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[发明专利]一种致密超高纯材料的制备方法-CN202011267998.3有效
发明人：陈伟杰;白平平;朱刘;周铁军;何志达;危严;林嘉威;王帮琼 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C01B25/043 文献下载
摘要：本发明提供了一种致密超高纯材料的制备方法，与现有的红磷/砷生产提纯工艺相比，本发明中的整个转化过程在密闭的石英管内进行，避免环境对产品的影响，通过精确控制高低温区温度，使得高温区非致密的砷/磷颗粒以气态形式迁移至低温区后凝华、成核、生长得出致密的砷或磷，而高沸点杂质元素仍然留在高温区，实现砷/磷的第一步提纯。降温末期，控制致密砷或磷区域温度始终高于其他区域，使低沸点的Cl、S等杂质元素在另一端冷凝，实现砷/磷的第二步提纯。
一种致密高纯材料制备方法

[发明专利]一种磷化铟尾料制备磷化铟多晶的方法-CN202111045842.5有效
发明人：陈伟杰;白平平;周铁军;危严;林嘉威;齐正阳 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷化铟尾料制备磷化铟多晶的方法，包括：将磷化铟尾料和过量红磷分别置于真空密封石英管的两端，再置于加热器中，将加热器置于压力容器内，在后续的加热过程中磷化铟尾料区域的温度高于红磷区域；加热升温确保在磷化铟尾料区域温度达到磷化铟的熔点前使石英管内压力达到磷化铟的离解压；待石英管内压力到达磷化铟离解压后，将磷化铟区域的温度升至1100～1300℃进行保温；然后对磷化铟区域进行分区域降温以使磷化铟进行定向凝固，得到磷化铟多晶料。本方法不仅能获得良率高的磷化铟多晶，而且可以提高磷化铟废料的利用率，简化工艺，降低生产成本，避免回收铟和磷过程中造成的资源浪费，减少废水废渣的产生，保护环境。
一种磷化铟尾料制备多晶方法

[发明专利]半导体晶体生长用石英坩埚镀氮化硼膜的方法-CN201711226461.0有效
发明人：白平平;朱刘;张强;黄成建;陈伟杰;危严;黄宇彬 -专利权人：广东先导先进材料股份有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体晶体生长用石英坩埚镀氮化硼膜的方法。本申请采用溶胶法在石英坩埚内表面镀氮化硼膜，所述氮化硼膜在较低温度下即可生成，且可以均匀且致密的附着在光滑的石英坩埚内表面，当镀氮化硼膜的石英坩埚用于半导体晶体生长时，可以避免石英中的Si污染晶体。此外本申请所用原料简单易得、无毒无害，制备工艺相对安全。
半导体晶体生长石英坩埚氮化方法

[发明专利]电子级红磷的制备装置及方法-CN201610981657.X在审
发明人：白平平;朱刘;陈伟杰;张强;危严 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C01B25/023 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子级红磷的制备装置，其包括压力容器、加热器、反应装置以及真空泵。本发明采用的电子级红磷的制备装置及方法，黄磷转化为红磷的过程安全、可控，且由于采用密闭反应装置，黄磷的转化率高；使用石英器皿作为反应容器，在反应温度下石英器皿的性能相当稳定，不会对产品电子级红磷造成污染，所得电子级红磷的纯度可达到99.9999%以上。
电子红磷制备装置方法