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[实用新型]多坩埚三维蓝宝石单晶生长装置-CN201420709199.0有效
发明人：倪屹;司继良;张杰;巩潇;刘银法;刘棋奇 -专利权人：江南大学
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种生长装置，尤其是一种多坩埚三维蓝宝石单晶生长装置，属于晶体制备的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述多坩埚三维蓝宝石单晶生长装置，包括炉体以及位于所述炉体外的真空装置；所述炉体内设有保温屏，所述保温屏内设有单晶生长坩埚机构，所述单晶生长坩埚机构包括至少两个坩埚体，所述单晶生长坩埚机构内的坩埚体相互独立。本实用新型炉体内设置至少两个坩埚体，通过真空装置、加热装置的配合能一次获得至少二个蓝宝石单晶，在提高生长速率的同时提高了晶体的产量；长方体型晶体便于后续加工切割，节约能耗，降低成本，安全可靠。
坩埚三维蓝宝石生长装置

[发明专利]多坩埚三维蓝宝石单晶生长装置-CN201410677422.2在审
发明人：倪屹;司继良;张杰;巩潇;刘银法;刘棋奇 -专利权人：江南大学
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种生长装置，尤其是一种多坩埚三维蓝宝石单晶生长装置，属于晶体制备的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述多坩埚三维蓝宝石单晶生长装置，包括炉体以及位于所述炉体外的真空装置；所述炉体内设有保温屏，所述保温屏内设有单晶生长坩埚机构，所述单晶生长坩埚机构包括至少两个坩埚体，所述单晶生长坩埚机构内的坩埚体相互独立。本发明炉体内设置至少两个坩埚体，通过真空装置、加热装置的配合能一次获得至少二个蓝宝石单晶，在提高生长速率的同时提高了晶体的产量；长方体型晶体便于后续加工切割，节约能耗，降低成本，安全可靠。
坩埚三维蓝宝石生长装置

[发明专利]钛宝石晶体生长装置及其生长方法-CN201310471733.9无效
发明人：张小翠;司继良;徐民 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2013-10-11 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：一种钛宝石晶体生长装置及其生长方法，包括箱式真空电阻炉，在炉体的外壳上设有真空系统，炉体内部的结构包含坩埚和加热器，坩埚放置于炉体内中心位置上，坩埚是底部中心区域带有一板条状的籽晶槽的方形坩埚。在坩埚的前后方设有Z字型的加热器，加热器的周围有箱式石墨硬毡保温罩。坩埚的底下为坩埚托，在坩埚的下方靠近籽晶槽的处有测温控温的热电偶。在坩埚的正上方保温罩的外部设有籽晶探针。本发明该装置可以生长大尺寸的钛宝石晶体，大大提高了晶体生长的速率及质量，解决钛宝石晶体直径对长度比的限制及大幅度缩短钛宝石晶体的生长周期，生长出高品质的完整的钛宝石晶体。
宝石晶体生长装置及其生长方法

[发明专利]大口径掺钛蓝宝石晶体的包边方法-CN201310239549.1有效
发明人：姜本学;张龙;范金太;毛小建;司继良 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2013-06-17 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：一种大口径掺钛蓝宝石晶体的包边方法，主要包括采用铬、铁、铜等过渡金属离子掺杂的氧化铝陶瓷包边技术，利用陶瓷烧结工艺使得稀土离子掺杂的氧化铝陶瓷晶粒沿掺钛蓝宝石晶体生长，掺钛蓝宝石晶体与陶瓷包边材料结合在一起。同时利用铬、铁、铜等过渡金属离子对800nm左右光的吸收抑制大口径掺钛蓝宝石晶体ASE效应。采用本发明的大口径掺钛蓝宝石晶体的包边方法，大幅度降低了ASE效应对激光放大的影响，使掺钛蓝宝石晶体固体激光装置的峰值功率得到改善。
口径蓝宝石晶体方法

[实用新型]三维蓝宝石晶体生长装置-CN201220495000.X有效
发明人：倪屹;司继良 -专利权人：倪屹;司继良
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： C30B29/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种三维蓝宝石晶体生长装置，在炉体的外壳上设有真空系统，在炉体内设有保温屏，在保温屏内固定有坩埚，在坩埚内底部设有籽晶槽，在坩埚的上方设有上方热电偶与上加热体，在坩埚的下方设有下热电偶与下加热体，在坩埚的左侧设有左热电偶与左加热体，在坩埚的右侧设有右热电偶与右加热体，在坩埚的前方设有前方热电偶与前方加热体，在坩埚的后方设有后方热电偶与后方加热体。本实用新型使得蓝宝石晶体在长宽高三个方向同时生长，从而提高了晶体的生长速度，更重要的是节约了能源消耗，降低了生产的时间、人力、物力成本，缩短了生产周期，提高了生产效率。
三维蓝宝石晶体生长装置

