GAL活性检测试剂盒，涉及尿液检测技术领域；包括R1试剂、R2试剂和校准品，所述R1试剂包括缓冲液、抗氧化剂、表面活性剂、聚乙二醇、甘油、NaCl或KCl以及和防腐剂，所述R2试剂包括缓冲液、ONPG、表面活性剂、聚乙二醇、甘油和防腐剂，所述校准品包括缓冲液、蛋白保护剂、稳定剂、防腐剂、MgCl2、抗氧化剂、BSA、糖类和β‑D‑半乳糖苷酶；本发明试剂盒适用于全自动特定蛋白分析仪和全自动生化分析仪等仪器，可大批量上机操作，操作方便快捷，本发明检测试剂盒线性范围大，具有较高的灵敏度、准确度和精密度，在2‑8℃条件下存储，能够稳定保存12个月，具有较高的稳定性。
一种尿液 gal 活性检测试剂盒

[实用新型]一种便于清理的CO2培养箱-CN202223497885.X有效
发明人： 吴小利 -专利权人：辽宁省人民医院
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C12M1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于清理的CO2培养箱，包括主体、箱盖和加热器件，所述主体的底部四周设置有支脚，所述主体的前侧设置有箱盖，且主体的内部顶端设置有加热器件，所述主体内部设置有隔板，所述主体包括有箱体、腔体和限位块，所述箱体的内部开设有腔体，且腔体的两侧设置有限位块。该便于清理的CO2培养箱，限位块与腔体之间为一体结构，便于使用者在对内腔进行清理时不会有卫生死角，可以轻松清洗，降低了清理强度提高了清理效率，隔板呈“冖”字型均匀分布在主体的内部，一体成型的隔板同时不会存在卫生死角，避免有细菌残留在夹缝中，且隔板与主体之间为可拆卸结构，进行内腔清洁时可直接将整个隔板取出，方便内腔的清理。
一种便于清理 co2 培养

[实用新型]一种带有电压峰值抑制栅的IGBT芯片-CN202222959675.1有效
发明人： 吴小利;王海军 -专利权人：上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带有电压峰值抑制栅的IGBT芯片，其栅金属层并不直接与多晶硅栅极连接，而是通过包含N型多晶硅柱、P型多晶硅层、N型多晶硅层等部件在内的抑制栅与多晶硅栅极连接，从而减小了器件关断时，栅极放电电流的变化速度，进而抑制了IGBT的峰值电压。
一种带有电压峰值抑制 igbt 芯片

[发明专利]一种带有电压峰值抑制原胞的IGBT芯片-CN202211385058.3在审
发明人： 吴小利;王海军 -专利权人：上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有电压峰值抑制原胞的IGBT芯片，其抑制多晶硅栅极表面设有P型多晶硅反型层，P型多晶硅反型层与N型表面多晶股连接层接触，从而形成PN结二极管，该PN结二极管及由抑制多晶硅栅极引入的内置电阻串联形成抑制电路，以抑制芯片关断时栅极放电电流的速度，进而减小了由此产生的峰值电压。
一种带有电压峰值抑制 igbt 芯片

[发明专利]IGBT器件-CN202211434920.5在审
发明人：王海军;吴小利 -专利权人：上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT器件包括：多个第一沟槽栅，包括填充于第一栅极沟槽中的第一栅介质层和第一栅极导电材料层，第一栅极导电材料层连接到栅极。在版图结构上，各第一栅极沟槽平行排列。在至少一条第一栅极沟槽上设置有米勒电容连续调节结构，包括：第二沟槽栅，第二沟槽栅包括填充于第二栅极沟槽中的第二栅介质层和第二栅极导电材料层。第二栅极沟槽和对应的第一栅极沟槽相交，第二和第一栅极沟槽相连通，第二和第一栅极导电材料层电连接；利用第二和第一栅极沟槽相交的特点，第二栅极沟槽的长度、间距和数量都独立于第一栅极沟槽，通过调节第二栅极沟槽的长度、间距或数量调节米勒电容并实现米勒电容的连续调节，以实现对芯片性能进行更精细控制。
igbt 器件

[实用新型]一种带有补偿沟道的IGBT芯片-CN202222958188.3有效
发明人： 吴小利;王海军 -专利权人：上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带有补偿沟道的IGBT芯片，其元胞内设置左发射极区及左接触孔，右发射极区及右接触孔，P型基区内形成偏左和偏右的两个P+深阱区，这使得即使各接触孔发生一定偏移，主发射极区一侧的导电沟道阈值升高、电流降低，但左发射极区或右发射极区下方的导电沟道由于阈值降低，电流升高，从而补偿了元胞内电流的降低，保证了芯片的性能及可靠性。
一种带有补偿沟道 igbt 芯片

[实用新型]一种带有电压峰值抑制原胞的IGBT芯片-CN202222959698.2有效
发明人： 吴小利;王海军 -专利权人：上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带有电压峰值抑制原胞的IGBT芯片，其抑制多晶硅栅极表面设有P型多晶硅反型层，P型多晶硅反型层与N型表面多晶股连接层接触，从而形成PN结二极管，该PN结二极管及由抑制多晶硅栅极引入的内置电阻串联形成抑制电路，以抑制芯片关断时栅极放电电流的速度，进而减小了由此产生的峰值电压。
一种带有电压峰值抑制 igbt 芯片

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