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[发明专利]电容器-CN201880048521.0有效
发明人： 原田真臣;泉谷淳子;香川武史;松原弘 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供抑制保护层电容，且即使在高温时、高湿度时也具有较高的Q值的电容器。本发明的一侧面所涉及的电容器具备：基板；下部电极，形成在基板上；介电膜，形成在下部电极上；上部电极，形成在介电膜上的局部；保护层，覆盖下部电极以及上部电极；以及外部电极，贯通保护层，在从上方观察电容器的俯视时，外部电极仅形成在被上部电极的周缘划定的区域内。
电容器

[发明专利]薄膜电容器及其制造方法-CN201880042663.6有效
发明人：香川武史;泉谷淳子;原田真臣;松原弘;石田宣博 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：薄膜电容器(100)具备：下部电极(120)；介电膜(130)；上部电极(140)；第1保护膜(151)，其分别形成有使上部电极(140)开口的第1贯通孔(CH11)和使下部电极(120)开口的第2贯通孔(CH12)且具有第1上表面(150A)；第2保护膜(152)，其具有处于比第1保护膜151的第1上表面150A高的位置的第2上表面(150B)；第1端子电极(161)，其通过第1贯通孔(CH11)而与上部电极(140)电连接，至少延伸至第2保护膜(152)的第2上表面(150B)地设置；以及第2端子电极(162)，其通过第2贯通孔(CH12)而与下部电极(120)电连接，至少延伸至第2保护膜(152)的第2上表面(150B)地设置。
薄膜电容器及其制造方法

[发明专利]电容器-CN201780066804.3有效
发明人：香川武史;泉谷淳子;原田真臣;石田宣博 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：电容器具备：基板，其具有第1主面和第2主面；下部电极，其设置在上述第1主面上；介电膜，其设置在上述下部电极上；以及上部电极，其设置在上述介电膜上，在俯视上述第1主面时，上述下部电极和上述上部电极中至少一者具备：具有矩形形状的第1区域、和从上述第1区域的至少一个边突出的至少一个第2区域。
电容器

[发明专利]电容器-CN202080035634.4有效
发明人：松原弘;原田真臣;香川武史 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明提供一种电容器，其特征在于，具有：基板、形成于上述基板上的下部电极、形成于上述下部电极上的电介质膜、形成于上述电介质膜上的上部电极、形成于上述下部电极、上述电介质膜和上述上部电极上的具有贯通开口部的保护层、形成于上述贯通开口部内的凸状部、以及以覆盖上述贯通开口部和上述凸状部的方式形成的外部电极。
电容器

[发明专利]半导体装置以及模块-CN202180014437.9在审
发明人：松原弘;原田真臣;香川武史 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-02-16 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：半导体装置(1)具备：半导体基板(10)，具有在厚度方向(T)上相对的第一主面(10a)以及第二主面(10b)；电路层(20)，设置在半导体基板(10)的第一主面(10a)上；以及第一树脂体(30)，设置在电路层(20)的与半导体基板(10)相反侧的表面上，电路层(20)具有：设置在半导体基板(10)侧的第一电极层(22)、与第一电极层(22)对置地设置的第二电极层(24)、在厚度方向(T)上设置在第一电极层(22)与第二电极层(24)之间的电介质层(23)、与第一电极层(22)电连接并被引出到电路层(20)的与半导体基板(10)相反侧的表面的第一外部电极(27)、以及与第二电极层(24)电连接并被引出到电路层(20)的与半导体基板(10)相反侧的表面的第二外部电极(28)，在俯视时，第一树脂体(30)设置在第一外部电极(27)与第二外部电极(28)之间，在剖面观察时，第一树脂体(30)的与半导体基板(10)相反侧的前端位于比第一外部电极(27)以及第二外部电极(28)的与半导体基板(10)相反侧的前端高的位置。
半导体装置以及模块

