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[发明专利]一种高末期效率空间太阳电池及其制备方法-CN202310623958.5在审
发明人：钱勇;占荣;毕黎琛;孙利杰;杨洋;刘勇;吴敏 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种高末期效率空间太阳电池，包括Ge衬底，和依次层叠设置于所述Ge衬底表面的Ge子电池、缓冲层2、In0.63Ga0.37As0.65P0.35子电池、Ga0.07In0.93P子电池、缓冲层1和Ga0.51In0.49P子电池。本发明的高末期效率空间太阳电池通过InP基III‑V族化合物的不同组合，获得最优帯隙组合及电池效率，降低晶格位错迁移能阈值，辐照后实现空间太阳电池在工作温度下原位退火，提升电池载流子寿命，降低辐照后的电流衰降。综合得到辐照后末期效率(EOL)≥31％。
一种末期效率空间太阳电池及其制备方法

[发明专利]四结柔性太阳能电池及其制备方法-CN201910679445.X有效
发明人：占荣;王伟明;李华;吴慧哲 -专利权人：江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本发明公开了一种四结柔性太阳能电池，从下至上依次包括：Ge子电池(110)；InGaAs子电池(120)；InAlGaAs子电池(130)；以及InAlGaP子电池(140)；其中，所述Ge子电池(110)为背光侧，所述InAlGaP子电池(140)为入光侧。本发明在现有技术的基础上，进一步提高多结太阳能电池的光电转化效率，减少芯片厚度和质量，同时提高现有柔性电池的可靠性。
柔性太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种锗多结太阳能电池及其制备方法-CN202011500335.1在审
发明人：王俊;占荣;李华;王伟明 -专利权人：江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：公开了一种锗多结太阳能电池及其制造方法。所述锗多结太阳能电池包括：顺序层叠设置的Ge子电池、InGaAs子电池、InGaAsP子电池和InAlGaP子电池。本公开的锗多结太阳能电池及其制造方法，可以降低锗多结太阳能电池的制造成本，提高锗多结太阳能电池的光电转换效率，并实现锗多结太阳能电池的薄膜化和柔性化。
一种锗多结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]四结太阳能电池及其制备方法-CN201910920891.5在审
发明人：王俊;占荣;李华;王伟明 -专利权人：江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种四结太阳能电池及其制备方法，四结太阳能电池，包括依次层叠的各结子电池，各结子电池自下而上包括：Ge子电池；InGaAs子电池；InAlGaAs子电池；以及InAlGaP子电池；其中，所述InAlGaP子电池为入光侧，所述Ge子电池为背光侧。该四结太阳能电池仅需通过一次外延生长便可得到各结子电池，并且其能量转化效率接近理论极限，不需要现有技术中进行二次外延或者倒装剥离等复杂的制备工艺，有助于实现量产。
太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种便携式可拆卸样方框-CN202020128786.6有效
发明人：马千鹏;张晓华;张玉兰;于彩梅;吴亚杰;张兴军;占荣 -专利权人：张晓华
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： G01N1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便携式可拆卸样方框，包括四根长度相同且围设成正方形的直边框，相邻的直边框通过连接弯头连接；直边框包括若干根长度相同的子边框，每两根相邻的子边框通过连接套筒连接，子边框的两端插设于连接弯头或连接套筒内。每根子边框的长度均相同，可根据实际需求组装，需要多长组装多长，子边框和连接套筒依次设置，子边框插设在连接套筒内，使用灵活，可根据实际情况进行组装，各部门组件的体积小，方便携带；并通过设置线轮和线轮拉绳长的磁铁，在每两根相对应的拉绳均拉好后，能够将子边框、连接套筒和连接弯头构成的方形框分为若干个小方形框面积等大的正方形，方便随机取样，使用更加方便。
一种便携式可拆卸方框

