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[发明专利]环形外腔带间级联激光器及其制备方法-CN202310920335.4在审
发明人：鹿希雨;管延娇;孙瑞轩;刘舒曼;刘俊岐;王利军;刘峰奇;张锦川;翟慎强;卓宁 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明提供一种环形外腔带间级联激光器及其制备方法，包括：带间级联激光器；在带间级联激光器的前腔面侧镀上一层减反膜；带间级联激光器的前腔面侧和后腔面侧分别设置有前腔面直透镜和后腔面直透镜；闪耀光栅，设置于前腔面直透镜的前腔面侧；镀金反射镜组，包括沿闪耀光栅的出射光路上设置的第一镀金反射镜、第二镀金反射镜和第三镀金反射镜；其中，前腔面直透镜、闪耀光栅、第一镀金反射镜、第二镀金反射镜、第三镀金反射镜及后腔面直透镜形成环形光路腔；带间级联激光器的前腔面侧发射出光信号，通过环形光路腔后，从后腔面侧再次入射到带间级联激光器。该装置可比零级衍射光输出的Littrow外腔获得更宽的光谱调谐范围和更大的输出功率。
环形外腔带间级联激光器及其制备方法

[发明专利]波长6微米的激光器的有源区和激光器-CN202111310275.1有效
发明人：程凤敏;张锦川;卓宁;翟慎强;王利军;刘俊岐;刘舒曼;刘峰奇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种波长6微米的激光器的有源区和激光器。该有源区包括：多个周期级联的子有源区；其中，每个周期的子有源区包括：第一注入区，第一注入区包括第一注入势垒；发光区，发光区包括：至少五个第一量子阱，位于上方的第一量子阱与第一注入区连接；以及至少四个第二注入势垒，相邻的两个第一量子阱之间至少设置一个第二注入势垒；第二注入区，第二注入区包括：至少四个沿预设方向依次连接的子注入区，子注入区包括沿预设方向连接的第三注入势垒和第二量子阱；其中，位于相对上方的子注入区的第三注入势垒与位于下方的第一量子阱连接，第二量子阱的厚度小于第一量子阱的厚度，第三注入势垒的厚度大于第二注入势垒的厚度。
波长微米激光器有源

[发明专利]一类葫芦素B衍生物及其制备方法和用途-CN202210226288.9在审
发明人：南发俊;李静雅;卓宁;曹磊;孙新宇;马杰;孔祥荣 -专利权人：中国科学院上海药物研究所
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C07J9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一类葫芦素B衍生物及其制备方法和用途，该葫芦素B衍生物结构如式I所示，式中，各取代基的定义如说明书和权利要求书中所述。本发明的化合物，合成简便，具有较好的抗肿瘤和抗炎活性，能够用于制备抗肿瘤和抗炎药物。#imgabs0#
一类葫芦衍生物及其制备方法用途

[发明专利]连续激射的微腔量子级联激光器及制备方法-CN202110971500.X有效
发明人：郭强强;张锦川;刘峰奇;刘俊岐;卓宁;翟慎强 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本公开提供了一种连续激射的微腔量子级联激光器及制备方法，该激光器包括：衬底；微腔，包括：下波导层、下限制层、有源层、上限制层、上波导层和半绝缘InP：Fe层；上波导层内设有一凹槽，半绝缘InP：Fe层形成于上波导层的凹槽中；正面电极；背面电极；钝化层，形成于微腔的裸露区域。本公开提供的激光器利用半绝缘InP：Fe层的高阻特性在保持模式增益不变的情况下，降低输入电流，提高电光转化效率，从而降低工作温度；并利用半绝缘InP：Fe层与上波导层折射率相近的特性以及较低的损耗，保证微腔的模式分布，从而保证微腔的品质因子；在微腔的裸露区域覆盖钝化层，限制微腔侧壁表面态热激活导致的电流泄漏。
连续量子级联激光器制备方法

[发明专利]有源区及量子级联激光器-CN202310046300.2在审
发明人：牛山;张锦川;卓宁;程凤敏;刘峰奇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本公开提供了一种有源区和量子级联激光器。有源区包括多个周期级联的有源核，有源核的每个周期均包括增益区及注入区，增益区包括四个增益区量子阱及三个增益区量子垒，每个增益区量子垒设置在相邻的两个增益区量子阱之间；四个增益区量子阱中的设置于上部的第一增益区量子阱的厚度最小；第二增益区量子阱的厚度最大；第二增益区量子阱到第四增益区量子阱的厚度逐渐降低；第二增益区量子阱与第三增益区量子阱的差值、小于第三增益区量子阱与第四增益区量子阱的差值，以使得第一微带内的附加能级部分延伸至注入区，附加能级与激光下能级相互耦合，注入到激光上能级的电子分别以垂直跃迁和斜跃迁的方式向激光下能级和附加能级辐射跃迁，并产生激光。
有源量子级联激光器