[发明专利]半导体装置以及电容装置-CN202180009644.5在审
发明人：香川武史;原田真臣;松原弘 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置以及电容装置。半导体装置1具备：半导体基板10，具有在厚度方向T上对置的第一主面10a以及第二主面10b；以及电路层20，设置于半导体基板10的第一主面10a上，电路层20具有：第一电极层22，设置于半导体基板10侧；第二电极层24，与第一电极层22对置设置；电介质层23，在剖面中设置于第一电极层22与第二电极层24之间；以及第一外部电极27，经由未设置有电介质层23的第一区域电连接于第一电极层22，电介质层23的第一区域侧的端部23a(23b)在第一电极层22侧的面与第一电极层22接触，在电介质层23中，端部23a(23b)的厚度方向T上的尺寸Ta(Tb)比位于第一电极层22与第二电极层24之间的电极间部23c的厚度方向T上的尺寸Tc小。
半导体装置以及电容

[发明专利]半导体装置以及模块-CN202180009347.0在审
发明人： 原田真臣;香川武史;松原弘;安达永纯 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置，具备：半导体基板，具有在厚度方向上对置的第一主面及第二主面、在与厚度方向正交的长度方向上对置的第一端面及第二端面；和电路层，设置于半导体基板的第一主面，其特征在于，半导体基板在长度方向上的第二外部电极侧的端面亦即第一端面侧具有在半导体基板上未设置有电路层的第一端部区域，在第一端部区域设置有第一露出部，该第一露出部是除了半导体基板的第一主面以外在第一主面与第一端面之间露出的部分，在与半导体基板的厚度方向以及长度方向平行的方向上切断半导体基板的剖切面中，通过将在第一主面上设置有电路层的部分中的半导体基板以厚度方向的中央为界进行2分割的分割线沿厚度方向对第一端部区域进行了2分割时，作为第一主面侧的区域的第一区域的面积小于作为第二主面侧的区域的第二区域的面积。
半导体装置以及模块

[发明专利]电容器集合体-CN201980028595.2有效
发明人： 原田真臣;竹内雅树;香川武史;松原弘 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明提供电容器集合体，具有多个电容器(100)以及保持多个电容器(100)的保持体(300)。多个电容器(100)分别包含半导体基板、第一电极层、电介质层、第二电极层以及外部电极。多个电容器(100)包含第一电容器(100F)与第二电容器(100S)。第二电容器(100S)关于第一电极层、第二电极层以及外部电极的至少1个具有与第一电容器(100F)不同的形状。
电容器集合体

[发明专利]电容器-CN202080037071.2在审
发明人：香川武史;原田真臣;松原弘 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明提供一种电容器，其特征在于：具有基板、设置在上述基板上的下部电极、设置在上述下部电极上的电介质膜、设置在上述电介质膜上的上部电极、与上述下部电极连接的第1端子电极、以及与上述上部电极连接的第2端子电极，并且，上述下部电极、电介质膜和上部电极构成电容器结构；上述电介质膜具有导通孔，在上述导通孔内形成有上述第1端子电极，上述电介质膜的导通孔的宽度为上述第1端子电极的膜厚的2倍以下。
电容器

[发明专利]成膜方法-CN201680022950.1有效
发明人：酒井敏彦;神川刚;原田真臣;国吉督章;邹柳民 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2016-02-24 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：在基板形成薄膜的成膜方法，具有紧贴工序、外力去除工序及成膜工序。紧贴工序(工序B)将紧贴用部件(31)以接触于基板(30)的一面的方式重叠，在向基板(30)与紧贴用部件(31)重合的方向施加外力的状态下，将基板(30)与紧贴用部件(31)置于真空下。外力去除工序(工序C)在大气压下或真空下将外力去除。成膜工序(工序E)在基板(30)的一面或另一面上形成薄膜。
方法

