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[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置-CN202010105103.X有效
发明人： 叶成枝;操彬彬;吕艳明;安晖;栗芳芳;王明明 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G02F1/1339 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可以避免有机绝缘层产生的气体，导致显示面板显示故障；还可以避免水汽、氧气进入到显示面板的显示区，影响显示面板的显示效果。一种显示面板具有显示区；显示面板包括相互对合的阵列基板和对盒基板、以及设置于阵列基板与对盒基板之间的封框胶；阵列基板包括平坦层；沿阵列基板指向对盒基板的方向，平坦层包括依次层叠设置的第一无机绝缘层、有机绝缘层、第二无机绝缘层，阵列基板还包括设置于有机绝缘层与第二无机绝缘层之间的交联图案；交联图案位于封框胶背离显示区一侧。
一种显示面板及其制备方法显示装置

[发明专利]阵列基板及制备方法、显示面板及制备方法、显示装置-CN202180002779.9在审
发明人： 叶成枝;操彬彬;吕艳明;安晖;马金念 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：一种阵列基板及制备方法、显示面板及制备方法、显示装置；阵列基板的制备方法包括：依次形成第一电极材料层(81)、导电增强材料层(82)和保护材料层(83)，保护材料层(83)的抗氧化性强于导电增强材料层(82)的抗氧化性；在保护材料层(83)的远离第一电极材料层(81)的一侧形成掩模图案(92)，掩模图案(92)包括第一部分(921)和第二部分(922)，第一部分(921)的厚度大于第二部分(922)的厚度；对掩模图案(92)进行灰化，以去除第二部分(922)使第二部分(922)覆盖的保护材料层(83)裸露；对第一电极材料层(81)进行图案化处理形成第一电极(811)；对保护材料层(83)以及导电增强材料层(82)进行图案化处理对应形成保护层(831)和导电增强层(821)。避免第一电极(811)的断开的不良。
阵列制备方法显示面板显示装置

[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板-CN202110602382.5在审
发明人：栗芳芳;操彬彬;陆相晚;安晖;叶成枝;吕艳明;李法杰 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的实施例公开一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板。该方法包括：在衬底上形成TFT晶体管，包括栅极、栅极绝缘层、有源区、源极和漏极；形成第一无机膜层，覆盖所述显示区；在第一无机膜层上形成第一有机膜区，露出漏极对应的第一无机膜层；形成第二无机膜层，包覆第一有机膜区；在靠近漏极的第二无机膜层上形成公共电极；形成第三无机膜层，覆盖显示区；形成开孔，以露出漏极；在靠近漏极的第三无机膜层上形成像素电极，像素电极与漏极电连接。本发明通过在有机膜层上形成一层高密度的无机膜层作为保护层，从而使得在后续步骤制作公共电极时，使用剥离液剥离光刻胶时，剥离液与有机膜区无法接触，从而有机膜区也就不会出现溶胀。
一种阵列制作方法显示面板

[发明专利]阵列基板制作方法、阵列基板及液晶显示装置-CN202010102040.2有效
发明人：安晖;吕艳明;叶成枝;操彬彬;栗芳芳 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明是关于一种阵列基板制作方法、阵列基板及液晶显示装置，涉及显示技术领域。主要采用的技术方案为：第一氧化铟锡膜层的制作方法包括：层叠制作氧化铟锡膜层和金属保护层；于金属保护层背离氧化铟锡膜层一侧制作光刻胶层，采用半灰阶光罩工艺曝光，使光刻胶层形成第一光刻胶区和第二光刻胶区，所述第一光刻胶区对应红色像素区域和绿色像素区域，所述第二光刻胶区对应蓝色像素区域，所述第一光刻胶区的厚度小于所述第二光刻胶区的厚度；第一次刻蚀；灰化处理；第二次刻蚀；将所述第二光刻胶区剥离；将所述氧化铟锡膜层和所述金属保护层退火处理；第三次刻蚀；最终得到第一氧化铟锡膜层。采用本方法制作的阵列基板，可以降低蓝光对眼睛的伤害。
阵列制作方法液晶显示装置

