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[发明专利]GaAs工艺驱动电路的改善方法、电路、开关、芯片-CN202210180297.9有效
发明人：杨光;蒋冬冬;王安劳;卢子焱;刘云刚;张继帆;韩思扬;王胜源;赵伟;宋艺林;范艺萱 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H02M1/084 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaAs工艺驱动电路的改善方法、电路、开关、芯片，属于微波集成电路领域，包括：步骤一，针对GaAs ED工艺的驱动电路，在其“0V”电压信号输出端连接第一电阻R1，在其“‑5V”电压信号输出端连接第一电阻R2；通过连接所述第一电阻R1和第二电阻R2输出GaAsED工艺的驱动电路的互补信号。步骤二，将所述互补信号作用于微波开关管的栅极，0V使开关管导通，‑5V使开关管关断，实现“开关”功能。本发明可以提高驱动器输出0V电压精度，使得微波开关获得更佳的微波性能。
gaas 工艺驱动电路改善方法开关芯片

[发明专利]温度系数可调节的放大器电路及电压产生方法-CN202110862015.9有效
发明人：韩思扬;卢子焱;周平;韩旺旺;张文锋;王海龙 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明涉及微波射频集成电路领域，公开了一种温度系数可调节的放大器电路及电压的产生方法，该电路包括：温度系数可调节电压产生电路、射频负反馈网络、放大器、输入匹配网络和输出匹配网络；温度系数可调节电压产生电路包括基准电压产生电路、温度系数可调节电压产生电路和运算放大电路，基准电压产生电路和温度系数可调节电压产生电路分别连接运算放大电路上，运算放大电路连接在射频反馈网络上，射频反馈网络分别连接在放大器的输入端和输出端。采用本方案设计的放大器芯片能够方便地在芯片制造实测后对温度系数进行适应性调整，从而将放大器芯片的温度波动最小化。
温度系数调节放大器电路电压产生方法

[发明专利]一种新型高隔离低插损开关矩阵芯片-CN202310082375.6在审
发明人：刘云刚;韩思扬;卢子焱;王海龙 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H03K17/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型高隔离低插损开关矩阵芯片，包括设置于砷化镓PHEMT半导体电路层上的开关矩阵电路，所述开关矩阵电路包括m个输入端、m个开关结构、垂直过渡结构、n个功分器、n个输出端，所述垂直过渡结构设置为共面波导的结构形式，所述输入端电连接所述开关结构的信号输入端，所述开关结构的信号输出端电连接所述垂直过渡结构和所述功分器的信号输入端，所述垂直过渡结构的信号输出端电连接所述功分器的信号输入端，所述功分器的信号输出端电连接所述输出端。采用砷化镓pHEMT工艺实现高集成开关矩阵芯片，该开关矩阵芯片集成多个开关和功分器，并集成高隔离垂直过渡结构，可实现高隔离、低损耗功能。
一种新型隔离低插损开关矩阵芯片

[发明专利]一种激光器芯片的宽带射频无耗匹配网络芯片设计方法-CN202111466525.0有效
发明人：吕晓萌;赵炳旭;廖翱;张继帆;伍艺龙;卢子焱;许玮华;李希斌 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H04B10/2575 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光器芯片的宽带射频无耗匹配网络芯片设计方法，包括：步骤1、提取互连后的微波直通芯片和激光器芯片的微波S参数的输入反射分量；步骤2、将电气互连后的激光器芯片输出的光信号耦合至探测器，结合输入反射分量，获取激光器芯片与微波直通芯片电光互连的微波S参数；步骤3、提取微波直通芯片的微波S参数；步骤4、采用去嵌入方式计算激光器芯片自身的微波S参数；步骤5、根据激光器芯片自身的微波S参数获取激光器芯片的阻抗参数；步骤6、根据激光器芯片的阻抗参数，设计匹配网络芯片。本发明可实现激光器芯片和射频芯片之间良好的阻抗匹配，提高信号传输质量与系统灵敏度，可广泛应用于各类微波光子集成类产品。
一种激光器芯片宽带射频匹配网络设计方法

[发明专利]一种有源双向谐振腔移相器-CN202211411482.0在审
发明人： 卢子焱;韩思扬;刘云刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01P1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种有源双向谐振腔移相器，包括端口P1‑P4、晶体管M1‑M4、电流源晶体管M5和M6、中心抽头电感L1和L2、耦合传输线DTL1‑DTL4，其中晶体管M1‑M4的栅极分别连接端口P1‑P4，中心抽头电感L1和L2相互缠绕，形成耦合线圈TF1，耦合传输线DTL1、DTL2和耦合线圈TF1形成发射耦合谐振腔，耦合传输线DTL3、DTL4和耦合线圈TF1形成接收耦合谐振腔，通过数字信号能够控制耦合传输线DTL1‑DTL4的对地电容，从而改变耦合谐振腔的谐振特性，实现数控移相。本发明最大限度地复用了电路单元，使接收通道和发射通道共用一套硬件资源，极大缩小了版图面积，从而降低芯片成本。
一种有源双向谐振腔移相器

