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[发明专利]蚀刻方法-CN201480042959.X有效
发明人： 吉田亮一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-08-18 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻方法，其使用具有处理室的衬底处理装置对被处理体进行蚀刻，该处理室包括：第一电极；和与上述第一电极相对地配置的、载置被处理体的第二电极。该蚀刻方法包括：利用处理气体的等离子体在10℃以下的温度对通过包括第一聚合物和第二聚合物的嵌段共聚物相分离而形成有上述第一聚合物和上述第二聚合物的图案的被处理体进行蚀刻，除去上述第一聚合物和上述第二聚合物中的至少一个聚合物的步骤。
蚀刻方法

[发明专利]等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置-CN201380036784.7有效
发明人： 吉田亮一;石井孝幸;小林宪 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-08-05 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在实施方式的一个例子中，包括利用由含氢气体形成的等离子体对形成为规定图案的光致抗蚀剂的表面进行等离子体处理的等离子体处理步骤。另外，等离子体蚀刻方法，在实施方式的一个例子中，包括以被等离子体处理后的光致抗蚀剂为掩模、利用CF类气体和含CHF类气体对含硅膜进行蚀刻的蚀刻步骤。另外，等离子体蚀刻方法，在实施方式的一个例子中，将等离子体处理步骤和蚀刻步骤至少反复2次以上。
等离子体蚀刻方法装置

[发明专利]蚀刻方法-CN201410758800.X在审
发明人： 吉田亮一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻方法。目的在于控制蚀刻图案的CD收缩比。该蚀刻方法为对基板上的蚀刻对象膜进行蚀刻处理的方法，其包括如下步骤：供给包含含卤素气体、氢气、非活性气体以及氧气的处理气体，利用由该处理气体生成的等离子体对在蚀刻对象膜上形成有图案的掩模进行处理；对进行了前述处理的蚀刻对象膜利用由蚀刻气体生成的等离子体进行蚀刻。
蚀刻方法

[发明专利]等离子体处理方法以及等离子体处理装置-CN201110221425.1有效
发明人：细谷正德;伊藤雅大;吉田亮一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-08-03 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理方法以及等离子体处理装置，在对将抗蚀剂膜作为掩模的防反射膜进行蚀刻工序之前，使抗蚀剂膜良好地改性。等离子体处理方法包括以下工序：蚀刻工序，对在被蚀刻层上形成作为防反射膜的Si-ARC(15)而在防反射膜上形成图案形成后的ArF抗蚀剂膜(16)而成的层叠膜，使用从蚀刻气体生成的等离子体来将上述抗蚀剂膜作为掩模对上述防反射膜进行蚀刻；以及改性工序，在上述蚀刻工序之前，执行对等离子体处理装置导入含有CF4气体、COS气体以及Ar气体的改性用气体，用从该改性用气体生成的等离子体使ArF抗蚀剂膜(16)改性。
等离子体处理方法以及装置

[发明专利]等离子体蚀刻方法及计算机可读取的存储介质-CN200710088379.6有效
发明人： 吉田亮一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-03-16 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种能够确保由SiC系膜构成的蚀刻终止层相对于Low－k膜的蚀刻选择性，并且能够在防止底切的同时进行蚀刻的等离子体蚀刻方法。是对于在基板上依次形成有配线层、由SiC系材料构成的蚀刻阻挡膜、低介电常数(Low－k)膜及蚀刻掩模的结构体，在等离子体蚀刻所述低介电常数(Low－k)膜之后，对蚀刻阻挡膜进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻方法，将等离子体蚀刻所述低介电常数(Low－k)膜之后的所述结构体设置在上下相对设置有第一电极及第二电极的处理容器内，向处理容器内导入包含NF₃的处理气体，向第一电极及第二电极中的任一个施加高频电力、生成等离子体，向任意的电极施加直流电压。
等离子体蚀刻方法计算机读取存储介质

[发明专利]等离子体蚀刻方法及计算机可读取的存储介质-CN200710088380.9无效
发明人： 吉田亮一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-03-16 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种不局限于高频电力、能够直接在基板或形成在基板上的膜上面内均匀性良好地进行沟槽蚀刻的等离子体蚀刻方法。用于在基板或形成在基板上的层间绝缘膜等的膜上形成沟槽，将需要形成沟槽的基板配置在上下相对设置有第一电极和第二电极的处理容器内，将蚀刻用的处理气体导入处理容器内，向第一电极和第二电极的任意一个上施加高频电力、生成等离子体，向任一电极上施加直流电压，通过等离子体蚀刻形成沟槽。
等离子体蚀刻方法计算机读取存储介质

[发明专利]放电灯和用于放电灯的电极-CN200580002681.4无效
发明人：高桥弘;原通雄;菊地正博;堀越吉一;渡边裕人;吉田亮一 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2005-01-19 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01J61/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种冷阴极放电灯，其具有被提高的发光效率和被延长的寿命。放电灯(1)包括在玻璃管(2)的任意一端的具有杯体(4)的电极(3)，其中杯体(4)具有底。每个杯体(4)被连接到一条引入线(8)，该引入线(8)被插入并维持在玻璃管(2)的端部。每个杯体(4)的开口端部分(4a)具有覆盖杯体(4)的端部的防碰撞环(5)。每个杯体(4)的底部部分的内侧具有作为电子发射物质的多孔钨盘(6)，其填充有包含钡(Ba)、铝(Al)和钙(Ca)的三元金属氧化物。
电灯用于电极

[发明专利]放电灯、放电灯电极、制造该放电灯电极的方法、以及照明系统-CN200580002756.9无效
发明人：堀越吉一;原通雄;菊地正博;高桥弘;吉田亮一;渡边裕人 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2005-01-19 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01J61/067 文献下载
摘要：本发明可以延长热阴极式放电灯的使用寿命并减小其直径。放电灯(1)设置有电极(3)。电极(3)具有由线圈部分(4a)以及分别从此线圈部分(4a)的后端延伸的第一引线部分(4b)和第二引线部分(4c)组成的、并被电子发射材料(3a)涂布的加热器(4)。在电极(3)中，第一引入线(6a)连接到第一引线部分(4b)，而第二引入线(6b)连接到第二引线部分(4c)，使得线圈部分(4a)沿着玻璃管(2)的管轴纵向地布置。电极(3)还设置有覆盖线圈部分(4a)的周围并在分别与线圈部分(4a)的前端和后端相对的面上具有开口的套筒(7)。套筒(7)的开口端(7a)超出线圈部分(4a)的前端，从而保护线圈部分(4a)。
电灯电极制造方法以及照明系统