专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]薄膜晶体管元件及其制造方法-CN202180060143.X在审
  • 稻成浩史;吉本洋;井手正仁;真锅贵雄 - 株式会社钟化
  • 2021-07-15 - 2023-05-30 - H01L21/312
  • 薄膜晶体管元件具备栅极层(31)、氧化物半导体薄膜(4)、配置在栅极层与氧化物半导体薄膜之间的栅极绝缘膜(2)、与氧化物半导体薄膜接触的一对源极/漏极(51、52)、以及覆盖氧化物半导体薄膜的树脂膜(6)。氧化物半导体薄膜包含选自由In、Ga、Zn和Sn组成的组中的2种以上的金属元素。在氧化物半导体薄膜上涂布包含含有SiH基的化合物的组合物后,进行加热,由此形成树脂膜。形成树脂膜时的加热温度优选为190~450℃。组合物中的含有SiH基的化合物优选包含0.1mmol/g以上的SiH基。树脂膜可以具有SiH基。
  • 薄膜晶体管元件及其制造方法

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