[发明专利]消防数字孪生系统、消防预案的推演方法及相关设备-CN202211364352.6在审
发明人：王磊;陈果;卓宁;赵坤 -专利权人：亚信科技（中国）有限公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种消防数字孪生系统、消防预案的推演方法及相关设备，涉及消防安全及数字孪生技术领域。该消防数字孪生系统包括：城市建筑火情感知模块、孪生底座模块、消防预案与分析模块。该消防预案的推演方法包括：获取至少一个火情点的火情信息；基于每一火情点的火情信息，确定各项预设的消防预案的有效性；基于有效性确定消防预案的推演结果。本申请实施例用于解决现有技术中人工决策效率较低，难以快速、准确分析消防预案对火情有效性的技术问题。
消防数字孪生系统预案推演方法相关设备

[发明专利]电吸收调制量子级联激光器集成芯片及制备方法-CN202211293161.5在审
发明人：刘俊岐;鹿希雨;杨科;刘峰奇;张锦川;翟慎强;卓宁;刘舒曼;王利军 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本公开涉及红外通信光电子器件技术领域，尤其涉及一种电吸收调制量子级联激光器芯片及制备方法。其中，该电吸收调制量子级联激光器芯片，包括：分布反馈量子级联激光器区，用于生成中远红外种子激光；电吸收量子级联调制器区，用于对中远红外种子激光进行调制，得到调制后的中远红外种子激光；量子级联光放大器区，用于对调制后的中远红外种子激光进行放大，得到放大调制后的中远红外种子激光。本公开提供的电吸收调制量子级联激光器芯片可以单片集成，并同时兼顾高调制速率与高输出功率。
吸收调制量子级联激光器集成芯片制备方法

[发明专利]微腔耦合的双色量子级联红外探测器及其制备方法-CN202110487994.4有效
发明人：朱怡璇;刘俊岐;翟慎强;梁平;黎昆;刘舒曼;胡颖;王利军;张锦川;卓宁;刘峰奇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种微腔耦合的双色量子级联红外探测器及其制备方法，双色量子级联红外探测器包括：半导体衬底；多个第一微腔凸台，形成于半导体衬底上；多个第二微腔凸台，形成于半导体衬底上；多个第一微腔凸台通过第一连接线连接；多个第二微腔凸台通过第二连接线连接；第一微腔凸台、第二微腔凸台、第一连接线和第二连接线均包括由下至上依次设置的下金属层、下接触层、有源层、上接触层及上金属层；下电极，定义半导体衬底上除第一连接线、第二连接线、多个第一微腔凸台和多个第二微腔凸台以外下金属层区域为下电极；第一上电极，形成于下金属层上，通过第一连接线与第一微腔凸台连接；第二上电极，形成于下金属层上，通过第二连接线与第二微腔凸台连接。
耦合量子级联红外探测器及其制备方法

[发明专利]量子级联激光器有源区单元、有源区、外延结构及芯片-CN202211002443.5在审
发明人：孙瑞轩;宁超;刘舒曼;张锦川;卓宁;王利军;刘俊岐;翟慎强;刘峰奇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本公开提供了一种具有斜跃迁性质的量子级联激光器的有源区单元，所述有源区单元从上往下依次包括：注入区，用于提供注入能态；增益区，用于提供发光上能态和发光下能态，其中，所述发光上能态大于所述发光下能态，所述发光上能态到所述发光下能态的辐射跃迁为斜跃迁，所述注入能态大于所述发光上能态；以及弛豫区，用于提供弛豫能态，所述弛豫能态包括顶部能态和底部能态，其中，所述顶部能态小于所述发光下能态；其中，所述注入区、增益区和弛豫区均采用半导体材料。本公开还提供了一种量子级联激光器的有源区、外延结构及芯片。
量子级联激光器有源单元外延结构芯片

[发明专利]五环三萜类TGR5受体激动剂、其制备方法和用途-CN201911011460.3有效
发明人：南发俊;谢欣;张晨露;郭世猛;卓宁;梁晓影;张仰明;贠盈;刘桦楠 -专利权人：中国科学院上海药物研究所
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C07J63/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种五环三萜类TGR5受体激动剂、其制备方法和用途。本发明的五环三萜类TGR5受体激动剂结构如式I所示，各取代基的定义如说明书和权利要求书所述。本发明五环三萜类化合物，溶解度增加，渗透性提高，且显著提升TGR5受体激动活性，可以穿透Caco‑2单层细胞，保证该类化合物口服给药后的体内药效发挥。该类TGR5受体激动剂有望进一步开发成为治疗以糖尿病为代表的代谢性疾病的药物。
三萜类 tgr5 受体激动剂制备方法用途

