“卢喆来”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果29个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]掩模、具有其的掩模组件及衬底转移设备-CN202320134561.5有效
发明人：赵喆来;卢喆来;韩尚辰;明承镐 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-01-11 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本申请涉及掩模、包括掩模的掩模组件、以及包括掩模的衬底转移设备。根据实施方式，掩模包括：框架，包括开口；容纳结构，设置在框架上，并且包括与外部隔绝的容纳空间；以及传感器，设置在容纳空间中。
掩模具有模组衬底转移设备

[发明专利]掩模、具有其的掩模组件及衬底转移设备-CN202310041587.X在审
发明人：赵喆来;卢喆来;韩尚辰;明承镐 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2023-01-11 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本申请涉及掩模、包括掩模的掩模组件、以及包括掩模的衬底转移设备。根据实施方式，掩模包括：框架，包括开口；容纳结构，设置在框架上，并且包括与外部隔绝的容纳空间；以及传感器，设置在容纳空间中。
掩模具有模组衬底转移设备

[发明专利]用于薄膜电极沉积的溅射设备和方法-CN202210704510.1在审
发明人：李侑钟;姜南旭;卢喆来;柳斗善;李正日;许明洙 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：公开用于薄膜电极沉积的溅射设备和方法。所述溅射设备包括：布置在第一方向上并且彼此平行的第一圆柱靶和第二圆柱靶；设置在所述第一圆柱靶中的第一磁体；设置在所述第二圆柱靶中的第二磁体；以及在垂直于所述第一方向的第二方向上与所述第一圆柱靶和所述第二圆柱靶间隔开的基板支架，其中由从所述第一磁体的中心到所述第一圆柱靶的圆柱轴线的第一假想直线与第一垂直线形成的第一角和由从所述第二磁体的中心到所述第二圆柱靶的圆柱轴线的第二假想直线与第二垂直线形成的第二角中的每个都在大约30度到大约180度的范围内。
用于薄膜电极沉积溅射设备方法

[实用新型]用于薄膜电极沉积的溅射设备-CN202221555327.1有效
发明人：李侑钟;姜南旭;卢喆来;柳斗善;李正日;许明洙 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：公开用于薄膜电极沉积的溅射设备。所述溅射设备包括：布置在第一方向上并且彼此平行的第一圆柱靶和第二圆柱靶；设置在所述第一圆柱靶中的第一磁体；设置在所述第二圆柱靶中的第二磁体；以及在垂直于所述第一方向的第二方向上与所述第一圆柱靶和所述第二圆柱靶间隔开的基板支架，其中由从所述第一磁体的中心到所述第一圆柱靶的圆柱轴线的第一假想直线与第一垂直线形成的第一角和由从所述第二磁体的中心到所述第二圆柱靶的圆柱轴线的第二假想直线与第二垂直线形成的第二角中的每个都在大约30度到大约180度的范围内。
用于薄膜电极沉积溅射设备

[发明专利]窗口制造方法-CN202210411179.4在审
发明人：金亨植;卢喆来;李璋斗;金泛洙;朴恒均;李中成;郑宇眩 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种窗口制造方法，一实施例的窗口制造方法包括：利用第一激光将基底玻璃激光切割为预窗口的步骤；向从切割的预窗口的边缘以预定间隔隔开的点位照射第二激光的步骤；以及将照射第二激光的预窗口进行湿式蚀刻，从而提供包括平坦部以及边缘部的窗口的步骤，从而可以提供容易制造在边缘部具有倒角形状的窗口的方法。
窗口制造方法

[发明专利]窗口制造方法及窗口制造装置-CN202210219811.5在审
发明人： 卢喆来;沃洛诺夫·亚历山大;金亨植;埃米尔·阿斯兰诺夫;朴成圭;李中成;郑宇眩 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种窗口制造方法及窗口制造装置。窗口制造方法可以包括如下步骤：在移送台上提供定义有切割线的母基板；为了形成目标基板而在所述母基板上同时照射具有彼此不同的脉冲能量的第一光束及第二光束来切割所述母基板；从所述母基板分离切割而形成的所述目标基板；以及向所述目标基板提供蚀刻溶液而对所述目标基板进行倒角。所述第一光束可以照射到所述切割线上，所述第二光束可以照射到从所述切割线隔开第一间距的位置上。
窗口制造方法装置

[发明专利]喷墨印刷设备和用于使用喷墨印刷设备检查喷墨头的方法-CN202080096049.5在审
发明人：李炳哲;郑兴铁;许明洙;卢喆来;李度宪 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： B41J2/045 文献下载
摘要：提供了一种喷墨印刷设备和用于使用该喷墨印刷设备检查喷墨头的方法。喷墨印刷设备包括：检查台单元，检查基底位于检查台单元上；喷墨头单元，包括至少一个喷墨头，所述至少一个喷墨头在检查台单元上喷射包含溶剂和分散在溶剂中的偶极子的墨；以及颗粒计数检查单元，设置为在一个方向上与喷墨头单元间隔开。颗粒计数检查单元包括：第一热处理单元，设置在检查台单元的顶部上；以及第一感测单元，设置在检查台单元的底部上并且测量喷射到检查基底上的偶极子的数量。
喷墨印刷设备用于使用检查方法

[发明专利]静电吸盘-CN202110494926.0在审
发明人：李珠熙;卢喆来;赵秀范;许明洙;沃洛诺夫·亚历山大;延智元;柳海永;张容文 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供了一种静电吸盘，所述静电吸盘固定基底并且包括第一区域和与第一区域相邻的第二区域。所述静电吸盘包括：第一电极部分，设置在第一区域中；以及第二电极部分，设置在第二区域中。第一电极部分具有第一宽度，第二电极部分具有小于第一宽度的第二宽度。
静电吸盘

