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[发明专利]单片三维集成无电容动态随机存储装置及其形成方法-CN202310113918.6在审
发明人： 司梦维;唐伟;王子恒;林志予 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种单片三维集成无电容动态随机存储装置及其形成方法。所述单片三维集成无电容动态随机存储装置包括衬底和存储单元；存储单元包括第一晶体管、位于第一晶体管上方的第二晶体管、以及互连结构；第一晶体管包括第一源极、第一漏极、第一半导体层和第一栅极，第一源极、第一漏极和第一半导体层均位于衬底的顶面，第一栅极沿第二方向位于第一半导体层上方；第二晶体管包括第二源极、第二漏极、第二半导体层和第二栅极，第二源极、第二漏极和第二半导体层均位于第二栅极上方；互连结构的一端与第一栅极电连接、另一端与第二漏极电连接。本发明能够明显提升晶体管集成度和存储密度，降低DRAM中存储单元的尺寸。
单片三维集成电容动态随机存储装置及其形成方法

[发明专利]单片三维集成半导体结构及其形成方法-CN202211329111.8在审
发明人：唐伟;司梦维;郭小军;王子恒;林志予 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明中的单片三维集成半导体结构包括互补型场效应晶体管单元；互补型场效应晶体管单元包括衬底、位于衬底上的第一晶体管、位于第一晶体管上方的第二晶体管、以及第一互连结构和第二互连结构；其中，第一晶体管包括第一源极、第一漏极、P型半导体层和第一栅极，第一栅极沿第二方向位于P型半导体层上方；第二晶体管包括第二源极、第二漏极、N型半导体层和第二栅极，第二栅极沿第二方向位于N型半导体层下方；第一互连结构电连接第一栅极和第二栅极；第二互连结构电连接第一漏极和第二漏极。本发明提升了互补场效应晶体管单元的集成度，降低了互补型场效应晶体管单元的尺寸，且改进半导体结构的性能。
单片三维集成半导体结构及其形成方法

[发明专利]提高铪基铁电器件耐久性的方法及铪基铁电器件-CN202211021475.X在审
发明人：李秀妍;陈丹旸;司梦维 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种提高铪基铁电器件耐久性的方法及铪基铁电器件，该方法包括：在衬底上制备铪基薄膜；在所述铪基薄膜上形成金属电极，形成铪基器件；对所述铪基薄膜进行热退火使其结晶具有反铁电特性，得到铪基反铁电薄膜，形成铪基铁电器件；对所述铪基反铁电薄膜施加电场循环，使所述铪基反铁电薄膜在获得剩余极化强度的同时提高耐久性。本发明通过加以电场循环使铪基反铁电薄膜获得剩余极化强度，使其满足剩余极化强度的同时获得更好的耐久性。
提高铪基铁电器件耐久性方法

[发明专利]逻辑和存储功能可重构的铁电晶体管器件及其制备方法-CN202210133665.4在审
发明人：李秀妍;司梦维 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种逻辑和存储功能可重构的铁电晶体管器件，包括控制晶体管和铁电晶体管，所述控制晶体管和铁电晶体管连接；通过调整所述控晶体管，进行所述铁电晶体管的逻辑功能和存储功能的重构。本发明的一种逻辑和存储功能可重构的铁电晶体管，通过设置输铁电晶体管栅极状态和存储状态，可实现输出状态在或非门和反相器之间的重构。
逻辑存储功能可重构晶体管器件及其制备方法