[发明专利]掩膜版、薄膜晶体管和阵列基板及制作方法、显示装置-CN201910332924.4有效
发明人：安晖;叶成枝;吕艳明;操彬彬 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种掩膜版、薄膜晶体管和阵列基板及制作方法、显示装置，薄膜晶体管的制作方法包括：形成栅极、栅极绝缘层、有源层和绝缘保护层，在绝缘保护层上形成光阻，采用掩膜版形成光阻图案，光阻图案包括：光阻全保留区域，第一光阻部分保留区域，第二光阻部分保留区域和光阻去除区域，第二光阻部分保留区域的厚度小于第一光阻部分保留区域的厚度；对光阻图案和绝缘保护层进行刻蚀，使光阻全保留区域和第一光阻部分保留区域的厚度被减薄，第二光阻部分保留区域的光阻完全被消除，绝缘保护层的未被光阻覆盖的部分形成开孔；形成源漏金属层；剥离剩余光阻及位于剩余光阻上的源漏金属层，形成源极和漏极。本发明可以实现栅极和源/漏极的自对准。
掩膜版薄膜晶体管阵列制作方法显示装置

[发明专利]一种薄膜晶体管的制备方法-CN201811151499.0有效
发明人： 叶成枝;李恒滨;操彬彬;栗芳芳;安晖 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及显示设备技术领域，公开了一种薄膜晶体管的制备方法，该薄膜晶体管的制备方法包括：在基板上形成第一透明导电层和第一金属层；对第一金属层以及第一透明导电层进行第一次刻蚀，对第一透明导电层进行刻蚀形成第一透明电极和第二透明电极；对第一金属层进行第二次刻蚀以露出第二透明电极；对第二透明电极进行氧离子注入处理以使其表面注入氧离子；在第一金属层和第二透明电极背离基板的一侧沉积第一绝缘层后进行退火处理。该薄膜晶体管的制备方法采用四次掩膜工艺和氧离子注入及退火处理工艺，有效降低了第二透明电极电阻和应力，消除了晶格缺陷，从而有效提高了透过率。
一种薄膜晶体管制备方法

[实用新型]一种显示基板、显示装置-CN201821677836.5有效
发明人： 叶成枝;操彬彬;安晖;栗芳芳;李恒滨 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型公开一种显示基板、显示装置，涉及显示技术领域，为解决现有的显示器件中，膜层的段差较大，容易对显示器件的生产良率造成影响的问题。所述显示基板包括膜层，所述膜层上设置有膜层过孔，所述显示基板还包括：设置在所述膜层过孔的边缘，包围所述膜层过孔的阻挡结构。本实用新型提供的显示基板用于显示。
膜层显示基板本实用新型显示器件显示装置阻挡结构段差良率包围生产

[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置-CN201811186814.3在审
发明人：操彬彬;叶成枝;栗芳芳;安晖;李恒滨 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置。阵列基板包括在基底上叠设的第一电极、第一绝缘层、有源层和第二电极，所述有源层分别与所述第一电极和第二电极连接，所述第一绝缘层设置有侧壁，所述有源层中设置在所述侧壁上的沟道部作为导电沟道。本发明通过在第一绝缘层构造的侧壁上形成导电沟道，突破了现有技术极限，有效减小了沟道长度，甚至有可能将沟道长度减小一个数量级，进而最大限度地减小了沟道电阻，提升了开态电流，降低了功耗，大幅度提升了产品性能。
阵列基板侧壁沟道源层绝缘层导电沟道第二电极第一电极显示装置减小制备绝缘层构造产品性能长度减小沟道电阻技术极限开态电流叠设功耗基底