[发明专利]多结太阳能电池及其制备方法-CN201810705852.9有效
发明人：占荣;吴慧哲;李华;王伟明 -专利权人：江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本公开涉及一种多结太阳能电池，所述多结太阳能电池从背光侧至入光侧顺序包括：Ge子电池；InGaAs子电池；和InGaP子电池，其中，所述Ge子电池中的Ge具有2～10‰的张应力。本发明还涉及一种制作多结太阳能电池的方法，其中，在外延生长Ge子电池时，使所述Ge子电池中的Ge具有2～10‰的张应力。本公开的多结太阳能电池及其制造方法，提高了太阳能电池的光电转换效率。
太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种基于图形化锗衬底的三结太阳能电池及其制备方法-CN201310152437.2有效
发明人：占荣 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种基于图形化锗衬底的三结太阳能电池及其制备方法，属于半导体材料技术领域。先将图形化Ge衬底通过扩散形成Ge底电池；然后在衬底图形上直接生长大失配InxGa1-xAs中电池；最后生长与中电池晶格匹配的顶电池InyGa1-yP。采用上述结构的太阳能电池，从太阳光谱和带隙的角度看上，底电池、中电池和顶电池电流比较接近，光源利用率比一般带隙不匹配的三节电池高很多，能显著提高太阳能电池效率。同时从晶格常数匹配的角度看，采用图形化的衬底，解决了带隙匹配的材料晶格失配带来的材料生长难题。
一种基于图形衬底太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种图形化的太阳能电池用Ge衬底湿法化学制备方法-CN201310152440.4有效
发明人：占荣 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种图形化的太阳能电池用Ge衬底湿法化学制备方法，涉及太阳能电池用Ge衬底的制备技术，先采用MOCVD在EPI-readyGe衬底上生长一层GaInP；然后对待光刻的衬底进行涂胶、匀胶和前烘处理；将掩模版与衬底对准安装；投影曝光；显影，坚膜处理；先后采用不同的腐蚀液腐蚀处理，然后将腐蚀后的衬底去胶；再将衬底的GaInP层以第一腐蚀液腐蚀去除、硫酸浸泡后，在腐蚀液中兆声清洗，最后采用通氮气离心甩干方式干燥衬底，N2密封。本发明采用简单的化学工艺来制备图形化衬底，不需要复杂的机械设备，操作简单，成本低，在生长大失配的外延材料时，应力能更好地释放，外延层能得到更高的材料质量。
一种图形太阳能电池 ge 衬底湿法化学制备方法

[实用新型]低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器的外延片-CN201220367669.0有效
发明人：张帆;韩效亚;杜石磊;林晓珊;叶培飞;占荣;耿松涛;张双翔 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器的外延片，涉及半导体激光器领域，本实用新型通过在GaAs衬底层上顺序生长缓冲层、过渡层、n型下限制层、下波导层、下势垒层、有源层、上势垒层、上波导层、p型上限制层和欧姆接触层，以此加工成低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器，可应用于光学测量、固体激光器泵浦、激光光谱学、医疗研究等领域。
低线宽 980 nm 应变量子激光器外延

[发明专利]低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器的外延片及其制备方法-CN201210263198.3有效
发明人：张帆;韩效亚;杜石磊;林晓珊;叶培飞;占荣;耿松涛;张双翔 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：低线宽的980nmF-P腔应变量子阱激光器的外延片及其制备方法，涉及半导体激光器领域，本发明通过在GaAs衬底层上顺序生长缓冲层、过渡层、n型下限制层、下波导层、下势垒层、有源层、上势垒层、上波导层、p型上限制层和欧姆接触层，以此加工成低线宽的980nmF-P腔应变量子阱激光器，可应用于光学测量、固体激光器泵浦、激光光谱学、医疗研究等领域。
低线宽 980 nm 应变量子激光器外延及其制备方法

[发明专利]脉冲气流法生长GaP电流扩展层的方法-CN201110132001.8有效
发明人：陈凯轩;张银桥;蔡建九;张永;林志伟;单智发;张双翔;占荣;王向武 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种脉冲气流法生长GaP电流扩展层的方法，在生长GaP电流扩展层时，向金属有机化学气相沉积系统的反应室中，脉冲式交替通入含有镓原子的MO源、磷烷和掺杂源，或者保持磷烷的流量不变，脉冲式通入含镓的MO源和掺杂源。该方法可以增加镓原子和磷原子在外延层表面的迁移时间，使其充分覆盖外延层表面，从而得到高质量的GaP电流扩展层。
脉冲气流生长 gap 电流扩展方法