[发明专利]光电转换装置-CN201680028567.7有效
发明人： 原田真臣;东贤一;神川刚;酒井敏彦;国吉督章;辻埜和也;邹柳民 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2016-02-24 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：光电转换装置(1)具备以与半导体基板(101)的一个面相接的方式形成的i型非晶质半导体层(102i)、分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上的p型非晶质半导体层(102p)与分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上，且于半导体基板(101)的面内方向邻接于p型非晶质半导体层(102p)而形成的n型非晶质半导体层(102n)。进而，光电转换装置(1)具备电极(103)作为保护层，所述保护层是以在邻接的p型非晶质半导体层(102p)之间及邻接的n型非晶质半导体层(102n)之间与i型非晶质半导体层(102i)相接的方式形成。
光电转换装置

[发明专利]光电转换装置-CN201680035963.2有效
发明人： 原田真臣;东贤一;神川刚;酒井敏彦;国吉督章;辻埜和也;邹柳民 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2016-02-24 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：在光电转换装置(1)中，在半导体基板(101)的一个面侧交替地配置有第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)。在第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)分别配置有至少一个第一非晶质半导体层(1020n)和第二非晶质半导体层(1020p)。在一个第一非晶质半导体层(1020n)之上，间隔地配置有多个第一电极(103n)，在一个第二非晶质半导体层(1020p)之上，间隔地配置有多个第二电极(103p)。
光电转换装置

[发明专利]光电转换元件-CN201680052868.3有效
发明人：国吉督章;东贤一;神川刚;原田真臣;酒井敏彦;辻埜和也;邹柳民 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供抑制硼的扩散，并能使转换效率提高的光电转换元件及光电转换模块。光电转换元件(10)包括：半导体基板(1)；在半导体基板(1)上形成的本征非晶态半导体层(3)；在本征非晶态半导体层(3)上形成的包含磷作为掺杂物的n型非晶态半导体层(4)；以及在面内方向上与n型非晶态半导体层(4)相邻地形成的包含硼作为掺杂物的p型非晶态半导体层(5)。n型非晶态半导体层(4)在与p型非晶态半导体层(5)相邻的面具有膜厚减少区域TD(n)，p型非晶态半导体层(5)在与n型非晶态半导体层(4)相邻的面具有膜厚减少区域TD(p)。p型非晶态半导体层(5)的膜厚减少区域TD(p)的倾斜角度比n型非晶态半导体层(4)的膜厚减少区域TD(n)的倾斜角度更陡峭。
光电转换元件包括太阳能电池模块太阳光发电系统

[发明专利]光电转换装置-CN201580012504.8有效
发明人： 原田真臣;酒井敏彦;菅沼利人;辻埜和也;国吉督章;神川刚 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：提供一种光电转换装置，能够抑制p层或者n层的掺杂物向相邻的层扩散。光电转换装置(1)具备硅基板(10)、形成于硅基板(10)的一个面并且实质上是本征的本征非晶质层(11)以及形成于本征非晶质层(11)上的第1导电类型非晶质层(12)。第1导电类型非晶质层(12)包括第1浓度层(121)和层叠于第1浓度层(121)的第2浓度层(122)。第2浓度层(122)的掺杂物浓度是8×1017cm‑3以上且低于第1浓度层的掺杂物浓度。
光电转换装置

[发明专利]光电转换元件和具备该光电转换元件的太阳能电池模块-CN201580007656.9有效
发明人： 原田真臣;神川刚;辻埜和也;小出直城;浅野直城;松本雄太 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2015-01-20 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：光电转换元件具备n型单晶硅基板(1)。n型单晶硅基板(1)包括中心区域(11)和端部区域(12)。中心区域(11)是被具有与n型单晶硅基板(1)的中心点相同的中心点、并且将n型单晶硅基板(1)的四边中的最短的边的长度的40％的长度设为直径的圆包围的区域。并且，中心区域(11)具有厚度t1。端部区域(12)是从n型单晶硅基板(1)的端部起5mm以内的区域。并且，端部区域(12)配置于在n型单晶硅基板(1)的面内方向上比中心区域(11)更靠外侧的位置，具有比厚度t1薄的厚度t2。另外，端部区域(12)具有比中心区域(11)的平均面粗糙度小的平均面粗糙度。
光电转换元件具备太阳能电池模块

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