[发明专利]三维蓝宝石晶体生长装置-CN201210361427.5无效
发明人：倪屹;司继良 -专利权人：倪屹;司继良
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维蓝宝石晶体生长装置，在炉体的外壳上设有真空系统，在炉体内设有保温屏，在保温屏内固定有坩埚，在坩埚内底部设有籽晶槽，在坩埚的上方设有上方热电偶与上加热体，在坩埚的下方设有下热电偶与下加热体，在坩埚的左侧设有左热电偶与左加热体，在坩埚的右侧设有右热电偶与右加热体，在坩埚的前方设有前方热电偶与前方加热体，在坩埚的后方设有后方热电偶与后方加热体。本发明使得蓝宝石晶体在长宽高三个方向同时生长，从而提高了晶体的生长速度，更重要的是节约了能源消耗，降低了生产的时间、人力、物力成本，缩短了生产周期，提高了生产效率。
三维蓝宝石晶体生长装置

[发明专利]铈掺杂氧化铝-钇铝石榴石共晶荧光材料的生长方法-CN201210014789.7有效
发明人：夏长泰;赛青林;司继良;李晓清;杨卫桥;狄聚青;许鹏;王璐璐 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：一种铈掺杂的氧化铝-钇铝石榴石共晶荧光材料的生长方法。采用的垂直温梯法，主要利用加热体的各处发热功率分布不同，制造一个合理的垂直温度梯度环境，经过预处理的原料放入坩埚内升温熔化，熔体静止在该温场中，通过控制速度的分段降温过程，使熔体从底部结晶，固液界面自下而上移动生长晶体。本发明方法相对于一般的坩埚下降等定向凝固的方法，由于无机械可动部分，解决了界面不稳可能带来的问题，同时封闭生长系统又保证了掺杂相对的均匀性。该方法生长的这种共晶材料质量稳定，具有良好的光转化性能、光混合性和耐热性，在大功率白光LED等多种发光器件上具有良好应用潜力。
掺杂氧化铝石榴石荧光材料生长方法

[发明专利]一种太阳能级多晶硅的制造方法-CN201110268630.3在审
发明人：孔繁敏;孙湘航;司继良;安利明;王新元 -专利权人：山西纳克太阳能科技有限公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种太阳能级多晶硅的制造方法，包括以下工艺步骤：将金属硅在高周波电磁诱导精炼炉中熔化为熔融硅；将熔融硅的温度升至1500－1600℃，在升温过程中间隔性地往熔融硅里面添加造渣剂；将硅料置于一次直拉炉装置中进行直拉，初次除去硅料中的金属杂质；将硅料置于连续进料真空熔炼炉中，在低于10－3Pa的真空状态下进行熔炼，除去其中的磷杂质；将硅料倾入二次直拉装置中进行二次直拉，再次除去硅料中的其它金属杂质，得到硅棒；切除硅棒尾部，即可得到6N以上提纯好的太阳能级多晶硅。本发明通过高周波电磁诱导精炼除硼，一次直拉去除部分金属杂质，通过连续真空除磷和二次直拉去除金属杂质来获得低成本的太阳能级多晶硅的生产。
一种太阳能级多晶制造方法

[发明专利]一种太阳能级多晶硅脱磷的提纯方法-CN201110268669.5无效
发明人：孔繁敏;王新元;安利明;孙湘航;司继良;陈建玉 -专利权人：山西纳克太阳能科技有限公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种太阳能级多晶硅脱磷的提纯方法，采用高真空感应炉，金属硅原料为颗粒状或块料，金属硅原料的纯度为99％，其操作步骤是：（1）开启高真空感应炉的真空系统，使炉室内达到高真空状态；（2）将金属硅原料装入位于高真空感应炉内的石墨坩埚中，开启高频感应电源将金属硅熔化；（3）待第（2）步骤金属硅原料熔化后使金属硅液温度保持在1560～1600℃，需要保持多长时间开启金属硅原料连续送料装置，投入剩余金属硅原料至炉内的石墨坩埚中进行连续脱磷；（4）脱磷后的金属硅熔体容积达到坩埚容积的2/3～3/4时，将金属硅熔体倾入同炉室内的另一坩埚中，自然冷却便得到脱磷多晶硅。本发明的生产成本低。
一种太阳能级多晶硅脱磷提纯方法

[发明专利]一种太阳能级多晶硅脱金属杂质的方法-CN201110268620.X无效
发明人：孔繁敏;安利明;孙湘航;王新元;司继良;徐民 -专利权人：山西纳克太阳能科技有限公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种太阳能级多晶硅脱金属杂质的方法，其特征包括以下工艺步骤：（1）选择原材料为粒径是5～100mm的金属硅，金属硅的纯度为99％以上，其中金属杂质含量为700ppm；（2）开启高真空感应炉的真空系统；（3）将占石墨坩埚容量1/10的金属硅装入位于高真空感应炉内的石墨坩埚中，开启高频感应电源将金属硅熔化；4）待此硅料熔化后使硅液温度保持在1560～1600℃，投入剩余的金属硅至炉内的石墨坩埚中进行熔化成为硅熔体；（5）当硅熔体达到坩埚容积的3/4容积时，启动定向拉棒装置，通过定向拉制脱除硅中的金属杂质，成为硅棒；（6）将硅棒的尾部杂质聚集的部分切除，得到脱金属杂质提纯后的多晶硅。本发明的成本低。
一种太阳能级多晶金属杂质方法