[发明专利]显示设备-CN202110940633.0在审
发明人：许明洙;赵成珉;高东均;金圣哲;金仁教;卢喆来;徐祥准;徐升旴;张喆旼 -专利权人：三星显示有限公司;成均馆大学校产学协力团
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：提供了一种显示设备。所述显示设备包括：基底；显示单元，形成在基底上；薄膜包封层，形成在显示单元上。薄膜包封层包括无机层，所述无机层包括第一子无机层，所述第一子无机层包括包含铝(Al)、锌(Zn)、锆(Zr)和铪(Hf)中的至少两种的复合氧化物。
显示设备

[发明专利]显示装置及用于制造该显示装置的设备和方法-CN201510764886.1有效
发明人：许明洙;奇圣勋;金圣哲;卢喆来;郑石源;朱儇佑;崔宰赫 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：公开了一种显示装置及用于制造该显示装置的设备和方法。该显示装置包括：基板；显示单元，形成在基板上；以及无机层，形成在显示单元上，其中，无机层的水蒸气透过率(WVTR)是5×10‑5g/m2每天或更小。用于制造显示装置的设备包括：室；喷头，用于将混合气体喷射到室中；等离子体产生单元，用于从混合气体形成等离子体；基座，面对喷头并且基板安放在基座上；以及电源单元，电连接到等离子体产生单元，其中，从电源单元供应至等离子体产生单元的电流的频率在大约27MHz和大约42MHz之间。
显示装置用于制造设备方法

[发明专利]显示设备-CN201610124291.4有效
发明人：许明洙;赵成珉;高东均;金圣哲;金仁教;卢喆来;徐祥准;徐升旴;张喆旼 -专利权人：三星显示有限公司;成均馆大学校产学协力团
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：提供了一种显示设备。所述显示设备包括：基底；显示单元，形成在基底上；薄膜包封层，形成在显示单元上。薄膜包封层包括无机层，所述无机层包括第一子无机层，所述第一子无机层包括包含铝(Al)、锌(Zn)、锆(Zr)和铪(Hf)中的至少两种的复合氧化物。
显示设备

[发明专利]发光二极管、其制造方法以及包括所述发光二极管的显示装置-CN202010173581.4在审
发明人：张喆旼;权柄赫;李昌熙;许明洙;卢喆来;金载训;崔贞惠 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：根据本公开内容的实施方案的发光二极管包括第一电极；与所述第一电极相对的第二电极；在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层，所述发射层包含量子点；在所述第一电极与所述发射层之间的第一电荷转移层；在所述第二电极与所述发射层之间的第二电荷转移层；以及在所述第一电荷转移层与所述发射层之间和/或在所述第二电荷转移层与所述发射层之间的至少一个位置中的绝缘层，其中所述绝缘层包含无机材料。所述发光二极管和包括所述发光二极管的显示装置显示改善的寿命特性和发射效率性质。
发光二极管制造方法以及包括显示装置

[发明专利]制造显示装置的装置和方法-CN201510645298.6有效
发明人：许明洙;高东均;张喆旼;金圣哲;金仁敎;卢喆来 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：公开了一种制造显示装置的装置和方法。在一方面，该装置包括室和形成在室中并被配置为形成至少一个无机层的无机层形成喷嘴单元。该装置还包括形成在室中并被配置为形成至少一个有机层的有机层形成喷嘴单元，其中，有机层形成喷嘴单元与无机层形成喷嘴单元基本上直列地布置。该装置还包括形成在无机层形成喷嘴单元与有机层形成喷嘴单元之间并被配置为喷射惰性气体的分隔喷嘴单元。
制造显示装置装置方法

[发明专利]用于制造显示装置的设备-CN201910669080.2在审
发明人：韩尚辰;朴俊河;姜有珍;金东昱;卢喆来;薛在完;郑成镐;许明洙;徐敏逵 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了一种用于制造显示装置的设备。所述用于制造显示装置的设备包括：腔室；多个源单元，位于腔室的外部，其中，多个源单元容纳沉积材料并将沉积材料转化为气体；喷嘴单元，位于腔室中，其中，喷嘴单元连接到多个源单元，并且将从多个源单元中的一个源单元供应的沉积材料喷射到腔室中；以及调节单元，位于多个源单元中的每个源单元与喷嘴单元之间，其中，调节单元使从多个源单元中的每个源单元供应到喷嘴单元的沉积材料中断，并且选择性地将多个源单元与喷嘴单元连接。
源单元喷嘴单元沉积材料腔室显示装置喷射制造容纳中断外部转化

[发明专利]用于制造显示设备的设备和方法-CN201910536598.9在审
发明人：韩尚辰;朴俊河;许明洙;卢喆来;郑成镐 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了用于制造显示设备的设备和方法。所述设备包括：腔室，被构造成在其中容纳第一显示基底和第二显示基底；沉积源，位于腔室中并包括多个坩埚，所述多个坩埚被构造成移动并向第一显示基底或第二显示基底供应至少两种沉积材料；掩模组件，布置在第一显示基底或第二显示基底与沉积源之间；以及挡板部分，布置在掩模组件与沉积源之间并被构造成控制从所述多个坩埚供应的所述至少两种沉积材料的量。
基底沉积源坩埚沉积材料掩模组件腔室挡板显示设备容纳移动制造

1
2
下一页»
尾页
共 29 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top