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[发明专利]球墨铸铁、球墨铸铁的制造方法及球化处理剂-CN202280010865.9在审
发明人：南条郁弥;后藤亮;杉本笃司;王麟 -专利权人：株式会社博迈立铖
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C22C37/04 文献下载
摘要：一种球墨铸铁，其中，均以质量百分率计，包含2.8％以上且3.3％以下的碳、2.5％以上且4.0％以下的硅、0.32％以上且0.40％以下的锰、0.020％以上且0.030％以下的磷、0.020％以上且0.035％以下的硫、0.030％以上且0.050％以下的镁、合计为0.010％以上且0.050％以下的镧和铈、0.0020％以上且0.0050％以下的钙，剩余部分为铁及不可避免的杂质。
球墨铸铁制造方法处理

[发明专利]经镀覆形成的黑心可锻铸铁部件的制造方法、及经镀覆形成的黑心可锻铸铁部件-CN202080020701.5有效
发明人： 后藤亮;深谷刚千;松井博史;泽田明典 -专利权人：株式会社博迈立铖
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C23C2/02 文献下载
摘要：本发明提供一种经镀覆形成的黑心可锻铸铁部件的制造方法，上述经镀覆形成的黑心可锻铸铁部件在黑心可锻铸铁部件的表面形成有镀覆层，上述制造方法具有以下工序：在非氧化性且脱碳性的气氛下进行石墨化的工序；对石墨化后的黑心可锻铸铁部件的表面，以使硅氧化物残留在该表面的方式进行粒子投射处理的工序；将上述粒子投射处理后的黑心可锻铸铁部件在焊剂中浸渍3.0分钟以上的工序；以及对上述焊剂浸渍后的黑心可锻铸铁部件实施热浸镀的工序。
镀覆形成黑心可锻铸铁部件制造方法

[发明专利]半导体元件的驱动装置-CN201910314240.1有效
发明人：村上晴彦;后藤亮;魚田紫织;野口宏一朗;今西元纪 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明目的在于针对半导体元件的驱动装置，抑制大型化，并且如果半导体元件的异常消除则迅速重新开始向半导体元件输入驱动信号。半导体元件的驱动装置(1)具备：多个检测电路(21)，对半导体元件的不同种类的异常进行检测；逻辑电路(22)，在至少一个检测电路检测出异常的情况下生成错误信号(Verr)；警报信号生成电路(24、25)，接收错误信号，生成由针对每个检测出异常的检测电路而具有不同的脉宽的1个或多个脉冲构成的警报信号(VFo)；以及保护动作判断电路(23)，基于错误信号以及警报信号，对半导体元件的保护功能是否正在动作进行判断，在判断为保护功能正在动作的情况下，切断向半导体元件的驱动信号的输入。
半导体元件驱动装置

[发明专利]半导体装置-CN202210129260.3在审
发明人：松尾英尧;后藤亮;清水康贵 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：目的是提供可实现小型化且减小高电位端子与低电位端子间的电感的半导体装置。半导体装置(100)具有：绝缘基板(1)；电路图案(5)，包含在绝缘基板(1)之上设置的低电位电路图案(2)和在绝缘基板(1)之上的与低电位电路图案(2)相邻的区域设置的高电位电路图案(3)；多个半导体芯片(6)，搭载于电路图案(5)之上；低电位端子(7)，一端部与低电位电路图案(2)连接；以及高电位端子(8)，一端部与高电位电路图案(3)连接，高电位端子(8)及低电位端子(7)具有：平板部(8b、7b)，它们构成彼此上下平行地配置的平行平板，在低电位电路图案(2)侧延伸；以及电极部(8c、7c)，它们从绝缘基板(1)凸出。
半导体装置

[发明专利]黑心可锻铸铁及其制造方法-CN202180007637.1在审
发明人： 后藤亮 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C22C37/00 文献下载
摘要：本实施方式的黑心可锻铸铁具有铁素体基质和基质中所含的块状石墨，以质量比计含有50ppm以上且100ppm以下的硼和65ppm以上且200ppm以下的氮，并且，基质的结晶粒度以通过金属组织照片与结晶粒度标准图的比较而数值化的粒度编号计为8.0以上且10.0以下。
黑心可锻铸铁及其制造方法

