专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]五元高硅型沸石、及其制造方法-CN201480047337.6有效
  • 吉田智;伊藤雪夫;山田秀德 - 东曹株式会社
  • 2014-08-12 - 2019-11-08 - C01B39/36
  • 本发明的目的是提供与以往相比兼具更高BET比表面积和更高酸量的五元高硅型沸石以及制造所述五元高硅型沸石的方法。五元高硅型沸石特征在于,其BET比表面积为450m2/g以上,且此外,通过氨‑TPD法测量的其酸量为0.38mmol/g以上。该五元高硅型沸石可通过如下的制造方法获得:其具有使包含四丁基阳离子、二氧化硅源、氧化铝源、碱金属源、和水的混合物结晶化的结晶化步骤,并且其特征在于所述混合物中所述碱金属相对于所述二氧化硅的摩尔比大于0.04且小于0.10。
  • 五元高硅型沸石及其制造方法
  • [发明专利]具有均匀的中孔的MFI型沸石和用于制造其的方法-CN201380021291.6在审
  • 高光泰之;吉田智 - 东曹株式会社
  • 2013-03-25 - 2014-12-24 - C01B39/40
  • 本发明提供新型MFI型沸石和提供用于制造所述MFI型沸石的方法,所述新型MFI型沸石当用作催化剂时,可用于较大分子的选择性催化反应。MFI型沸石具备下列性质:(i)所述MFI型沸石包括均匀的中孔,所述均匀的中孔具有其半高峰宽(hw)为至多20nm(hw≤20nm)且最大峰的中心值(μ)为10nm以上且20nm以下(10nm≤μ≤20nm)的孔分布曲线,并具有至少0.05mL/g的所述均匀的中孔的孔体积(pv)(0.05mL/g≤pv);(ii)所述MFI型沸石在具有由2θ表示的衍射角的粉末X-射线衍射测量中在0.1°-3°的范围内不具有峰;和(iii)所述MFI型沸石具有至多100nm(PD≤100nm)的平均粒径(PD)。
  • 具有均匀mfi型沸石用于制造方法
  • [发明专利]摩托车用离合器装置-CN200980122219.6无效
  • 鹤田浩吉;阿部稔;吉田智 - 株式会社艾科赛迪
  • 2009-04-10 - 2011-05-11 - F16D13/64
  • 在摩托车用离合器装置中,可提高设计自由度。离合器装置(100),包括输入齿轮(8)、中间旋转体(1)、第1螺旋弹簧(12)、离合器机构(C)。输入齿轮(8)具有多个第1抵接部(87)。中间旋转体(1)具有配置在相邻的第1抵接部(87)的旋转方向之间的第2抵接部(93),使第2抵接部(93)在旋转方向上可与第1抵接部(87)相抵接。第1螺旋弹簧(12)配置在第1抵接部(87)的径向内侧,用于在旋转方向上弹性连接输入齿轮(8)与中间旋转体(1)。
  • 摩托车离合器装置
  • [发明专利]位置检测系统-CN200680021194.7有效
  • 吉田智;伊藤哲也;渡边将克;上田智 - 科乐美数码娱乐株式会社
  • 2006-07-12 - 2008-06-11 - A63B63/00
  • 本发明提供位置检测系统,用于检测空间中的多个物体的位置。通过分析对红外光进行了选择性拍摄后的图像来确定通过红外线屏幕的物体的反射光的位置。当在显示器的跟前形成红外线屏幕时,仅在显示器的近前产生反射光。这里当对红外光进行选择性拍摄时,由可见光显示的影像与红外区域的反射光分离,可仅对反射光进行拍摄。所拍摄的反射光在显示器上的位置可使用公知的图像分析方法来确定。
  • 位置检测系统

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