[发明专利]带间级联激光器外延结构、激光器、芯片及制备方法-CN202210433416.7在审
发明人：宁超;孙瑞轩;刘舒曼;张锦川;王利军;刘俊岐;卓宁;翟慎强;刘峰奇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种带间级联激光器外延结构，所述带间级联激光器外延结构包括在衬底上依次生长的缓冲层、下超晶格包层、下分别限制层、有源层、上分别限制层、上超晶格包层和盖层，所述盖层采用厚度大于10nm，且与所述衬底材料晶格匹配的单一成分的材料。本公开还提供了一种带间级联激光器及其制备方法、带间级联激光器芯片及其制备方法。
级联激光器外延结构芯片制备方法

[发明专利]一种量子级联激光器芯片及其制备方法-CN202110344373.0有效
发明人：杨科;刘俊岐;刘峰奇;梁平;胡颖;张锦川;翟慎强;卓宁;王利军;刘舒曼 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种量子级联激光器芯片及制备方法。该量子级联激光器芯片包括：衬底；双沟脊结构，双沟脊结构设置于衬底上；第一电极，第一电极设置于双沟脊结构的目标表面上；两个半绝缘填充层，两个半绝缘填充层分别设置于双沟脊结构的两个侧面开设的凹槽中，形成针对半绝缘填充层的半绝缘掩埋结构；两个辅助脊结构，每个辅助脊结构设置于衬底上，两个辅助脊结构分别设置于双沟脊结构的相对两侧；以及两个第二电极，两个第二电极分别设置于两个辅助脊结构上，第一电极的目标表面与第二电极的目标表面之间的高度差小于或等于第一距离阈值。该量子级联激光器芯片能在提高响应速率的同时改善散热。
一种量子级联激光器芯片及其制备方法

[发明专利]改善大功率太赫兹半导体激光器散热的封装结构-CN202011513402.3有效
发明人：赵方圆;李利安;刘俊岐;刘峰奇;张锦川;翟慎强;卓宁;王利军;刘舒曼 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：一种改善大功率太赫兹半导体激光器散热的封装结构，该封装结构包括：热沉；第一金属层；第二金属层；次级热沉其上设有倒梯形凹槽；太赫兹半导体激光器，包括衬底；第二掺杂层；呈梯形结构的有源区；第一掺杂层，作为激光器负电极的电注入接触层；欧姆接触层，用于实现负电极与第一掺杂层的欧姆接触；金属波导层；绝缘层，用于防止有源区与负电极间短路；电镀金层，作为次级热沉的散热层；电极层；第三金属层；以及连接块，顶部第四金属层与负电极相连。本发明采用半绝缘砷化镓作为次级热沉，其低温下具备很高的热导率，与激光器的有源区材料不存在热失配，且次级热沉为激光器提供高效的散热通道，实现太赫兹半导体激光器高功率工作。
改善大功率赫兹半导体激光器散热封装结构

[实用新型]一种激光器光源系统-CN202122545351.9有效
发明人：王欢;张锦川;刘峰奇;翟慎强;卓宁;王利军;刘俊岐;刘舒曼 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01S5/02315 文献下载
摘要：本实用新型提供一种激光器光源系统，包括：集成板装置，包括：铜板，设置有多个台阶，多个所述台阶整体呈阶梯状；多个激光光源，设置于多个所述台阶上，且每个所述台阶设置有一个所述激光光源；所述激光光源用于两端发射激光，分别形成第一光路与第二光路；光源反馈装置，包括：闪耀光栅，用于对接收到的所述第一光路进行色散处理，形成反馈光；其中，所述激光光源通过接收到的所述反馈光的作用，所述激光光源进行发射固定波长的激光；光反射装置，包括：转镜，用于对接收到的各所述激光光源发出的第二光路进行同轴以输出光的形式输出。
一种激光器光源系统

[发明专利]光反馈结构及其封装方法-CN202110650811.6有效
发明人：李媛媛;刘俊岐;刘峰奇;骆军委;翟慎强;张锦川;卓宁;王利军;刘舒曼;梁平;胡颖 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01S5/0225 文献下载
摘要：本公开提供了一种光反馈结构及其封装方法，包括太赫兹量子级联激光器和高阻硅超球镜，所述高阻硅超球镜的入射平面的中心位于所述太赫兹量子级联激光器的前端面内，所述高阻硅超球镜的入射平面用于收集所述太赫兹量子级联激光器发出的激光，所述高阻硅超球镜的出射球面用于反馈及汇聚所述太赫兹量子级联激光器发出的激光，增加所述太赫兹量子级联激光器的第二激光模式的激射强度，以通过调控所述太赫兹量子级联激光器的第一激光模式和第二激光模式的强度比。本公开还提供了一种封装方法，能够实现太赫兹小尺寸平顶高斯光束的高效输出。
反馈结构及其封装方法

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