[发明专利]半导体模块-CN202210041032.0在审
发明人： 后藤亮;清水康贵 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：提供通过设为电感低的电极构造，从而即使在开关元件的高速通断动作时也能够抑制浪涌电压并且能够实现小型化的半导体模块。具有：半导体元件；基板，其搭载半导体元件；散热板，其搭载基板；树脂壳体，其收容基板及半导体元件；以及第1及第2主电流电极，它们供半导体元件的主电流流过，第1及第2主电流电极各自的一端与基板之上的电路图案接合，各自的另一端以凸出至树脂壳体的外部的方式贯通树脂壳体的侧壁而装入，第1及第2主电流电极各自具有至少一部分彼此隔开间隔而平行地重叠的重叠部分，并且各自具有在凸出至树脂壳体的外部的外部凸出部与凸出至树脂壳体的内部的内部凸出部之间设置的倾斜部。
半导体模块

[发明专利]经镀覆形成的黑心可锻铸铁部件的制造方法、以及经镀覆形成的黑心可锻铸铁部件和管接头-CN201880056185.4有效
发明人： 后藤亮;深谷刚千;松井博史;泽田明典 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： F16L58/08 文献下载
摘要：本发明提供一种能够利用与以往相比对环境的负荷少的方法制造具有与黑心可锻铸铁部件的密合性优异的镀覆层的经镀覆形成的黑心可锻铸铁部件的方法。本发明的制造方法是在黑心可锻铸铁部件的表面形成有镀覆层的经镀覆形成的黑心可锻铸铁部件的制造方法，具有以下工序，在非氧化性且脱碳性的气氛下进行石墨化的工序，将石墨化后的黑心可锻铸铁部件在焊剂中浸渍3.0分钟以上的工序，以及从上述焊剂中取出后，将黑心可锻铸铁部件加热至90℃以上的工序，对上述加热后的黑心可锻铸铁部件实施热浸镀的工序。
镀覆形成黑心可锻铸铁部件制造方法以及管接头

[发明专利]黑心可锻铸铁及其制造方法-CN201880013088.7有效
发明人： 后藤亮;深谷刚千;松井博史;松浦健太 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： C22C37/00 文献下载
摘要：本发明提供一种与现有技术相比能够大幅缩短石墨化所需的时间的黑心可锻铸铁及其制造方法。上述黑心可锻铸铁具有铁素体基质和包含于所述基质中的块状石墨，并含有如下(i)及(ii)中的至少一方：(i)0.0050质量％以上且0.15质量％以下的铋及0.020质量％以上的锰；(ii)0.0050质量％以上且1.0质量％以下的铝及0.0050质量％以上的氮，并且，所述基质的结晶粒度以通过金属组织照片与结晶粒度标准图的比较而数值化的粒度编号计为8.0以上且10.0以下。
黑心可锻铸铁及其制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202110162589.5在审
发明人： 后藤亮;大月高实;清水康贵;富冈真吾 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够在设置了缓冲电路后确认缓冲电路的耐压的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：绝缘基板(1)；电路图案(6、7、8)，其设置于绝缘基板(1)之上；缓冲电路用基板(14)，其在绝缘基板(1)之上与电路图案(6、7、8)分离地设置；电阻(15)，其设置于电路图案(6、7、8)及缓冲电路用基板(14)中的一者；电容器(16)，其设置于电路图案(6、7、8)及缓冲电路用基板(14)中的另一者；以及半导体元件(9)，其与电阻(15)及电容器(16)电连接。
半导体装置制造方法

[发明专利]车辆用前照灯以及车辆用前照灯的控制方法-CN202010169380.7在审
发明人：大盐洋彦;山本逸平;户高信一;后藤亮;守屋辉人;千千松良 -专利权人：株式会社小糸制作所;本田技研工业株式会社
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： B60Q1/14 文献下载
摘要：提供不设置检测行人的特别的检测机构也能够减少对行人以及前方车带来的眩目、且能够确保前方可视性的车辆用前照灯以及车辆用前照灯的控制方法。车辆用前照灯具备：仅对比明暗截止线靠下方的下方照射区域(61、71)照射光的近光照射部、对比选择照射区域靠上方的远方照射区域照射光的附加的远光照射部、以及基于表示存在于前方的行驶中的车辆的位置的位置信息以及表示本车的车速的行驶速度信息控制近光照射部，ADB照射部以及附加的远光照射部的发光的控制部，选择照射区域(72)的上端为从水平方向向上方0.7～1.5度的范围。
车辆用前照灯以及控制方法

