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[发明专利]一种高速宽频带建模方法、系统、装置及存储介质-CN201811488761.0有效
发明人：李跃进;高成楠;王松松;史阳楠;卢启军 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G06F30/34 文献下载
摘要：本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种高速宽频带建模方法、系统、装置及存储介质。获取TSV的参数信息；根据参数信息对TSV进行第一仿真，得到TSV三维结构模型；根据三维结构模型得到等效电路模型。本发明通过对TSV进行仿真建立三维结构模型，再对三维结构模型进行分析建立等效模型的方式，通过计算对TSV与氧化层、硅衬底形成的MOS寄生电容以及多层互连结构的键合凸点自然形成的电容、电阻、电感以及电导构建等效电路模型，降低了涡流损耗、寄生效应和邻近效应对TSV在高频传输的影响。
一种高速宽频建模方法系统装置存储介质

[发明专利]一种耦合谐振滤波器的构建方法-CN201811000117.4有效
发明人：李跃进;王松松;高成楠;史阳楠;卢启军 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： G06F30/373 文献下载
摘要：本发明涉及一种耦合谐振滤波器的构建方法，该构建方法包括：获取所述耦合谐振滤波器的模型参数；根据所述耦合谐振滤波器的谐振频率确定预设贴片的尺寸；根据所述预设贴片的尺寸确定耦合谐振腔的尺寸；获取所述预设贴片的切角宽度；根据所述模型参数、所述预设贴片的尺寸、所述耦合谐振腔的尺寸和所述预设贴片的切角宽度构建所述耦合谐振滤波器模型。本发明所得到的耦合谐振滤波器的工作波段能够达到太赫兹波段，使得耦合谐振滤波器能够实现在太赫兹波段的应用，拓展了耦合谐振滤波器的应用范围。
一种耦合谐振滤波器构建方法

[发明专利]一种用于空气隙同轴硅通孔的宽频带建模方法-CN201811475968.4有效
发明人：李跃进;史阳楠;高成楠;王松松;卢启军 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于空气隙同轴硅通孔的宽频带建模方法，包括如下步骤：获取空气隙同轴硅通孔的基础参数；根据所述基础参数计算等效导纳和等效阻抗；根据所述等效导纳和所述等效阻抗建立等效电路模型；对所述等效电路模型进行验证。本发明实施例在建立等效电路模型的过程中，综合考虑了衬底涡流损耗、电流趋肤效应、MIS寄生电容效应，所建立的模型可以在100MHz‑100GHz频率范围内精确分析TSV信号传输特性并进行优化，可以实际反应出CTSV的传输特性。
一种用于空气同轴硅通孔宽频建模方法

[发明专利]含有SiN_x插入层的极性c面GaN基的半导体器件的制备方法-CN201310237736.6无效
发明人：张进成;曹荣涛;许晟瑞;郝跃;温慧娟;聂哲颢;彭茗诗;史阳楠 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明公开了含有SiNx插入层的极性c面GaN基的半导体器件的制备方法，其步骤是：（1）将c面蓝宝石衬底置于MOCVD反应室中，通入氢气与氨气的混合气体，对衬底进行热处理；（2）在衬底上生长厚度为10-30nm，温度为580-620℃的低温AlN成核层；（3）在低温成核层上生长厚度为150-180nm，温度为950-1000℃的高温AlN成核层；（4）在AlN成核层之上生长厚度为1000-2000nm，镓源流量为30-300μmol/min，氨气流量为1000-10000sccm的c面GaN缓冲层；（5）在所述的c面GaN缓冲层之上用PECVD在200-250℃淀积3-9s的SiNx插入层；（6）在所述SiNx插入层之上生长厚度为4000-6000nm，镓源流量为100-250μmol/min，氨气流量为3000-5000sccm的c面GaN外延层。本发明的c面GaN薄膜具有低缺陷的优点，用于制作极性c面GaN发光二极管。
含有 sin sub 插入极性 gan 半导体器件制备方法