[发明专利]一种太阳能电池片的制造方法-CN201110333979.0无效
发明人：孔繁敏;孙湘航;司继良;张小翠 -专利权人：山西纳克太阳能科技有限公司
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种太阳能电池片的制造方法，包括以下工艺步骤：（一）将金属硅在高周波电磁诱导精炼炉中熔化为熔融硅，并对熔融硅进行造渣除硼、一次直拉除金属、连续真空除磷、二次直拉得到6N以上提纯好的太阳能级多晶硅；（二）将6N以上的太阳能级多晶硅送入粉体制备设备，并制成太阳能级多晶硅微纳米粉体；（三）将太阳能级多晶硅微纳米粉体置于成型设备，将太阳能级多晶硅微纳米粉体制成太阳能级多晶硅片；（四）将太阳能级多晶硅片制作成太阳能级多晶电池片。本发明从金属硅到太阳能级多晶硅的提纯生产过程是完全没有酸碱参与处理的，把多晶硅提纯、多晶硅微纳米粉制备、热压成型、电池片制作相结合在一个生产系统里面完成。制作工艺投入少、流程短。
一种太阳能电池制造方法

[发明专利]一种太阳能级多晶硅脱硼的提纯方法-CN201110268626.7在审
发明人：孔繁敏;安利明;孙湘航;王新元;司继良;陈建玉 -专利权人：山西纳克太阳能科技有限公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种太阳能级多晶硅脱硼的提纯方法，其特征是包括以下工艺步骤：（1）选择金属硅为原材料，（2）将金属硅装入铝钒土坩埚中，开启高周波电源将其快速熔化为硅熔体；（3）继续提高高周波电源功率，加入造渣剂进行精炼造渣；造渣剂为硅熔体重量的40～100％；（4）待金属硅全部熔化，硅熔体温度恒定在1550摄氏度，分批次加入金属硅和造渣剂，将硅熔体表面形成的渣料清除掉；（5）待造渣完成后，将硅液倒入模具中，静置自然冷却后得到脱硼提纯后的多晶硅。采用本发明获得的多晶硅B的含量为0.1ppm以下，完全符合太阳能级多晶硅所需纯度6N以上的太阳能级多晶硅。
一种太阳能级多晶硅脱硼提纯方法

[发明专利]高真空温度梯度法生长晶体的方法-CN200710043640.0无效
发明人：杭寅;徐月泉;司继良;张连翰 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2007-07-10 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种高真空温度梯度法生长晶体的方法，包括下列步骤：①首先在真空机组和温度梯度炉体的连接管道内加装滤尘器；②装炉完毕后开始抽真空，当温度梯度炉体的真空达到1×10^－2Pa后，启动电源加热，温度梯度炉体开始升温，当温度达到1450～1500℃时，恒温1～2小时，直到真空稳定地达到1×10^－2Pa后，再继续升温至晶体化料温度开始化料，恒温2～3小时后，开始缓慢降温生长晶体；③在升温化料、缓慢降温晶体生长和晶体退火整个过程中，炉体内的真空度应保持优于1×10^－1Pa。采用本发明方法生长的晶体，经测试表明：晶体内部散射少，基本没有气泡，而且坩埚及保温屏基本没有变形，加热功率比原来降低10～30％。
真空温度梯度生长晶体方法

[发明专利]Er³⁺,Yb³⁺,Ce³⁺共掺的CaF₂激光晶体及其生长方法-CN200510023474.9无效
发明人：徐军;苏良碧;李红军;司继良 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2005-01-20 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：一种Er³⁺，Yb³⁺和Ce³⁺共掺的CaF₂激光晶体及其生长方法，特征在于其组成及其如下摩尔比如下：ErF₃∶YbF₃∶CeF₃∶CaF₂∶NaF∶PbF₂＝(0.001～0.02)∶(0.005～0.15)∶(0.002～0.1)∶(1.0)∶(0～0.15)∶(0～0.01)。采用熔体法生长激光晶体。本发明晶体的上转换发光的积分强度提高数十倍。该激光晶体Er³⁺，Yb³⁺，Ce³⁺∶CaF₂容易大尺寸生长，有利于采用InGaAs激光二极管进行泵浦。该晶体可用于开发高效的LD泵浦全固态上转换可见光激光器。
er sup yb ce caf sub 激光晶体及其生长方法

[发明专利]上转换激光晶体Er³⁺,Yb³⁺,Na⁺:CaF₂-CN200510023473.4无效
发明人：苏良碧;徐军;李红军;司继良 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2005-01-20 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：一种Er³⁺，Yb³⁺和Na⁺共掺的CaF₂红外上转换激光晶体，特征在于其组成如下：原料：摩尔比：ErF₃：0.005～0.1；YbF₃：0.02～0.2；NaF：0.01～0.2；CaF₂：1.0；PbF₂：0～0.01。采用熔体法生长。本发明的上转换激光晶体可以采用商业化的InGaAs激光二极管作为十分有效的泵浦光源，在相同泵浦条件下上转换发光的积分强度提高十倍。
转换激光晶体 er sup yb na caf sub

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