[发明专利]一种基板测试设备-CN201610004799.0有效
发明人：谢少华;刘祖宏;訾玉宝;侯智;叶成枝 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
申请日： 2016-01-04 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基板测试设备，以减小基板上图形线宽的测试误差，进而提高基板的产品品质。基板检测设备包括用于承载基板的支撑平台；用于采集基板上待测线宽图形位置信息的对位装置；朝向支撑平台设置的光强检测装置；控制装置，分别与对位装置和光强检测装置信号连接，用于根据待测线宽图形位置信息，控制光强检测装置移动经过待测线宽图形的上方；根据光强检测装置的检测数据，确定光强检测装置经过待测线宽图形的时间；根据经过待测线宽图形的时间，确定待测线宽图形的线宽。相比现有技术，本发明实施例大大减小了基板上图形线宽的测试误差，进而提高了基板的产品品质。
测线光强检测装置基板基板测试设备测试误差产品品质对位装置图形位置支撑平台图形线减小基板检测设备采集基板承载基板检测数据检测装置控制装置信号连接控制光线宽移动

[实用新型]一种水箱及供液系统-CN201620249844.4有效
发明人：胡明;陈实;许明;杨帆;叶成枝;王俊;訾玉宝;刘祖宏 -专利权人：合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： G05D9/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及供液技术领域，公开了一种水箱及供液系统，水箱包括箱体以及用于检测液位是否达到工作液位的工作液位传感器，箱体包括底壁、第一侧壁、第二侧壁，第一侧壁与第二侧壁相对设置，底壁的第一侧边与第一侧壁连接，第二侧边与第二侧壁连接，还包括固定座和驱动装置，工作液位传感器位于第一侧壁和第二侧壁之间，且与第一侧壁之间的距离小于与第二侧壁之间的距离；箱体可绕与第一侧壁以及底壁平行的转轴旋转地安装于固定座，且箱体初始状态时底壁水平；当箱体旋转后沿竖直方向第二侧边高于第一侧边；驱动装置与固定座以及箱体连接以驱动箱体旋转，该水箱随生产情况变化改变工作容积，以较小用液量供应生产，提高储供用液利用率。
一种水箱系统

[实用新型]一种湿法刻蚀机刻蚀装置-CN201320833748.0有效
发明人：胡伟;叶成枝;肖冠华;杨子衡;吴代吾;侯智 -专利权人：合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种湿法刻蚀机刻蚀装置，包括供液总管道与至少两组同心矩形管道，其特征在于：每组矩形管道均经由一供液支管连接至供液总管，矩形管道通过可旋转弯头固定在支撑架上，矩形管道上均布多个喷淋装置。本实用新型通过将喷淋装置进行环状排布以及通过相应阀门控制各矩形管道上流量压力的不同和驱动连杆控制的摆动不同，控制基板各区域的刻蚀速率，从而达到控制线宽、改善坡度角、提高刻蚀均一性的目的，进而提高基板刻蚀的合格率。
一种湿法刻蚀装置

[发明专利]一种用晶核预控制激光晶化法制备多晶硅薄膜材料的方法-CN201110215286.1无效
发明人：李娟;叶成枝;尹春建;熊绍珍;宰亚孟 -专利权人：南开大学
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种用晶核预控制激光晶化法制备多晶硅薄膜材料的方法，步骤如下：1）在石英玻璃衬底上沉积晶化前驱物；2）在晶化前驱物表面涂覆亲和剂，然后在其表面附着镍盐溶液；3）用激光器的激光照射，使其晶化为大晶粒多晶硅，大晶粒的平均粒径为1-20微米；4）将晶化后的多晶硅进行热退火处理，热退火温度为400-600℃，热退火时间为1-2h。本发明的优点是：适用于在大面积衬底上流水线操作制备高质量多晶硅薄膜材料，并可以通过控制旋甩转速和旋甩时间或者浸蘸时间和浸蘸后的喷淋时间以及改变镍盐溶液的浓度来改变晶化效果；该制备工艺简单、成本低；该多晶硅薄膜可用于制备多晶硅薄膜晶体管和多晶硅晶体管电路，具有重要的实用价值。
一种晶核控制激光法制多晶薄膜材料方法

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