[发明专利]一种任意路由射频开关矩阵-CN202111237938.1有效
发明人：韩思扬;吕英飞;张剑;刘江洪;张继帆;蒋冬冬;赵伟;王胜源;卢子焱 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H03K17/62 文献下载
摘要：本发明提供了一种任意路由射频开关矩阵，由N*N个2态开关IP单元以矩阵形式构成，每个2态开关IP单元具有上下左右四个端口，矩阵形式内的2态开关IP单元通过相邻端口连接形成开关矩阵，开关矩阵上下左右均N个端口用于对外连接；所述2态开关IP单元具有1态和0态两种状态，处于1态时，上端口与左端口连通；处于0态时，左端口与右端口连通，上端口与下端口连通。本发明提出的方案可以实现毫米尺度的平面结构射频开关矩阵，能够方便的进行系统封装集成。
一种任意路由射频开关矩阵

[发明专利]一种折叠线圈及分布式放大器-CN202210647537.1有效
发明人：韩思扬;卢子焱 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H03F3/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种折叠线圈及分布式放大器，所述折叠线圈包括第一互耦线圈和第二互耦线圈构成的折叠线圈，第一互耦线圈由相互连接且对称的电感L1、L2组成，第二互耦线圈由相互连接且对称的电感L3、L4组成；第二互耦线圈围绕第一互耦线圈设置，第一互耦线圈和第二互耦线圈均沿折叠线圈中心线左右对称；所述分布式放大器至少包括两个折叠线圈，折叠线圈依次串联，每个折叠线圈中设有晶体管，晶体管栅极与端口P2连接，漏极与端口P5连接，源极接地。本发明能够有效减少分布式放大器中无源器件数量，从而减少占用版图面积，降低芯片成本；此外，在获得更小芯片尺寸的同时，还能进一步展宽放大器的工作带宽。
一种折叠线圈分布式放大器

[发明专利]超宽带小型化功分器-CN202210448779.8有效
发明人：赵伟;卢子焱;刘云刚;韩思扬;王胜源;张继帆;杨光;蒋冬冬;刘玲 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本发明提供一种超宽带小型化功分器，包括：两个相同的互感耦合线圈；连接两个互感耦合线圈的输入端口的第一级电阻网络；连接两个互感耦合线圈的中间端口的第二级RC网络和调谐电容；连接两个互感耦合线圈的输出端口的第三级RC网络；设置在第二级RC网络两端的接地柱。本发明能够实现极宽的工作频带，并具有紧凑的电路结构和极小的芯片尺寸。该超宽带小型化功分器可作为单独的功分器芯片应用或作为电路组成部分应用于集成电路中。
宽带小型化功分器

[发明专利]一种基于GaAs材料的可重构超宽带直通/高通滤波器电路-CN202010447539.7有效
发明人：王超杰;王睿;蔡雪芳;卢子焱 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H03H7/01 文献下载
摘要：本发明涉及微波电路技术领域，公开了一种基于GaAs材料的可重构超宽带直通/高通滤波器电路，包括GaAs基FET、平板电容、平面电感或高阻抗传输线、微带传输线及接地金属通孔。所述GaAs基FET开关管起直通或高通滤波器选择的功能，通过控制信号实现其处于导通或截止的工作状态，从而实现直通或高通滤波等功能的可重构；所述平板电容、平面电感或高阻抗传输线、接地金属通孔等组成高通滤波电路的基本单元，起高通滤波的功能；所述控制信号为GaAs基FET开关管控制信号，起控制GaAs基FET开关工作状态的作用，从而实现超宽带直通/高通滤波器电路的可重构。本发明提供的电路具有结构简单、低插损、低功耗、小型化及可重构等优点。
一种基于 gaas 材料可重构超宽带直通滤波器电路

[发明专利]微波集成电路的延时电路设计方法、延时电路结构-CN202111343048.9有效
发明人：杨光;王安劳;卢子焱;刘云刚;蒋冬冬;张继帆;韩思扬;王胜源;赵伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01H47/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波集成电路的延时电路设计方法、延时电路结构，属于微波集成电路领域，延时电路结构包含螺旋电感、在螺旋电感中间抽头的电容以及接地通孔；延时单元作用是提供一个电抗加载，当周期性加载该单元可以构成慢波结构，实现延时功能。在延时单元间的排列方法中，使相邻单元间平行微带传输线上电流方向相同，相邻单元间的互感增大了总电感，相同的尺寸可以获得更大的延时量。同时，由于相比传统结构延时单元选取的电感和电容相同，因此电感器的直流电阻相同。本发明实现的延时电路结构，具有更高的品质因素，可以获得更低的损耗，克服了现有技术的偏见，提高了单位面积的延时量，相对传统延迟器和更小的尺寸。
微波集成电路延时电路设计方法电路结构