[实用新型]一种通过图像对比实现自动化测试手机业务的系统-CN201120195667.3有效
发明人：廖志;徐仁华;刘计丰;杨文乐;黄滔;熊云;占荣;唐凯;苏琴;李琳;胡大强;曾平宁 -专利权人：杭州友声科技有限公司
申请日： 2011-06-13 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H04W24/00 文献下载
摘要：一种手机自动操控方法及通过图像对比技术实现手机业务测试的系统。通过对比驻留在测试电脑中与手机终端的实时截取的图像，判断是否符合预定的结果。本实用新型所述的系统可有效的解决传统测试方法无法真实反映使用者真实体验的问题。
一种通过图像对比实现自动化测试手机业务系统

[实用新型]高聚光倍数太阳能电池的散热器-CN201120163361.X有效
发明人：林志伟;张银桥;蔡建九;张永;陈凯轩;单智发;张双翔;占荣;王向武 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2012-03-07 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本实用新型公开一种高聚光倍数太阳能电池的散热器，由铜薄层、银铜钛合金层、金刚石膜、银铜钛合金层和铜底座组成，在聚光太阳能电池底下形成铜薄层，铜薄层下面形成银铜钛合金层，此铜薄层和银铜钛合金层上形成绝缘通道，银铜钛合金层下面形成金刚石膜，金刚石膜下面再形成银铜钛合金层，银铜钛合金层下面形成铜底座，铜底座中形成冷却水通道。本实用新型的散热器能应用在聚光倍数1600倍以上的聚光太阳能电池上，整体热导率高达400W/(m·K)以上，散热效果优于热导率为280W/(m·K)的Al2O3陶瓷散热器，具有更高效的散热作用，使得聚光太阳能电池能在较高的聚光倍数下稳定工作且减少光电转换效率的下降。
聚光倍数太阳能电池散热器

[实用新型]一种自动化测试手机业务的装置-CN201120237819.1有效
发明人：廖志;徐仁华;刘计丰;杨文乐;黄滔;占荣;唐凯;胡大强;李琳;曾平宁 -专利权人：杭州友声科技有限公司
申请日： 2011-07-07 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H04M1/24 文献下载
摘要：一种自动化测试手机业务的装置，该装置包括用于根据自动化测试平台需要发送相应控制指令的上位机，用于根据接收到的指令判断发送控制指令的测试探针位的单片机；用于将控制指令转换为电频信号的转换模块；用于接收电频信号，并将电频信号传到被测手机按键电路上按键电极而实现电连接的测试探针，用于采集被测试手机屏幕信息的摄像头，用于提供电源的供电模块；上位机通过ＵＳＢ－ＲＳ２３２转换口与单片机连接，单片机分别与摄像头和转换模块控制连接，转换模块与测试探针连接。本实用新型的有益效果是：该装置可实现对手机的完全控制，不会对手机的操作产生任何影响，完全模拟手机使用的真实环境进行测试；节省了大量的测试人力，提高了工作效率。
一种自动化测试手机业务装置

[发明专利]高聚光倍数太阳能电池的散热器及制造方法-CN201110132005.6有效
发明人：林志伟;张银桥;蔡建九;张永;陈凯轩;单智发;张双翔;占荣;王向武 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：本发明公开一种高聚光倍数太阳能电池的散热器，由铜薄层、银铜钛合金层、金刚石膜、银铜钛合金层和铜底座组成，在聚光太阳能电池底下形成铜薄层，铜薄层下面形成银铜钛合金层，此铜薄层和银铜钛合金层上形成绝缘通道，银铜钛合金层下面形成金刚石膜，金刚石膜下面再形成银铜钛合金层，银铜钛合金层下面形成铜底座，铜底座中形成冷却水通道。本发明还公开了该散热器的制造方法。本发明的散热器能应用在聚光倍数1600倍以上的聚光太阳能电池上，整体热导率高达400W/(m·K)以上，散热效果优于热导率为280W/(m·K)的Al2O3陶瓷散热器，具有更高效的散热作用，使得聚光太阳能电池能在较高的聚光倍数下稳定工作且减少光电转换效率的下降。
聚光倍数太阳能电池散热器制造方法

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