[发明专利]车辆用前照灯的控制装置及控制方法、车辆用前照灯系统-CN202010146635.8在审
发明人：村松直树;后藤亮;户高信一 -专利权人：斯坦雷电气株式会社;本田技研工业株式会社
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： B60Q1/04 文献下载
摘要：本发明提供车辆用前照灯的控制装置及控制方法、车辆用前照灯系统，可兼顾行人等的能见度的迅速的恢复和给驾驶员带来的不适感的减轻这两个事项。一种车辆用前照灯的控制装置，该控制装置用于由控制车辆的前照灯进行的光照射，其中，在使前照灯形成第一照射光和处于比该第一照射光相对低的位置的第二照射光时，使从该形成开始到第一照射光的明亮度增加到规定值为止所需的第一时间长于从该形成开始到第二照射光的明亮度增加到规定值为止所需的第二时间。
车辆用前照灯控制装置方法系统

[发明专利]功率半导体模块-CN201610237132.5有效
发明人：木村义孝;米山玲;后藤亮;山下秋彦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：目的在于提供能够针对不同大小的基座板共用壳体，基座板的稳定性高的功率半导体模块。本发明的功率半导体模块具有：基座板(2)；绝缘基板(3)，其配置在基座板(2)的第1主面(2A)之上；半导体芯片(4)，其配置在绝缘基板(3)之上；壳体(1)，除了基座板(2)的与第1主面(2A)相对的第2主面(2B)之外，该壳体(1)围绕基座板(2)、绝缘基板(3)及半导体芯片(4)；以及衬垫(6)，其在基座板(2)的外周和壳体(1)的内周之间与两者接触而设置。衬垫(6)具有在与基座板(2)的外周接触时与基座板(2)的侧面(2C)及第1主面(2A)接合的接合面。
功率半导体模块

[发明专利]半导体模块、电力变换装置以及半导体模块的制造方法-CN201610172274.8有效
发明人：米山玲;安藤正之;荒木健宏;木村义孝;后藤亮 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：半导体模块(10)具有第1电极端子(1)、第2电极端子(2)、第3电极端子(3)、第4电极端子(4)、第5电极端子(5)以及第6电极端子(6)。第1电极端子及第2电极端子沿第1方向(A1)配置。第3电极端子、第4电极端子、第5电极端子以及第6电极端子沿与第1方向(A1)垂直的第2方向(A2)配置。第1电极端子(1)配置于第1方向(A1)和第2方向(A2)相交叉的位置。第4电极端子(4)、第5电极端子(5)及第6电极端子(6)是交流输出端子或交流输入端子。第1电极端子(1)是阳极端子及阴极端子中的一方。第2电极端子(2)及第3电极端子(3)中的至少任意一方是阳极端子及阴极端子中的另一方。
半导体模块电力变换装置以及制造方法

[发明专利]黑心可锻铸铁及其制造方法-CN201680031481.X在审
发明人： 后藤亮 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： C22C37/10 文献下载
摘要：一种黑心可锻铸铁，其含有碳、硅、铝、以及余量的铁和不可避免的杂质。
黑心可锻铸铁及其制造方法

[发明专利]坩埚以及使用了该坩埚的单晶蓝宝石的制造方法-CN201480059447.4在审
发明人：深谷芳竹;加藤昌宏;渡边慎;冈本谦一;后藤亮 -专利权人：联合材料公司
申请日： 2014-10-24 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：目的在于提供钼或其合金制的坩埚，其能够高效率地制造大的单晶蓝宝石。具有：有底圆筒形状的下部坩埚(10)，其设置有开口(11)；以及上部坩埚(20)，其与开口(11)嵌合，上部坩埚(20)通过将钼或其合金制的板材(23)弯曲并将板材的两端部接合而形成。下部坩埚(10)通过将钼或其合金制的板材(13)拉深加工而形成，在开口(11)设置有向圆筒的外周方向延伸的、在圆周方向上连续的下部坩埚侧凸缘部(12)。
坩埚以及使用蓝宝石制造方法

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