[发明专利]一种宽通带薄膜体声波陷波器结构-CN202211569563.3在审
发明人：白晓园;马宁;廖翱;周俊;兰伯章;张安;卢子焱 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H03H9/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽通带薄膜体声波陷波器结构，涉及微波无源芯片领域，包括：可在中间级串联谐振器处引入外接匹配电感的FBAR陷波器芯片和宽通带匹配电路结构；本发明，在FBAR陷波器芯片的中间级串联谐振器位置，引入2个及以上外接匹配电感，该匹配电感可以在FBAR陷波器的阻带两端分别引入1个及以上的传输极点，同时可以灵活地调整传输极点的位置，不仅能够优化通带远端的插损和驻波特性，更能有效解决阻带抑制与通带插损驻波相互矛盾的问题，大幅提高通带带宽。
一种宽通带薄膜声波陷波结构

[发明专利]一种FBAR陷波器的宽带POC集成结构-CN202211161781.3在审
发明人：白晓园;马宁;廖翱;周俊;李玲玉;任泽梅;张童童;兰伯章;张安;卢子焱;刘云刚;范艺萱;易雪雅;张坤;宋艺林 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H03H9/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种FBAR陷波器的宽带POC集成结构，包括FBAR陷波器芯片与宽带匹配电路结构，所述宽带匹配电路结构包括一介质基板，介质基板表面设有一用于粘接FBAR器件的金属图形区域、两个射频接口、至少一个接地焊盘以及至少两个二维平面螺旋形式的匹配电感；所述FBAR陷波器芯片安装在金属图形区域，其射频端口分别对应与射频接口连接，其接地端口与接地焊盘连接；所述两个射频接口均分别通过匹配电感接至接地焊盘。本发明有效解决了阻带抑制与通带驻波相互矛盾的问题，还优化了插损驻波特性，大幅提高了通带带宽，实现了小型化、低插损、低驻波、3.5倍频宽通带的FBAR陷波性能。
一种 fbar 陷波宽带 poc 集成结构

[发明专利]一种有源片上和差器与和差波束网络-CN202210808702.7在审
发明人：韩思扬;王海龙;卢子焱;赵伟;彭文超;刘云刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G01S3/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种有源片上和差器与和差波束网络，包括：信号输入转换单元，用于将输入射频信号A、B转换为差分信号A+，A‑，B+，B‑；有源和差运算单元，与信号输入转换单元相连，用于将信号输入转换单元输出的电压信号A+，A‑，B+，B‑转换为电流信号，并进行电流功分、求差、求和；信号输出转换单元，与有源和差运算单元相连，用于将电流信号转换为电压信号，并将(A+B)、‑(A+B)、(B‑A)、‑(B‑A)转换为单端信号A+B，B‑A；所述信号输入转换单元和信号输出转换单元还用于为有源和差运算单元提供直流偏置点。在原理和物理结构上保证了其具有非常理想的幅度、相位一致性；和差器不会引入插入损耗；和差器具有相对较宽的带宽；在版图上的面积开销非常小。
一种有源波束网络

[发明专利]一种可重构超宽带功放谐波抑制电路-CN201910798870.0有效
发明人：王超杰;周丽;王海龙;王安劳;揭海;卢子焱 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及微波技术领域，公开了一种可重构超宽带功放谐波抑制电路。在基片上依次集成多个微带线传输线，相邻的微带线传输线之间并联第一FET开关管、第一开路短截线、第二FET开关管、第二开路短截线；当不需要进行谐波抑制时，使所有的第一FET开关管、第二FET开关管处于截止状态；当需要进行功率放大器的低频段谐波抑制时，使所有的第一FET开关管、第二FET开关管处于导通状态；当需要进行功率放大器的高频段谐波抑制时，使所有的第一FET开关管处于导通状态、所有的第二FET开关管处于截至状态。该方案可实现超宽带功率放大器带内谐波抑制及功能可重构；提供了一种结构简单、低插损、低功耗、小型化、可重构的超宽带功率放大器带内谐波抑制电路设计方法。
一种可重构超宽带功放谐波抑制电路

[发明专利]一种无源宽带正交信号校准电路和系统-CN202210809025.0在审
发明人：韩思扬;卢子焱;蔡雪芳;刘云刚;杨光;张坤 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H04B17/11 文献下载
摘要：本发明提供了一种无源宽带正交信号校准电路和系统，包括：正交校准单元，所述正交校准单元设有I+输入端、I‑输入端、Q+输入端、Q‑输入端、I+输出端、I‑输出端、Q+输出端和Q‑输出端；所述正交校准单元包括第一正交耦合器、第二正交耦合器、第三正交耦合器和第四正交耦合器；上述任一正交耦合器均包括输入端、耦合端、直通端和隔离端；若干个所述正交校准单元相互级联。本发明提出一种无源宽带正交信号校准电路，能够在无校准反馈环路或电路重构的情况下，同时减小整个工作频段内正交信号的幅度、相位失配。该正交校准电路采用无源结构，不产生额外功耗，对集成电路制造工艺节点无要求，无截止频率的限制，适合用于毫米波/微波系统。
一种无源宽带正交信号校准电路系统

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