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[发明专利]具半球形图形结构半导体器件的制造方法及半导体器件-CN202310847624.6在审
发明人：刘杨;戴益善;胡艳;孙清;刘凌峰 -专利权人： 合肥芯昊半导体设备有限公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种具半球形图形结构半导体器件的制造方法及半导体器件，该制造方法包括：提供半导体衬底，基于纳米压印工艺在半导体衬底的表面形成覆盖半导体衬底表面的半球形掩膜；采用恒定流量比例的SF6与C4F8的混合气体在感应耦合等离子体刻蚀设备中对半球形掩膜执行干法刻蚀，以在半导体衬底表面形成沿平面上规则间隔排布的半球形图形结构。在本发明中，将SF6作为刻蚀气体而将C4F8作为保护气体，通过恒定流量比例的SF6与C4F8，以控制对半球形掩膜及半导体衬底实现各向同性刻蚀，通过C的沉积保护从而取得了半球形图形结构表面光滑的技术效果。
半球形图形结构半导体器件制造方法

[发明专利]一种LED芯片表面粗化方法及LED芯片-CN202311088604.1在审
发明人：刘杨;戴益善;胡艳;孙清;刘凌峰 -专利权人： 合肥芯昊半导体设备有限公司
申请日： 2023-08-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片表面粗化方法及LED芯片，其中，LED芯片表面粗化方法包括：采用刻蚀液对背离GaAs衬底的暴露表面进行第一次湿法蚀刻，刻蚀液为由饱和2‑羟基丁二酸、饱和乙二酸以及30wt％双氧水所组成的混合物，刻蚀液各组分体积配比为1：(0.5～1.5)：(1.5～2.5)；采用修饰液对背离GaAs衬底的暴露表面进行第二次湿法蚀刻，修饰液为由37wt％盐酸、68wt％硝酸以及36wt％乙酸所组成的混合物，混合液各组分体积配比为(2～3)：1:(3～5)。本发明用以解决现有技术中存在的砷化镓LED芯片外延层表面粗化状态较差的面积与粗化状态较佳的面积比值较大，从而导致LED发光效率受到影响的问题。
一种 led 芯片表面方法